Orientador: Zoraide P. Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T10:11:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tomiyama_Masahiro_M.pdf: 1311166 bytes, checksum: 4a15bbffae5c6ef97b42351329c3f995 (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Programa de Pós-Graduação em Ciências – Física de Materiais. Departamento de Física, Instituto de Ciências Exatas e Biológicas, Universidade Federal de Ouro Preto / Submitted by Maurílio Figueiredo (maurilioafigueiredo@yahoo.com.br) on 2016-02-16T13:38:36Z No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO_ CaracterizaçãoEstruturalMorfológica.pdf: 4240107 bytes, checksum: 169ffc8f5d71f2220e09f6345bd3aca5 (MD5) / Approved for entry into archive by Gracilene Carvalho (gracilene@sisbin.ufop.br) on 2016-02-19T13:00:37Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO_ CaracterizaçãoEstruturalMorfológica.pdf: 4240107 bytes, checksum: 169ffc8f5d71f2220e09f6345bd3aca5 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-02-19T13:00:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO_ CaracterizaçãoEstruturalMorfológica.pdf: 4240107 bytes, checksum: 169ffc8f5d71f2220e09f6345bd3aca5 (MD5) Previous issue date: 2015 / Sais da família de Tutton compreendem cristais com fórmula química geral M2M’(XO4)2.6H2O onde, M=K, NH4, Rb, Cs, Tl, M’= Mg, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Cd, V, Cr, X=S e Se. Neste trabalho amostras da série isomórfica (NH4)2NixCo(1-x)(SO4)2.6H2O foram crescidas e caracterizadas com variações das concentrações de níquel e cobalto. Este tipo de material tem sido estudado devido a suas propriedades físicas e químicas ainda não compreendidas e por apresentarem potenciais aplicações tecnológicas. Neste estudo serão apresentados resultados de crescimento de cristais com 0 < x < 1 e resultados de medidas de difração de raios X para mono e policristais, análise térmica (termogravimetria e calorimetria térmica diferencial), espectroscopia de absorção no ultravioleta/visível, espectroscopia Raman, espectrometria de emissão óptica por plasma acoplado indutivamente e espectroscopia no infravermelho com transformada de Fourier. Pelo método de crescimento utilizado, evaporação isotérmica, bons monocristais foram obtidos em todo intervalo de composição. A análise dos difratogramas de cristais pó indicou mudanças estruturais das amostras submetidas a tratamentos térmicos. Os estudos de TG/DTA realizados revelaram um rico processo de decomposição em temperaturas entre 1000C e 7000C. A espectroscopia Raman e no infravermelho permitiram a análise vibracional das amostras. Para a espectroscopia de absorção no UV-Vis foram obtidos bons espectros e a análise química por ICP-AES permitiu investigar a eficiência do método de crescimento utilizado. ________________________________________________________________________________ / Tutton salts family comprises crystals with the general chemical formula M'2M'(XO4)2.6H2O where M = K, NH4, Rb, Cs, Tl, M' = Mg, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Cd, V, Cr, X = S and Se. In this work, samples of the isomorphic series (NH4)2NixCo(1-x)(SO4)2.6H2O were grown and characterized with variations of nickel and cobalt concentrations. This type of material has been studied due to their physical and chemical properties not yet understood and present a potential technological application. In this study crystal growth results with 0 < x < 1 will be presented, and results of X-ray diffraction measurements for mono and polycrystals, thermal analysis (thermogravimetry and differential thermal calorimetry), absorption spectroscopy, ultraviolet / visible, Raman spectroscopy, inductively coupled plasma – Atomic emission spectroscopy and Fourier transform infrared spectroscopy. By the growth method, isothermal evaporation, good single crystals were obtained in whole composition range. The analysis of the X-ray powdered crystals indicates structural changes of the samples under thermical treatment. Studies of TG / DTA carried out revealed a rich process of decomposition at temperatures between 100ºC and 700ºC. The Raman and infrared spectroscopy allowed vibrational analysis of samples. For absorption spectroscopy in the UV-Vis spectra were obtained and good chemical analysis by ICP-AES possible to investigate the efficiency of the growth method

Orientadores: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho, Peter Junger Tatsch / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-22T10:10:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_ClovisEduardoMazzotti_D.pdf: 7886559 bytes, checksum: efdcd2c7c9d461eb80a2044176430ec6 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Foram crescidos tarugos monocristalinos de antimoneto de gálio (GaSb), de arseneto de gálio (GaAs) e de fosfeto de índio (InP) utilizando-se as técnicas Czochra1ski,para o GaSb, e Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), para os outros dois, tendo como objetivo o domíno e aperfeiçoamento das técnicas de crescimento e também a obtenção de lâminas monocristalinas destes materiais para serem utilizadas como substratos em epitaxia. Os tarugos monocristalinos de GaSb de 25mm de diâmetro foram crescidos na direção <100> com e sem dopagem intencional. Os cristais não dopados resultaram em tipo-p com concentrações de portadores entre 9,0 x '10 POT. 16 cm POT. -3¿ e 1,3 x ¿10 POT. 17 cm POT. ¿3¿. Os dopados (tipo-n) com telúrio (Te) apresentaram concentrações de portadores entre 4,3 x ¿10 POT. 17 cm POT. ¿3¿ e 3,8 x ¿10 POT. 18 cm POT. ¿3¿, de acordo com a quantidade de Te inicialmente acrescentada ao melt. A densidade de defeitos cristalinos (EPD) das amostras é da ordem de ¿10 POT. 3 cm POT. ¿2¿. O aperfeiçoamento introduzido à técnica de crescimento foi o pré-tratamento químico-térmico do gálio (Ga) e do antimônio (Sb) para contornar a formação de óxidos na superficie do melt durante o puxamento do cristal ¿ um problema típico da técnica de crescimento utilizada. Foi também desenvolvido um procedimento para a determinação das densidades de doadores e aceitadores para as amostras (tipo-n), levando-se em conta as duas bandas de condução envolvidas ('gama¿ e L). Os crescimentos de GaAs realizados neste trabalho tiveram como principal objetivo a calibração do sistema de crescimento LEC visando o posterior puxamento dos tarugos de InP. Os tarugos de GaAs foram crescidos na direção <100>, com diâmetro em torno de 25mm, não dopados intencionalmente. Foram cortadas lâminas destes tarugos as quais apresentaram características elétricas do (tipo-n), com 'n POT. H¿ em torno de 1,9 x 10 POT. 16 cm POT. ¿3¿ e EPD da ordem de ¿10 POT. 5 cm POT. ¿2¿. Monocristais de InP foram crescidos na direção <100> sem a adição de dopantes ((tipo-n)), dopados com enxofre (S) ((tipo-n)), dopados com zinco (Zn) (tipo-p) e dopados com ferro (Fe) (semi-isolantes). As lâminas não dopadas apresentaram ' n ANTPOT. H¿ entre 3,3 x 'l0 POT. 15 cm POT. ¿3¿ e 8,6 x 'l0 POT. 16 cm POT. ¿3¿,as do (tipo-n) apresentaram 'n ANTPOT. H¿ de 4,3 x 'l0 POT. 17 cm POT. ¿3¿ até 6,4 x ¿10 POT. 18 cm POT. ¿3¿, as do tipo-p apresentaram 'n ANTPOT. H¿ entre 2,9 x 10 POT. 17 cm-3e 5,1 x ¿10 POT. 18 cm POT. ¿3¿ e as semi-isolantes apresentaram resistividade de ' 1,0 x 'l0 POT. 7 'ômega¿ cm. O valor médio do EPD para estas lâminas foi da ordem de ¿10 POT. 4 cm POT. ¿2¿. A inovação proposta à técnica de crescimento utilizada foi o uso de cadinhos de um material alternativo ¿ o carbono vítreo / Doutorado / Eletronica e Comunicações / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Zoraide P. Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T17:15:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Landers_Richard_M.pdf: 6492769 bytes, checksum: ef5d530f44f4711e62940252ee010a3f (MD5) Previous issue date: 1974 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Sergio Gama / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-27T10:15:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_RenatodeAlmeida_M.pdf: 4945211 bytes, checksum: 6d495ffef614f50b814bfd9578360ed0 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Neste trabalho é apresentadao o estudo do crescimento de monocristais de fases de Laves Fe2TR (TR = terra rara). As altas expansões (contrações) magnetoestritivas apresentadas por estas fases as tornam potencialmente adequadas para aplicações em transdutores magnetomecânicos. Apesar disto, há pouca literatura sobre as condições para síntese de monocristais destas fases. O crescimento de monocristais de fases contendo metais terras raras apresentadas com principais dificuldades a alta volatilidade e reatividade destes metais. Além disso, a formação peritética de algumas destas fases torna mais difícil a obtenção de monocristais sem defeitos. Aqui, através da técnica Czochralski com aquecimento por indução de rádio - frequência, monocristais de boa qualidade são obtidos, utilizando baixas velocidades de puxamento. É apresentado também o desenvolvimento de um sensor optoeletrônico para realizar medidas magnetoestritivas das amostras preparadas, utilizando campos magnéticos de até 15 kOe / Abstract: In this work the study of the single crystal growth of Fe2R (R = rare earth) Laves phases is presented. The high magnetostrictive expansions (contractions) presented by these phases turn them potentially adequate for applications as magnetomechanical transducers. Despite this, there is little literature on the conditions for single crystal synthesis of these phases. The single crystal growth of phases containing rare earth metal presents as main difficulties the high vapor pressure and reactivity of these metals. Moreover, the peritectic formation of most of these phases presentes futher difficulty for the obtention of defect - free single crystals. Here, by using the Czochralski technique with radio - frequency induction heating, single crystals of good quality are obtained, using low pulling speeds. The development of an optoeletronic extensometer is also presented. It has been used to measure the magnetostrictive effect of the prepared samples, in magnetic fields of up to 15 kOe / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Zoraide P. Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T22:16:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sampaio_Horiclea_M.pdf: 1677332 bytes, checksum: 228e8e1dd0fe22cd465957e0be157494 (MD5) Previous issue date: 1976 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Sergio Moehlecke / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-20T02:46:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Barata_AntonioCarlos_M.pdf: 1593741 bytes, checksum: 08c85a0ad022fac07f52937c7d1c8e26 (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Foram medidas as constantes elásticas do Nb puro e após hidrogenação até 9.2% at, no intervalo de 300K a 77.3K. Uma análise mais precisa da teoria levou à conclusão que se deveriam usar valores diferentes para a constante relaxada de um cristal com defeitos e a constante de um cristal puro. É feita uma interpretação dos nossos resultados em função de um modelo que é consistente com os resultados de outros trabalhos. Concluímos que o efeito Snoek devido à presença do Hidrogênio na rede do Nióbio não é desprezível e corresponde a uma ocupação tetraedral. Esta conclusão ê baseada no fato de o tensor de deformação ter uma elipticidade relativamente pequena / Abstract: The elastic constants of pure and hydrogenated (up to 9.2 at %) Nb were measured in the range 300K - 77.3K .We made a analysis more precise of the theory. We conclude from this analysis that the values used for the relaxed constant and the constant of pure metal must be diferents. It is carried out a explanation of our results from a model that is compatible with the results of others works. We concluded that the Snoek effect, related to the H atoms in the Nb matrix, is not negligible and corresponds to a tetrahedral occupations. This, because the ellipticity of the deformation tensor is small / Mestrado / Física / Mestre em Física

Submitted by Stéfany Moreira (stemellra@yahoo.com.br) on 2013-03-08T14:10:19Z No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO_PreparaçãoCaracterizaçãoEstrutural.pdf: 1457382 bytes, checksum: 43d161e86f7cc4ff0e62b82aa63590dd (MD5) / Approved for entry into archive by Neide Nativa (neide@sisbin.ufop.br) on 2013-03-11T14:20:07Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO_PreparaçãoCaracterizaçãoEstrutural.pdf: 1457382 bytes, checksum: 43d161e86f7cc4ff0e62b82aa63590dd (MD5) / Made available in DSpace on 2013-03-11T14:20:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO_PreparaçãoCaracterizaçãoEstrutural.pdf: 1457382 bytes, checksum: 43d161e86f7cc4ff0e62b82aa63590dd (MD5) Previous issue date: 2009 / A preparação e a caracterização estrutural e elétrica de cristais mistos de K1-x(NH4)x H2PO4 (KADPx) crescidos pelo método de evaporação do solvente foi efetuada por meio das técnicas de análise termogravimétrica (TGA), difração de raios-x (DRX) e espectroscopia de impedância (IS) e discutidas com base nas características das espécies puras de KH2PO4 (KDP) e (NH4)H2PO4 (ADP). A técnica de espectrometria de emissão atômica com plasma acoplado indutivamente (ICP-AES) determinou as quantidades molares x = 0, 0,076, 0,118, 0,357, 0,857, 0,942 e 1,0 para os cristais mistos. Os cristais foram crescidos em solução aquosa a temperatura constante, e obtidas placas de cristais para as medidas elétricas com dimensões de aproximadamente (0,5 × 3,5 × 4,0) mm3 e com faces dominantes (100). Os resultados obtidos através das técnicas DRX (método do pó) e TGA sugeriram que os deslocamentos ou mudanças nos picos e nas curvas de TGA são dependentes da composição x nos cristais mistos de KADPx. Os dados das medidas de impedância complexa, da permissividade elétrica complexa e da condutividade (dc) foram realizados no intervalo de freqüência 1 Hz até 1 MHz e na região de temperatura de 20 ºC a 160 ºC. Foi observado que a condutividade dc das espécies aumenta com a temperatura seguindo a Lei de Arrhenius, com diferentes energias de ativação aparentes em diferentes intervalos de temperatura para o processo de condução na rede cristalina. Um modelo de circuito equivalente baseado na combinação de resistores e capacitores em paralelos foi desenvolvido para descrever o comportamento da impedância complexa obtida dos cristais. Os diferentes modos de condução elétrica atribuídos ao efeito de salto (hopping) dos prótons de hidrogênio entre as vacâncias nas ligações destes prótons foram estudados. Neste sentido, é proposto que podem ser criados defeitos adicionais devido à quebra de ligações de hidrogênio nos grupos amônio. A migração de íons mais pesados, como potássio e amônio, bem como moléculas de água das inclusões líquidas é sugerida a altas temperaturas. Nossos resultados sugerem que as amostras ricas em ADP são mais condutivas que as amostras ricas em KDP e que as amostras com composições x intermediárias são menos condutivas que as demais. __________________________________________________________________________________________ / ABSTRACT: The preparation and structural and electrical characterization of KH2PO4 (KDP), (NH4)H2PO4 (ADP) and K1-x(NH4)xH2PO4 (KADPx) mixed crystals grown by the method of solvent evaporation at 40 ºC and with x = 0, 0.076, 0.118, 0.357, 0.857, 0.942, 1.0 was carried out. Inductively Coupled Plasma – Atomic Emission Spectrometry (ICP-AES) was performed in order to determinate x for each mixed crystal. Plates with the dominant face of (100) were obtained and prepared to impedance measurements. Thermogravimetric analysis (TGA) and X-ray diffraction (XRD) measurements have been carried out on crystals in the temperature range of 30 ºC – 450 °C. Our results suggest that, in the decomposition process the shifts of starting weight loss in the TGA curves are dependent on x in mixed crystals. As compared with the TGA, the direct reflection of the exchange of constituent cations (NH4 + and K+), the lattice parameters, and cell volume of KADPx crystals, increase with the addition ammonium. This behavior concerning the matching of the exchange agrees with the results of investigations of the XRD results. The measured ac impedance data are analyzed as a function of frequency in the temperature range between 20 ºC and 160 °C. An equivalent circuit model based on two parallel G–C circuits was adopted to describe the complex impedance data obtained from the crystals. The conduction is attributed to the hopping of proton among hydrogen vacancies. Additional defects can be created by breaking the hydrogen bond in ammonium groups. Potassium and ammonium ions in the mixed crystals are suggested to have the contribution to the electrical conduction at high temperatures. The activation energies of migration were obtained in different temperature ranges. KADPx crystals are dielectric-type crystal that progresses to an ionic crystal one as the temperature is raised. At ADP-rich region the conductivity is higher than that of the KDP-rich region. In the intermediate compositions x the conductivity is lower than of the rich regions.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:25:33Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2012-06-18Bitstream added on 2014-06-13T19:32:45Z : No. of bitstreams: 1 silva_fg_me_ilha.pdf: 1536045 bytes, checksum: 5e52a7e90e9528b73306cfd4b593e9d3 (MD5) / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / Apresentamos os resultados de estudos de cristalização de possíveis crescimentos de cristais semicondutores de óxido de telúrio (CdTe) e óxido de bismuto (Bi2O3) no sistema de vidro 20WO3-80TeO2 (TW). Estes trabalho configura-se como um estagio anterior aos estudos de crescimentos de semicondutores em dimensões nanométricas(nanocristais “NCs”) em vidros teluritos. Com este objetivo foi sintetizada a amostra: dopadas com óxido de cadmio e óxido de bismuto, em diversas proporções em suas composições, e estas foram submetidas ou não a ambientes redutores. As amostras foram tratadas termicamente a diferentes temperaturas na região de transição vítrea (Tg ~ 350° C) e analisados utilizando as técnicas de DRX, DSC, FTIR e UV-Vis. Resultados de DRX mostram que acima do recozimento 400°C estimulou o crescimento de trigonal bipiramidal-estruturas conhecidas como α-TeO2 em ambas as amostras, e para as amostras TW dopadas com óxido de bismuto, o tratamento térmico induz a formação de cristais semicondutores de óxido de bismuto. Espectroscopia no infravermelho também mostrou a presença de estruturas Bi2O3. Absorção óptica UV-Vis indica que a presença de cádmio e bismuto em vidro TW sem serem submetidos a tratamento térmico não muda os valores de gap óptico, sendo que este corresponde a uma energia de ~2,8 eV / The present work shows the studies of possible crystallization growth of crystals oxide semiconductors of tellurium (CdTe) and bismuth oxide (Bi2O3) in the glass system 20WO3- 80TeO2 (TW). This work consists in the first steps of initial growth of semiconductors in nanometrics dimensions (nanocrystals “NCs”) in glasses teluritos. The sample was synthecized: doped with oxide of cadmium and bismuth oxide, in diverse ratios of its compositions, and these had been submitted or not it reducing enviroments. The samples had been thermally dealt with the different temperatures in the region glass transition (Tg ~ 350° C) and analyzed using the techniques of DRX, DSC, FTIR and UV-Vis. Results of DRX showed that up to the annealing 400°C it stimulated the trigonal growth known bipiramidal-structures as α-TeO2 in both the samples, and for samples TW (B), the thermal treatment induced the crystal formation bismuth oxide semiconductors. Spectroscopy in the infra-red ray also showed the presence of Bi2O3 structures in samples TW (B). Optic absorption UV-Vis indicated that the presence of cadmium and bismuth in glass TW without being submitted not dumb the thermal treatment the values of optic gap, being that this corresponds to an energy of ~2,8 eV

Orientador: Keizo Yukimitu / Banca: Ezequiel Costa Siqueira / Banca: Américo Sheitiro Tabata / Resumo: Apresentamos os resultados de estudos de cristalização de possíveis crescimentos de cristais semicondutores de óxido de telúrio (CdTe) e óxido de bismuto (Bi2O3) no sistema de vidro 20WO3-80TeO2 (TW). Estes trabalho configura-se como um estagio anterior aos estudos de crescimentos de semicondutores em dimensões nanométricas(nanocristais "NCs") em vidros teluritos. Com este objetivo foi sintetizada a amostra: dopadas com óxido de cadmio e óxido de bismuto, em diversas proporções em suas composições, e estas foram submetidas ou não a ambientes redutores. As amostras foram tratadas termicamente a diferentes temperaturas na região de transição vítrea (Tg ~ 350° C) e analisados utilizando as técnicas de DRX, DSC, FTIR e UV-Vis. Resultados de DRX mostram que acima do recozimento 400°C estimulou o crescimento de trigonal bipiramidal-estruturas conhecidas como α-TeO2 em ambas as amostras, e para as amostras TW dopadas com óxido de bismuto, o tratamento térmico induz a formação de cristais semicondutores de óxido de bismuto. Espectroscopia no infravermelho também mostrou a presença de estruturas Bi2O3. Absorção óptica UV-Vis indica que a presença de cádmio e bismuto em vidro TW sem serem submetidos a tratamento térmico não muda os valores de "gap" óptico, sendo que este corresponde a uma energia de ~2,8 eV / Abstract: The present work shows the studies of possible crystallization growth of crystals oxide semiconductors of tellurium (CdTe) and bismuth oxide (Bi2O3) in the glass system 20WO3- 80TeO2 (TW). This work consists in the first steps of initial growth of semiconductors in nanometrics dimensions (nanocrystals "NCs") in glasses teluritos. The sample was synthecized: doped with oxide of cadmium and bismuth oxide, in diverse ratios of its compositions, and these had been submitted or not it reducing enviroments. The samples had been thermally dealt with the different temperatures in the region glass transition (Tg ~ 350° C) and analyzed using the techniques of DRX, DSC, FTIR and UV-Vis. Results of DRX showed that up to the annealing 400°C it stimulated the trigonal growth known bipiramidal-structures as α-TeO2 in both the samples, and for samples TW (B), the thermal treatment induced the crystal formation bismuth oxide semiconductors. Spectroscopy in the infra-red ray also showed the presence of Bi2O3 structures in samples TW (B). Optic absorption UV-Vis indicated that the presence of cadmium and bismuth in glass TW without being submitted not dumb the thermal treatment the values of optic " gap", being that this corresponds to an energy of ~2,8 eV / Mestre