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Desenvolvimento de um piranômetro fotovoltaicoFreire, Luiz Abelardo Dantas 31 January 2008 (has links)
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Previous issue date: 2008 / Nesse trabalho foi desenvolvido e testado um piranômetro utilizando um sensor óptico à base
de silício cristalino, facilmente encontrado no mercado. O sensor foi envolvido por uma
estrutura de PVC com a finalidade de minimizar os efeitos térmicos e das intempéries sobre
suas medidas de irradiância solar. Um difusor, também à base de PVC, foi incorporado ao
piranômetro. O protótipo foi calibrado com um piranômetro comercial Eppley que serviu
como padrão. Ambos os instrumentos foram conectados a um sistema de aquisição de dados.
As medições foram realizadas durante vários dias, em intervalos de um minuto, para
condições atmosféricas de céu claro e céu com nuvens. Três grupos de análises foram
realizados: a) A princípio foram medidas, de acordo com a norma ISO 9060, a sensibilidade
da constante de calibração, a não linearidade e a resposta ao ângulo de incidência (resposta ao
co-seno). b) A influência da temperatura na medida de irradiância foi analisada pela
monitoração da temperatura interna do sensor e das irradiâncias medidas pelo protótipo e pelo
Eppley. Os dados de irradiância foram filtrados no intervalo de 950 to 1050 W/m2 para que
fosse possível isolar apenas os efeitos da temperatura nas medidas. c) Foi realizada uma
comparação entre irradiância e energia solar diária registradas pelo Eppley e pelo protótipo ao
longo dos experimentos. Os resultados obtidos são descritos a seguir: (1) A constante de
calibração média obtida foi de 12,9 μV/(W/m2 ) , com desvio padrão da ordem de ±1%. A
não linearidade média é da ordem de ± 2,9% (o valor limite estabelecido por norma é de 3%).
A resposta ao ângulo de incidência do protótipo foi adequada até 40 graus Celsius (desvios
menores que 4%). Para ângulos maiores, o desvio cresce para valores de até 9%. Esse
comportamento indica a necessidade de se propor um difusor com características ópticas
melhor adaptadas à geometria do protótipo. (2) Com relação à influência da temperatura,
foram registradas variações (desvio padrão percentual) na irradiância medida pelo protótipo
da ordem de 2,6% para variações de temperatura de 5,7%. Ao mesmo tempo, o Eppley
registrou variações da ordem de 2,3%, muito próximo do nível observado para o protótipo. A
maior diferença observada entre as temperaturas máxima e mínima foi de 17oC (50,1oC
33,1oC), o que corresponde a uma variação da ordem de 39,4%. Valores de irradiância
correspondentes a essas temperaturas apresentam variações da ordem de 1,3% para o
protótipo e 0,6% para o Eppley. (3) No que se refere às medidas de irradiância, o desvio
quadrático médio para valores instantâneos (1 minuto) é da ordem de 6,3% (média ao longo
de 54 dias). Considerando médias horárias de irradiância, esse valor diminui para 3,7%. Para
energia solar diária, o desvio médio obtido é da ordem de 2,0%. Esses resultados mostram
que, embora o protótipo não atenda a todas as exigências da norma, ele pode ser adequado
para medições de radiação solar. Entretanto, experimentos mais extensivos devem ser
realizados para identificar e solucionar problemas que o instrumento ainda apresente. Um
período mínimo de ensaios de um ano é necessário para avaliar a estabilidade da constante do
protótipo. Um radiômetro de baixo custo (US$ 150,00), com precisão similar à obtida nesse
trabalho, poderá contribuir para a expansão da aquisição de dados de energia solar,
melhorando a informação disponível na rede de medições solarimétricas do Brasil
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Avaliação dos parâmetros dosimétricos em feixes de Fótons de Radioterapia usando fototransistor SMTSILVA, Jonas Oliveira da 31 January 2008 (has links)
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Previous issue date: 2008 / Fundação de Amparo à Ciência e Tecnologia do Estado de Pernambuco / Um dos grandes desafios na dosimetria em radioterapia é garantir que a dose prescrita pelo radioterapeuta seja realmente a depositada no paciente. Para isso, cada vez mais é necessário o uso de detectores pequenos para avaliação dos parâmetros dos feixes. A dosimetria atual é feita utilizando detectores que apresentam diversos inconvenientes: alto custo, dificuldade de manuseio, não realização da leitura em tempo real, processo de obtenção da dose demorado e complexo. Portanto, um sistema alternativo tem sido sugerido através da utilização de detectores menores, baseado na tecnologia de semicondutores. Nesse trabalho, o fototransistor OP520 foi proposto para avaliar a dose e os parâmetros dosimétricos dos feixes de qualidade 6 MV de um acelerador linear. Inicialmente, foi feita a caracterização do fototransistor em laboratório e no hospital, posicionando-o num simulador plástico. Ao detector estavam ligados um eletrômetro desenvolvido no laboratório e um computador de instrumentação, completando o sistema dosimétrico. Para leitura da dose em tempo real, foi desenvolvido um programa computacional que controlava o eletrômetro. Percebeu-se que se conhecendo o comportamento do detector em relação à dose acumulada, encontra-se um fator de proporcionalidade que foi usado na estimativa da dose ao qual o fototransistor esteve submetido. Os resultados mostraram que as medidas da dose acumulada com o fototransistor estão dentro dos ±5% requeridos em protocolos internacionais. Em seguida, o dispositivo foi utilizado no acelerador linear para avaliar sua linearidade de resposta com a dose acumulada, que apresentou respostas com coeficientes de correlação maiores que 0,95. Contudo, os resultados mostraram que ele apresenta dependência com a taxa de dose e alta dependência angular. Na avaliação dos parâmetros dosimétricos, a medição do fator campo com o fototransistor que foi realizada, mostrou boa concordância com os valores obtidos com a câmara Markus, usada como referência. Os perfis dos campos utilizados foram medidos varrendo os campos em intervalos de 5,0 mm, mostrando que o fototransistor OP520 apresenta alta resolução espacial. Nas medidas em profundidade, tem-se que o fototransistor OP520 descreve bem a região de equilíbrio eletrônico, embora devido à perda de sensibilidade para maiores profundidades ele apresente resposta menor que a câmara de ionização
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Injected phototransistor oscillatorViana, Carlos Alberto Araújo January 2010 (has links)
Tese de mestrado integrado. Engenharia Electrotécnica e de Computadores. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2010
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Estudo da resposta de um fototransistor submetido a um fluxo de NêutronsBARROS, Fábio do Rêgo 31 January 2011 (has links)
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Previous issue date: 2011 / Este trabalho tem como objetivo estudar alguns efeitos no fototransistor TEKT5400S quanto às
características elétricas e ópticas quando exposto à radiação de uma fonte de nêutrons de
241Am-9Be, de modo que se possa avaliar a possibilidade de utilizá-lo como sensor neutrônico.
Os nêutrons ao interagir com a estrutura cristalina do dispositivo promovem o recuo de átomos
de silício no semicondutor, criando defeitos na estrutura cristalina e tais defeitos modificam o
estado elétrico do dispositivo. Foram irradiados 5 conjuntos de fototransistor, cada qual
contendo 3 dispositivos, sendo 4 conjuntos irradiados na fonte de nêutrons dos quais 3 em
nêutrons rápidos e um em nêutrons térmicos e o último conjunto foi irradiado na fonte de 60Co.
Para perceber as mudanças na estrutura cristalina foi realizada a leitura da corrente de escuro
do dispositivo, com isso determinou-se curva (I×V) conhecida como curva característica, de
modo a verificar sua resposta quanto ao efeito da dose acumulada, suas propriedades ópticas e a
permanência deste efeito ao longo do tempo. Os resultados mostraram que há variação, em
função da dose, tanto no estado elétrico do dispositivo como em suas propriedades ópticas.
Verificou-se ainda que a sua resposta em função da dose é linear até 0,64 Gy, não perde
informação após ser irradiado, responde a dose acumulada no tempo, a sua sensibilidade
relativa é alterada quando exposto à luz visível durante a leitura, e os danos causados pelo
processo de irradiação são irreversíveis
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Dosimetria em tomografia computadorizada utilizando fototransistorMAGALHÃES, Cinthia Marques Sousa de January 2007 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T23:17:09Z (GMT). No. of bitstreams: 2
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Previous issue date: 2007 / O aumento do uso da tomografia computadorizada (CT) na prática médica e a dose
relativamente alta proporcionada ao paciente fazem da CT um forte contribuinte na dose
populacional em radiologia médica. Portanto, existe a necessidade de avaliar e otimizar as
doses de radiação em CT para os pacientes submetidos a essa técnica de radiodiagnóstico. A
dosimetria atual é baseada na medida da integral do perfil de dose para um único corte
utilizando uma câmara de ionização de 100 mm de extensão. Contudo, um sistema alternativo
tem sido sugerido através da utilização de detectores menores. Nesse trabalho, o fototransistor
OP520 foi proposto para avaliar a dose em raios-X de tomógrafo. Inicialmente, foi feita a
caracterização do fototransistor em laboratório e no hospital. Em seguida, o detector foi
utilizado no tomógrafo para avaliar o perfil de dose de um único corte no ar e num simulador
de cabeça. Essas medidas foram feitas transladando o fototransistor através do feixe,
utilizando múltiplas rotações da fonte e diferentes extensões de varredura. Os resultados da
caracterização do fototransistor mostraram que o dispositivo apresenta resposta similar a do
detector padrão para diferentes potenciais de tubo no experimento com o tomógrafo. As
respostas em função da dose e da taxa de dose apresentaram comportamento linear, com
coeficientes de determinação maiores que 0,95. A dependência angular foi expressiva nas
irradiações em laboratório, mas no tomógrafo essa dependência foi menor que 3%. Os
resultados das medidas do perfil de dose mostraram que o sensor pode ser utilizado para
determinar os detalhes da distribuição de dose de um único corte em CT. Ao utilizar uma
varredura de 100 mm de extensão, os perfis de dose obtidos com os fototransistores foram
comparados com indicadores convencionais de dose no paciente em CT obtidos com a câmara
de ionização: o índice de dose em tomografia computadorizada (CTDI) e o CTDI ponderado
(CTDIw). A partir daí, obtiveram-se fatores de conversão para converter a medida em nC para
dose em mGy e os indicadores puderam ser obtidos utilizando o fototransistor. Efetuando uma
varredura de 150 mm de extensão, ao invés dos 100 mm usual, foi observado que existe dose
além do comprimento da câmara de ionização em concordância com a opinião de alguns
autores de que a dosimetria atual pode deixar de ser adequada
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Caracterização de fototransistor NPN para espectrometria de raios - X diagnósticosREGO, Pablo Vieira January 2007 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T23:17:12Z (GMT). No. of bitstreams: 2
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Previous issue date: 2007 / Este trabalho apresenta um estudo inicial a respeito da utilização de fototransistores bipolares
de junção como dispositivo de medição de energias de fótons de raios-X na faixa de
diagnóstico. O fototransistor é analisado a partir da resposta da corrente de coletor em
função da corrente de base durante a irradiação do dispositivo com fótons de raios-X. O
mecanismo de detecção baseia-se no fato de que diferentes energias de fótons interagem
com o fototransistor a partir de diferentes ganhos de corrente de coletor. A resposta da
corrente de coletor em função da corrente de base durante a irradiação serve como dado de
entrada para calcular a distribuição de energias detectada pelo fototransistor, a partir de
um algoritmo que se baseia nesse mecanismo de detecção. Curvas de degradação também
são utilizadas nessa análise, no intuito de mostrar aspectos variacionais dos parâmetros
do fototransistor como semicondutor. Ainda são mostradas curvas de conformidade, em
que para uma mesma configuração, as leituras das medições devem ser repetidas ou apresentarem
flutuações mínimas. Como resultado do método, algumas curvas de distribuição
de energia de raios-X para filtração com alumínio e sem filtração adicional foram obtidas.
Essas distribuições obtidas se aproximaram razoavelmente de espectros de energia obtidos
para o germânio hiperpuro, o que demonstra a aplicabilidade do método, embora o
fototransistor apresente não-linearidades não compensadas na medição, o que contribuiu
com o breve distanciamento dos espectros de energia obtidos com o germânio
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Mätning av LCD-bildskärmars responstid och latens : Measurement of LCD displays response time and input lagMikkelsen, Markus, Svanfors, Gustav January 2013 (has links)
Examensarbetet har utförts i samarbete med företaget LVI (Low Vision International) som tillverkar elektroniska hjälpmedel för synskadade. LVI utvärderar vid jämna mellanrum nya LCD-bildskärmar för deras produkter. LVI behöver metoder samt utrustning för att mäta bildskärmars responstid och latens. Både responstiden och latensen ger fördröjningar vilket t.ex. leder till att bilden blir oskarp, rörliga föremål får en svans efter sig eller att lju- det kommer före bilden. I detta arbete utförs en grundlig förstudie som behandlar bild- skärmars responstid och latens samt ger ett underlag för att konstruera eller köpa mätut- rustning för responstidsmätningar. I förstudien framkommer den standardiserade mätmeto- den ”grey-to-grey” som LVI kan använda för att mäta responstiden. En mätkrets konstrue- ras för att mäta responstiden samt beställs en dedikerad enhet för latensmätning. För att ut- värdera mätmetoderna utförs ett antal tester med mätkretsen för responstid och den dedike- rade enheten för mätning av latens. Mätningarna visar senare att mätmetoden ”grey-to- grey” är den som LVI ska använda men metoden behöver vidareutvecklas. Den dedikerade enheten för latensmätningar visar sig mäta en del av responstiden och bör därför endast an- vändas som komplement till responstidsmätningen vid jämförelser mellan olika bildskär- mar. Arbetet levererar en förstudie i LCD-bildskärmars responstid och latens, en vidareut- vecklad version av ”grey-to-grey”-metoden, mätutrustning för responstidsmätning samt den dedikerade mätenheten för latens till företaget LVI. / The thesis was performed in collaboration with the company LVI (Low Vision Interna- tional) that manufactures electronic devices for the visually impaired. LVI evaluates new LCD displays for their products at regular intervals. LVI need methods and equipment for measuring response time and input lag. Both response time and input lag cause delays, which results in such things as image blur, ghosting after moving objects or a delay between sound and image. The preliminary study reveals the standardized method “grey- to-grey” that LVI can use to measure response time. A measurement circuit was constructed to measure response time and a dedicated unit for input lag measurement was ordered. To evaluate the measurement methods a number of tests were conducted with the response time circuit and the dedicated input lag unit. The measurements showed that the method LVI shall use is the "grey-to-grey” method but it needs further development. It turned out that the dedicated unit for input lag measured a portion of the response time and should therefore only be used as a complement to the response time measurement when comparing displays. The thesis delivers a preliminary study in LCD displays response times and input lag, a further developed version of the “grey-to-grey” method, measurement equipment for response time and a dedicated unit for input lag measurements to the company LVI.
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