Chez Schizosaccharomyces pombe, le cycle méiotique est le mode de division cellulaire spécialisé qui permet la formation d’ascospores résistantes à différents stress lorsque les conditions environnementales ne sont pas propices à la multiplication cellulaire. Lors de mes travaux de thèse, mes objectifs consistaient à caractériser le rôle et le mécanisme d’action de la protéine Cuf2 lors du cycle méiotique chez S. pombe. Mes résultats ont montré que le gène cuf2[indice supérieur +] était exprimé exclusivement lors des divisions méiotiques et que la protéine se co-localisait de manière constitutive avec le matériel génétique. De plus, mes résultats ont dévoilé que Cuf2 participait à l’activation et à la répression de plusieurs gènes méiotiques selon un mécanisme de nature transcriptionnelle en s’associant spécifiquement avec leur région promotrice. Par la suite, mes résultats ont mis en évidence que Cuf2 interagissait physiquement avec Mei4, un facteur de transcription méiose-spécifique, au noyau des cellules méiotiques. Notamment, mes résultats ont montré que la présence de Mei4 et de son motif de liaison à l’ADN dénommé FLEX étaient nécessaires afin que Cuf2 puisse s’associer au promoteur de son gène cible fzr1[indice supérieur +] afin d’en activer l’expression. L’ensemble de mes résultats indiquent que Cuf2 et Mei4 interagissent aux promoteurs de certains gènes lors des divisions méiotiques afin d’en co-activer l’expression. D’ailleurs, mes résultats ont également montré que la fonction de Cuf2 était importante à la formation d’ascospores et à leur viabilité ; en absence de Cuf2, la majorité des ascospores présentent diverses aberrations et plus de la moitié d’entre elles sont non-viables. Globalement, mes résultats démontrent que Cuf2 est un régulateur critique de l’expression génique lors du cycle méiotique et que cette fonction est essentielle à la sporulation chez S. pombe.

In this work new novel cathode materials such as transition-metal sulfides, chlorides or fluorides were investigated and studied for their use in lithium ion thermal batteries. All cathodes were synthesized by a solid state reaction in sealed quartz tubes with a duration of firing for 1 week at high temperatures ( > 500 °C). All structures of compounds were probed by powder X-ray diffraction and the morphology and shape of crystallites of cathodes were characterized by scanning electron microscopy. The electrochemical properties of the batteries were investigated by galvanostatic discharge and galvanostatic intermittent titration technique at high temperatures (> 400 °C). All the batteries used as an anode Li₁₃Si₄, as an electrolyte LiCl-KCl eutectic and as separator MgO. All the products of the discharge mechanism were confirmed using powder X-ray diffraction and EDX analysis. CoNi₂S₄ and NiCo₂S₄ exhibit two voltage plateaux vs Li₁₃Si₄ at 500 °C, one at around 1.75 V and the second at 1.50 V. Capacities of 350 and 290 mA h g⁻¹ were achieved, respectively. NiS, Co₃S₄ and Co₉S₈ were confirmed as the products of discharge mechanism. ZrS₃ exhibits a single flat voltage plateau of 1.70 V at a current density of 11 mA/cm² and a capacity of 357 mA h g⁻¹, at 500 °C was obtained. A new material, LiZr₂S₄, was identified as the product of the electrochemical process, which can be indexed to a = 10.452(8) Å cubic unit cell. KNiCl₃ was tested at different current densities from 15 mA/cm² to 75 mA/cm² and a high cell voltage, with a capacity of 262 mA h g⁻¹ was achieved at 425 °C. Ni metal, KCl and LiCl were confirmed as the products of the discharge mechanism. Li₂MnCl₄ was tested at the same current densities as KNiCl₃ at 400 °C and a capacity of 254 mA h g⁻¹ was achieved. Mn metal and LiCl were confirmed as the products after discharge. Li₆VCl₈ has a capacity of 145 mA h g⁻¹ and a flat voltage plateau of 1.80 V at 500 °C. NiCl₂ has also a capacity of 360 mA h g⁻¹ and a high voltage profile of 2.25 V at 500 °C. CoCl₂ exhibits a lower capacity of 332 mA h g⁻¹ and lower voltage profile compared to NiCl₂ at 500 °C. CuF₂ and PbF₂ were tested at 500 °C. PbF₂ exhibits a single flat voltage plateau of 1.25 V and a capacity of 260 mA h g⁻¹ was obtained. CuF₂ has a high voltage profile but a voltage plateau could not be obtained.