Orientadores: Rubens Caram Junior, Sergio Gama / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-23T15:57:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mota_MarilsaAparecida_M.pdf: 2948655 bytes, checksum: e2a5c838f65f3f962ba2cb717ae78092 (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Ligas eutéticas constituídas por fases intermetálicas, com alto ponto de fusão, apresentam-se promissoras para aplicação industrial como materiais estruturais. Um sistema com potencial para a obtenção desses materiais estruturais é aquele formado pelos elementos Fe, Al e Nb, que apresenta estrutura eutética formada pela fase (FeAl)2Nb embebida na solução sólida (FeAl). Dependendo das condições de solidificação, a estrutura eutética pode ser alterada significativamente, o que permite exercer o controle da microestrutura final, para a obtenção de compósitos in situ. No presente trabalho, inicialmente realizou-se a análise do diagrama de fases Fe-Al-Nb, com o objetivo de determinar o vale eutético (Fe) + Fe2Nb para adições de Al entre 20 e 50% at. Em seguida, a influência da taxa de crescimento na microestrutura de solidificação foi analisada através da técnica de solidificação direciona! com aquecimento indutivo em atmosfera de argônio. Através da caracterização por microscopia óptica e eletrônica, duração de raios-X e análise térmica diferencial, foram obtidas estruturas eutéticas para as composições, Fe67Al22,8Nb9,7, Fe49,7Al41,2Nb9,1 e Fe47Al45Nb8. Finalmente, através da utilização de ensaios de compressão e dureza, foram avaliadas algumas propriedades mecânicas das ligas solidificadas direcionalmente / Abstract: Eutectic alloys formed by high melting point intermetallics phases, as in the case of the system formed with Fe, Al and Nb elements are promising material to be used as structural materials. This system presents eutectic structures formed by (FeAl)2Nb phase surrounded by (FeAl) solid solution. Depending on solidification conditions the eutectic structures can be significantly changed. This fact allows one to control the final microstructure, which permits to obtain in situ composites. In this work, firstly the analysis of the Fe-Al-Nb phase diagram was carried out. The aim of this study was to determine the eutectic valley (Fe) + Fe2Nb with of AI content from 20 up to 50 at.%. Following that, the influence of growth rate was investigated using the directional solidification technique, with inductive heating and under argon atmosphere. The eutectic structures compositions, Fe67Al22,8Nb9,7, Fe49,7Al41,2Nb9,1 and Fe47Al45Nb8, were determined using optical and scanning electron microscopy, x-ray diffraction and thermal analysis. Finally in order to evaluated the mechanical behavior of these eutectics, compression and microhardness tests of directionally solidified samples were performed / Mestrado / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Rubens Caram Junior / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-23T16:34:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zanotello_Marcelo_M.pdf: 5541991 bytes, checksum: da186b3658beeda8b47829f1746ec705 (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: o crescimento direcional da liga eutética Sn-Se permite obter estruturas orientadas dos compostos SnSe e SnSe2, arranjados na forma de lamelas e com características semicondutoras do tipo p e n, respectivamente. A microestrutura de solidificação de ligas eutéticas é profundamente dependente da distribuição de soluto junto ao líquido interfacial e conseqüentemente, do nível de superesfriamento da interface sólido/líquido. No presente trabalho, a liga Sn-Se, correspondente à composição eutética, foi investigada através da técnica de análise térmica diferencial e por meio de experimentos de solidificação direcional em um equipamento Bridgman-Stockbarger. O objetivo dos experimentos foi examinar o efeito das condições de crescimento no superesfriamento da interface durante a transformação eutética e na microestrutura de solidificação. Os resultados obtidos permitiram a proposição de relações entre taxa de crescimento, temperatura eutética de crescimento e espaçamentos lamelares / Abstract: The Sn-Se eutectic solidification allows one to obtain a lamellar structure, formed by SnSe and SnSe2 compounds, which are p and n semiconducting types, respectively. The SnSe-SnSe2 eutectic composite is a promising material to be used in photovoltaic device manufacturing. In this work, the Sn-Se alloy corresponding to eutectic composition was studied by using DSC thermal analysis and directional solidification at several growth rates in a vertical Bridgman-Stockbarger unit. The objective of the experiments was to investigate the influence of the growth rate on the growth undercooling, as well as on the eutectic microstructure. The microstructure analysis .showed that a very regular and aligned structure formed by the SnSe and SnSe2solid phases can be produced. The results obtained led to the evaluation of a relationship among growth rates, eutectic growth temperature and lamellar spacing / Mestrado / Materiais e Processos de Fabricação / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Monica Alonso Cotta / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-01T05:25:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gutierrez_HumbertoRodriguez_D.pdf: 10276746 bytes, checksum: 71200a2d80b8e0bdc073f47ae11ed7f8 (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: Neste trabalho abordamos temas relacionados com dois métodos de obtenção de nanoestruturas semicondutoras crescidas epitaxialmente. Todas as amostras foram crescidas usando um sistema de Epitaxia por Feixe Químico (CBE). De forma geral as amostras foram caracterizadas usando Microscopia Eletrônica de Transmissão de Alta Resolução (HRTEM), Microscopia de Força Atômica (AFM) e Difração de Elétrons de Alta Energia (RHEED). Na primeira parte deste trabalho estudamos as mudanças na morfologia e no modo de crescimento de filmes homoepitaxiais de InP/InP quando estes são crescidos em regiões de área muito pequena. Neste sentido, estudamos as propriedades de escala dos filmes crescidos mediante o cálculo das funções de correlação da diferença das alturas e do produto das alturas. Mostramos que as mudanças observadas tanto no expoente de rugosidade como no comprimento de correlação paralelo à superfície - que sugerem mudanças no modo de crescimento - estão diretamente relacionadas com o tamanho da área em que ocorre o crescimento. Por outro lado, na segunda parte desta tese concentramos nossa atenção no estudo de nanoestruturas autoformadas em sistemas tensionados. Neste caso caracterizamos a transição de formas de fios para pontos quânticos de InAs crescidos em substratos de InP. Realizamos um estudo sobre a influência de diferentes parâmetros tais como taxa de crescimento, quantidade de material depositado, tipos de substratos (vicinais ou não) e morfologia da superfície na formação dos nanofios de InAs. Nossos resultados sugerem que os nanofios de InAs são formas metaestáveis que se originam por uma difusão anisotrópica na camada buffer de InP durante a deposição da primeira monocamada de InAs. Estes evoluem para uma forma mais estável (ilhas) durante o recozimento das amostras. Os mecanismos que originam esta transição são discutidos usando um modelo dinâmico existente na literatura. Um estudo in situ foi realizado com o RHEED sobre a formação e evolução temporal das facetas cristalinas que aparecem nestas nanoestruturas. Estes resultados também são discutidos usando o mesmo modelo dinâmico. Na última parte deste trabalho discutimos ainda alguns aspectos relacionados com a organização vertical destas nanoestruturas quando elas são crescidas em sistemas de multicamadas InAs/InP / Abstract: In this work we discuss issues related to two different methods to obtain epitaxially grown semiconductor nanostructures. The samples were grown by Chemical Beam Epitaxy (CBE) and characterized by High Resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM), Atomic Force Microscopy (AFM) and Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED). In the first part of this work, we studied the changes in the morphology and growth mode of homoepitaxial InP/InP films due to a reduction in the growing area size. Scaling properties of the grown films were obtained by analyzing the behavior of the height-height correlation function and the height product correlation function. We show here that both the roughness exponent and the correlation length parallel to the surface change depending on the size of the area in which growth takes place. The second part of this thesis focused on the study of self-assembled nanostructures obtained in strained heteroepitaxial systems. In this case, we characterized the shape transition from quantum wires to quantum dots of InAs grown on InP substrates. We studied the influence of different parameters such as growth rate, growth time, substrate type (nominal or vicinal) and initial surface morphology on the formation of the InAs quantum wires. Our results suggest that the quantum wires are a metastable shape originated by the anisotropic diffusion over the InP buffer layer during the deposition of the first InAs monolayer. The wires evolve to a more stable shape (dot) during the sample annealing. The mechanisms originating this transition are discussed using a dynamic model existing in literature. We have also made an in-situ study by RHEED of the facets formation and evolution during the self-assembling process. These results are discussed within the same dynamic model. Finally we discuss the vertical organization of these nanostructures when multi-layered InAs/InP systems are grown / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Kamal A. R. Ismail / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-25T04:22:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Radwan_MusaMohamed._D.pdf: 6267074 bytes, checksum: cedcc58662b2b3ebfd9f7033496e765c (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Neste estudo foi investigado numericamente a taxa de formação e o crescimento dos cristais de gelo num filme laminar descendente ao longo de uma placa vertical fria. A energia consumida na mudança de fase foi incluída na equação da energia na forma de termo fonte. Este estudo foi realizado em três etapas: na primeira etapa foi elaborado um modelo simplificado que considera um filme descendente de propriedades termofisicas constantes e assim foi estudado a hidrodinâmica e troca de calor. No segundo estudo foi considerado a condição axial e investigada a influência sobre os parâmetros hidrodinâmicos e térmicos. Na terceira e última etapa foi elaborado um modelo generalizado que considera propriedades termofisicas variáveis, considerando os efeitos do campo de escoamento, resolvendo-se as equações de Navier-Stokes para prever os efeitos hidrodinâmicos tais como espessura do filme, velocidade na superficie e a taxa do vazão sobre a concentração e o comportamento dos cristais de gelo. As equações governantes de massa, momento, energia e das fases foram resolvidas numericamente usando o esquema de diferenças finitas baseado no método do volume de controle. Os resultados mostram que o crescimento dos cristais é dominado pelo número de Reynolds e pelo o número de Stefan. O aumento do número de Reynolds resulta na redução da concentração dos cristais de gelo, por outro lado, a concentração dos cristais aumenta com o aumento do número de Stefan. Os cálculos o número de Nusselt local indicam que a presença dos cristais provoca aumento no coeficiente de troca de calor por cerca de 12% em relação ao caso de fase única / Abstract: In this work the rate of ice crystals growth in laminar free falling film over a cooled vertical plate has been investigated numerically. The phase change energy was included in the energy equation as a source term. These investigations are based on the variable properties model, and taking full account ofthe flow field effects, by solving the Navier-Stokes equations to predict the hydrodynamic effects such as film thickness , surface velocity, and the flow rate on the behavior of ice crystal concentration. The governing equations of mass, momentum, energy, and ice crystal species were solved numerically using the finite difference- based control volume method. It was determined that the growth of ice crystals in laminar free falling film is governed by two dimensionless parameters, namely Reynolds and Stefan numbers, increasing Reynolds number results in decreasing ice crystal concentration, on the other hand the concentration of ice crystals was found to increase as Stefan number increased. Calculations of the local Nusselt number have indicated that the presence of ice crystals can enhance the heat transfer coefficient by almost 12% compared to a single phase fluid / Doutorado / Termica e Fluidos / Doutor em Engenharia Mecânica

Orientador: Boyan Mutaftschiev / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T21:18:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Landers_Richard_D.pdf: 6135521 bytes, checksum: 8945aaf94e8e0682302e32526a95880e (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: A validade do "método da bolha" é discutido quanto à sua aplicabilidade em medidas do ângulo de contato entre um cristal e seu próprio banho fundido bem como para a observação da morfologia da interface de crescimento em cristais halogenetos alcalinos puxador do "melt". A energia livre interfacial é determinada a partir dos ângulos de contato para cristais de KCl, NaCl e ligas destes dois sais. A observação das Interfaces de crescimento de KCl puro, usando microscopia eletrônica e decoração com ouro mostrou que o "melt" pode ser completamente retirado de superfícies {100}. Crescimento ocorre por nucleação bidimensional e espalhamento de frentes de crescimento. As interfaces são sempre limitadas por superfícies {100}. Observou-se que cristais mistos de KCl e NaCl apresentavam interfaces mais rugosas do que as dos sais puros. Em alguns casos cristalitas com facetas {110} {111} e {11l} apareciam na interface. Crescimento a partir de deslocações "screw" e o mecanismo de espiral não foi detectado em cristais puros e não desempenha papel preponderante mesmo em cristais mistos onde algumas deslocações "screw" foram observadas emergindo na Interface / Abstract: The validity of the "bubble method" is discussed for the measurements of contact angles between a crystal and its own melt and for the observation of the microscopic morphology of growth interfaces for alkali halide crystals grown from the melt. Values of specific free energy of the crystal melt interface, gSL, are calculated from measurements of contact angles for KCI , NaCl and alloys of these salts. Observation of growth interfaces of pure KCI crystals, using electron microscopy and gold decoration, show that the melt can be completely removed from {100} surfaces. Growth occurs by two dimensional nucleation and by speading of monoatomic or biatomic growth fronts. Interfaces are always limited by {100} surfaces. Mixed crystals of KCI and NaCI tended to have rougher interfaces. In some cases, crystallites with {110}, {111} and {11l} facets appeared at the interface. Dislocation induced spiral growth was not detected at the interfaces of pure crystals and does not play a preponderant role even in mixed crystals where some screw dislocations could be observed immerging at the interface / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Zoraide P. Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T22:33:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moraes_JoaoCarlosSilos_M.pdf: 22587275 bytes, checksum: a8c2e85021cc6bcc26d1474bc93307a5 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: O presente trabalho desenvolve todo procedimento a ser seguido para a confecção de espelhos para laser de CO2 de baixa potência. O material utilizado como substrato é o Germânio. Os filmes finos evaporados neste substrato para obtenção das propriedades óticas (Reflexão e Transmissão) imposta pelo Laser projetado foram Sulfeto de Zinco (dielétrico) e Alumínio (metálico). Na parte de orientação de monocristais é desenvolvido uma técnica de agilização do método de Laue de retrocesso, através da utilização de microcomputador / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Programa de Pós-Graduação em Engenharia de Materiais. Rede Temática em Engenharia de Materiais, Pró-Reitoria de Pesquisa e Pós-Graduação, Universidade Federal de Ouro Preto. / Submitted by Oliveira Flávia (flavia@sisbin.ufop.br) on 2015-10-19T19:57:03Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 22190 bytes, checksum: 19e8a2b57ef43c09f4d7071d2153c97d (MD5) DISSERTAÇÃO_CaracterizaçãoCristaisMistos.pdf: 5236470 bytes, checksum: a7596819392f0e06dbde0256deef1c04 (MD5) / Approved for entry into archive by Gracilene Carvalho (gracilene@sisbin.ufop.br) on 2015-10-26T11:49:52Z (GMT) No. of bitstreams: 2 license_rdf: 22190 bytes, checksum: 19e8a2b57ef43c09f4d7071d2153c97d (MD5) DISSERTAÇÃO_CaracterizaçãoCristaisMistos.pdf: 5236470 bytes, checksum: a7596819392f0e06dbde0256deef1c04 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-10-26T11:49:53Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 22190 bytes, checksum: 19e8a2b57ef43c09f4d7071d2153c97d (MD5) DISSERTAÇÃO_CaracterizaçãoCristaisMistos.pdf: 5236470 bytes, checksum: a7596819392f0e06dbde0256deef1c04 (MD5) Previous issue date: 2015

Made available in DSpace on 2016-06-02T19:11:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissEJHL.pdf: 5038294 bytes, checksum: 270d3dd97e29089e77d2400100360491 (MD5) Previous issue date: 2004-09-23 / Universidade Federal de Minas Gerais / A novel chemical route was use to obtain colloidal suspensions of SnO2 nanoparticles. The synthesis is based on the hydrolysis reaction of tin chloride (II), and allows the preparation of nanocrystals at room temperature. The growth behavior of the dispersed nanoparticles was studied in order to elucidate the mechanisms involved. For this purpose, the superficial properties of the nanoparticles were modified by adding the surfactant tetra-butyl ammonium hydroxide and by modifying the pH of the suspensions, which promotes variations in the surface charge and consequently in the agglomeration state. These samples were studied by transmission electron microscopy, and their optical properties were analyzed. The results indicate that the oriented attachment mechanism is significant even at room temperature. Hydrothermal treatments were applied over the suspensions, for further investigations in the growth behavior. The suspensions were also dilluted in alcohol and submitted to hydrothermal treatments, in order to verify if growth mechanism is inhbited. The results show that the Ostwald ripening process is not significant for tin oxide, due to its low solubility in the solvent. Therefore, it can be concluded that the oriented attachment mechanism is the dominant growth process for this material. The dilluted samples and those that were hydrothermally-annealed at lower temperatures presented lower growth rates. This result can be ascibed to the fact that oriented attachments occur when particles collide with a similar crystallographic orientation and, considering that the Brownian motion determines the particle velocity in suspension, the collision frequency increases with temperature and particle concentration. Finally, the photoluminescent properties of the SnO2 nanocrystals were characterized. The effective mass model was used to investigate the quantum confinement effects in the nanoparticles. The results are strong indicatives that the photoluminescence in the SnO2 nanocrystals is due to the radiative decay of free excitons. / Suspensões coloidais de nanopartículas de SnO2 foram preparadas a partir de uma nova rota química. A síntese baseia-se na reação de hidrólise do cloreto de estanho (II), o que permite a obtenção de nanopartículas à temperatura ambiente. O crescimento das nanopartículas em suspensão foi estudado para elucidar os mecanismos de crescimento. Para tal, as propriedades superficiais das nanopartículas foram modificadas pela adição do surfactante tetra-butil hidróxido de amônia e pela variação do pH da suspensão, o que modifica as cargas superficiais e conseqüentemente o estado de aglomeração dos cristais. Estas amostras foram estudadas por meio de suas propriedades ópticas e por microscopia eletrônica de transmissão. Os resultados indicaram que o mecanismo de coalescência orientada é importante mesmo à temperatura ambiente. Um estudo de crescimento mais sistemático foi realizado pela aplicação de tratamentos hidrotermais às suspensões preparadas. Suspensões diluídas em álcool também foram estudadas por meio de tratamentos hidrotermais, para verificar se o processo de coalescência é inibido. Os resultados indicam que o crescimento por maturação de Ostwald não ocorre para o SnO2 devido à baixa solubilidade deste composto no solvente. Assim, o mecanismo de coalescência orientada é, de fato, o processo de crescimento dominante para o óxido de estanho. As amostras tratadas em menores temperaturas ou maiores diluições apresentaram um crescimento menos acelerado. Estes resultados podem ser compreendidos se for considerado que as nanopartículas crescem por coalescência quando chocam em orientações similares, sendo que a velocidade das partículas é devido ao movimento Browniano das mesmas. Por último, as propriedades fotoluminescentes das nanopartículas foram estudadas. O modelo das massas efetivas foi utilizado para estudar o efeito de confinamento quântico nessas partículas. Foi possível concluir que o processo de fotoluminescência das nanopartículas de SnO2 ocorre pelo decaimento radiativo de éxcitons livres.

Orientador: Rubens Caram Junior / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-21T23:38:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Trevisan_EduardoAntonioOliveira_M.pdf: 4842185 bytes, checksum: d3e017390fedbd2e544f109a4872170f (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: A fabricação de dispositivos para utilização em altas temperaturas requer o uso de materiais que exibam e mantenham características fisicas, mecânicas e químicas em níveis aceitáveis, mesmo em temperaturas acima de 1000°C. Uma alternativa promissora para resolução de tal problema é o emprego de ligas eutéticas solidificadasdirecionalmente, o que permite a preparação de materiais compósitos in situ. No presente trabalho, ligas dos sistemas Nb-Al-Ti e Nb-Al-Cr foram investigadas. Inicialmente, composições desses sistemas foram analisadas em relação à microestrutura de solidificação, através de técnicas metalográficas e de análisetérmica com o objetivo de identificar composições associadas a estruturas eutéticas. Em seguida, as ligas eutéticas obtidas foram solidificadasdirecionalmente através da técnica Bridgman em fomos de aquecimento indutivo. Finalmente, as amostras processadas foram caracterizadas no tocante à microestrutura, ao comportamento mecânico, em testes de compressão a quente e de dureza, e à resistência à oxidação. Os resultados obtidos indicam que ligas do sistemas investigados podem ser empregados na preparação de materiais compósitos para uso em temperaturas elevadas / Abstract: The use of directionally solidified eutectic alloys represents an interesting option in producing components and equipments to be used at high temperatures, even beyond 1000°C. A potentially promising system for the manufacture of structural materiais is the eutectic based on the Al-Nb system, which involves the AlNb2 e Al3Nb phases. The main goal of this investigation was the study of eutectic and near eutectic composition alloys solidification microstructures. The work consisted of experiments on the preparation and directional growth of these alloys. Following that. the obtained samples microstructures were characterized as a . function of solidification conditions. This characterization procedure was performed by using optical and scanning electronic microscopies, as well as x-ray diffaction technique to examine the crystal structures, and, finally, EDS technique, to determine composition along the samples.The results obtained allows one to understand the solidification behavior presented by the Al-Nb alloys and the influence ofthe growth rate on the solidified microstructure / Mestrado / Materiais e Processos de Fabricação / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Cesar Jose Bonjuani Pagan / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-23T14:46:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 NavarrodaCruz_DaniellaMariaFlorenzano_M.pdf: 6111367 bytes, checksum: 020f8faa113a083679dea2f3b1086b0a (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: O emprego de filmes de diamante em dispositivos semicondutores promete um avanço tecnológico significativo na Industria de Eletrônica. Sua combinação única de propriedades, que supera a dos semicondutores utilizados atualmente, possibilita uma maior integração e velocidade de operação em circuitos feitos desse material. Nosso plano de trabalho consiste no crescimento de um monocristal de diamante depositado em um substrato de outro material. Forma mais útil do diamante na área de eletrônica. Para tal, propomos um método híbrido empregando, simultaneamente, filamento quente e laser. O filamento-quente responsável pela dissociação das espécies gasosas produz hidrogênio atômico e radicais precursores do diamante. O laser, utilizando para o aquecimento do substrato, favorece o crescimento do cristal em um área limitado por temperatura. No método proposto, o feixe laser passa por uma óptica de focalização de forma a atingir o substrato com um diâmetro de alguns micro ¿ correspondente aproximadamente ao diâmetro de um núcleo de diamante. O reator foi projetado de maneira a permitir a entrada da radiação laser sem a necessidade de um sistema óptico complexo. Para manter a temperatura necessária ao crescimento do cristal apenas na região de interesse o porta substrato foi confeccionado de material bom condutor térmico cujo interior passa um fluxo de água que transporta o calor para fora do sistema ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: The use of diamond films for semiconductor devices promises a technological advance in Electronic Industry. It¿s unique combination of properties which overcome that of those semiconductors used nowadays allows a better integration and seed operation in circuits of this particular material. The subject of our Theses is about the growth of a single-crystal diamond on a non diamond substrate, the most useful form of diamond for the electronic field. Thus, we have proposed a hybrid method using, simultaneously, hot-filament and laser. The role of the hot-filament in to dissociate the inlet gas mixture. As a result, atomic hydrogen and diamond precursors radical, are found. A laser is used to heat the substrate, helping the crystal growth in a temperature limited area. For the proposed method, the laser beam passes though an optical system, focusing the substrate within an area of 5 to 10 microns in diameter, which is similar to a diamond nucleus. The chamber has been developed in order to permit the radiation inlet with no need of a complex optical system. To keep the desire temperature for the crystal growth, at the corresponding area, the sample mount has been made of a good heat conductor which allows a water flow into its interior, taking the heat away. So, it provides a temperature gradient, causing the desired effect ... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica