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Ca1-xSrxSnO3 (x = 0; 0,25; 0,50; 0,75 e 1): filmes obtidos por métodos físicos e químicos e pós obtidos pelo método dos precursores poliméricos / Ca1-xSrxSnO3: films obtained by PLD and CSD and powders by polymeric precursor method

Alves, Mary Cristina Ferreira 06 May 2011 (has links)
Made available in DSpace on 2015-05-14T13:21:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 arquivototal.pdf: 3029622 bytes, checksum: 0bf749150147c0f69a86aa470304e203 (MD5) Previous issue date: 2011-05-06 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / SrSnO3 and CaSnO3 present orthorhombic perovskite structure, due the distortions and inclination among octahedra. The distortions favor the obtainment of materials with dielectric and semiconductive properties, leading to many applications in the technological area. In this work SrSnO3 powders were obtained by the polymeric precursor method and thin films based on Ca1-xSrxSnO3were obtained by the PLD (pulsed laser deposition) and CSD (chemical solution deposition) methods. Epitaxial films with high crystalline quality were obtained on SrTiO3 (100) substrates while textured and polycrystalline films were obtained on sapphire and silica. The PLD physical method led to films with higher epitaxy degree comparing to CSD, but with a higher short range disorder. An important point was the possibility of variation of short and long range order of powders and thin films as well as of film morphology, from variation of synthesis conditions as temperature, substrate and composition. / SrSnO3 e CaSnO3 apresentam estrutura perovskita ortorrômbica, proveniente das distorção e inclinações de seus octaedros. Estas distorções favorecem a obtenção de materiais com propriedades dielétricas e semicondutoras, levando a inúmeras aplicações no setor tecnológico. Neste trabalho, pós de SrSnO3 foram obtidos pelo método dos precursores poliméricos e filmes finos no sistema Ca1-xSrxSnO3 pelos métodos PLD (do inglês, pulsed laser deposition) e CSD (do inglês, chemical solution deposition). Filmes epitaxiais com elevada qualidade cristalina foram obtidos em substrato de SrTiO3 (100) e filmes com crescimento texturizados e policristalinos foram obtidos em substrato de safira e sílica. Foi possível observar que o método físico PLD produziu filmes com maior grau de epitaxia em comparação ao CSD, no entanto, apresentaram maior desordem a curto alcance. Um ponto importante é que, a partir da variação das condições como temperatura, substrato e composição é possível variar a ordem a curto alcance e longo alcance em pós e filmes finos, bem como nas características morfológicas dos filmes.

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