Made available in DSpace on 2014-06-12T23:14:40Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo2689_1.pdf: 852301 bytes, checksum: a23f28f727c194910fdd39330ae3091d (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2011 / Este trabalho tem como objetivo estudar alguns efeitos no fototransistor TEKT5400S quanto às características elétricas e ópticas quando exposto à radiação de uma fonte de nêutrons de 241Am-9Be, de modo que se possa avaliar a possibilidade de utilizá-lo como sensor neutrônico. Os nêutrons ao interagir com a estrutura cristalina do dispositivo promovem o recuo de átomos de silício no semicondutor, criando defeitos na estrutura cristalina e tais defeitos modificam o estado elétrico do dispositivo. Foram irradiados 5 conjuntos de fototransistor, cada qual contendo 3 dispositivos, sendo 4 conjuntos irradiados na fonte de nêutrons dos quais 3 em nêutrons rápidos e um em nêutrons térmicos e o último conjunto foi irradiado na fonte de 60Co. Para perceber as mudanças na estrutura cristalina foi realizada a leitura da corrente de escuro do dispositivo, com isso determinou-se curva (I×V) conhecida como curva característica, de modo a verificar sua resposta quanto ao efeito da dose acumulada, suas propriedades ópticas e a permanência deste efeito ao longo do tempo. Os resultados mostraram que há variação, em função da dose, tanto no estado elétrico do dispositivo como em suas propriedades ópticas. Verificou-se ainda que a sua resposta em função da dose é linear até 0,64 Gy, não perde informação após ser irradiado, responde a dose acumulada no tempo, a sua sensibilidade relativa é alterada quando exposto à luz visível durante a leitura, e os danos causados pelo processo de irradiação são irreversíveis

Neste trabalho, foram estudados os modelos mais comuns para a descrição da corrente de escuro em fotodetectores baseados em poços quânticos (QWIPs). Foram também realizadas as alterações necessárias para tornar estes modelos independentes de ajustes experimentais, possibilitando assim a otimização dos dispositivos antes de sua fabricação. Estas simulações foram comparadas com os dados experimentais de amostras desenvolvidas em nosso laboratório para avaliar a qualidade do sistema de aquisição de curvas I x V recém-instalado, bem como dos dispositivos desenvolvidos. Analisando os resultados experimentais e teóricos, foi possível ainda identificar os diferentes regimes de transporte em cada temperatura e tensão aplicada. / In this work, we analyzed the most common models of the literature aiming to describe the dark current in quantum well based photodetectors (QWIPs), making the necessary changes to make them independent of experimental data, and enabling thus the optimization of the devices before they are fabricated. These simulations were compared to experimental data of sample grown in our laboratory to evaluate the quality of the I-V curve acquisition system recently installed, as well as the performance of the new devices being produced. By analyzing the experimental and theoretical results, it was still possible to identify the different transport regimes at each temperature and applied voltage.

Neste trabalho, foram estudados os modelos mais comuns para a descrição da corrente de escuro em fotodetectores baseados em poços quânticos (QWIPs). Foram também realizadas as alterações necessárias para tornar estes modelos independentes de ajustes experimentais, possibilitando assim a otimização dos dispositivos antes de sua fabricação. Estas simulações foram comparadas com os dados experimentais de amostras desenvolvidas em nosso laboratório para avaliar a qualidade do sistema de aquisição de curvas I x V recém-instalado, bem como dos dispositivos desenvolvidos. Analisando os resultados experimentais e teóricos, foi possível ainda identificar os diferentes regimes de transporte em cada temperatura e tensão aplicada. / In this work, we analyzed the most common models of the literature aiming to describe the dark current in quantum well based photodetectors (QWIPs), making the necessary changes to make them independent of experimental data, and enabling thus the optimization of the devices before they are fabricated. These simulations were compared to experimental data of sample grown in our laboratory to evaluate the quality of the I-V curve acquisition system recently installed, as well as the performance of the new devices being produced. By analyzing the experimental and theoretical results, it was still possible to identify the different transport regimes at each temperature and applied voltage.