Des conducteurs mono- et multi-filamentaires de MgB2 dans une gaine de Nb/Cu ont été élaborés par la technique PIT (powder in tube) avec des dopages de carbone et de TiC. Les résultats montrent qu'il y a une couche de diffusion non supraconductrice à l'interface entre le Nb et MgB2 pour les échantillons traités à haute température, couche qui empêche la pénétration du courant dans le conducteur. Les traitements thermiques doivent être inférieurs à 750°C. Les effets des dopages au carbone amorphe et au TiC ont été étudiés par XRD,MEB et aimantation. La substitution du bore par du carbone diminue légèrement la Tc mais augmente la piégeage des vortex, conduisant à un optimum du courant critique. Des multi-filaments de 6, 12 et 36 filaments sans dopage ont été élaborés par la technique PIT. Les propriétés mécaniques de ces conducteurs ont été renforcées en utilisant un filament central en Nb. L'assemblage MgB2/Nb/Cu est très adapté pour obtenir de grandes longueurs de conducteurs par la méthode PIT. / The mono-filamentary and multi-filamentary MgB2 wires sheathed with Nb/Cu composite tube were fabricated by in-situ powder-in-tube (PIT) technique with the carbon and TiC doping. The results show that there is a diffusion layer at the interfacial region between the Nb sheath and MgB2, which is non-superconducting phase for the sample heat-treated at high temperature, and this diffusion layer obstructs the current transmission at high heat-treatment temperatures and the best heat-treatment temperature for the MgB2 wires with Nb as the barrier layer should be lower than 750°C. Effects of amorphous carbon and TiC doped MgB2 wires were investigated by XRD, SEM and magnetization. The results show that substitution of B for C enhances the flux pinning but depresses Tc slightly. By controlling the processing parameters, an optimized Jc(H) performance is achieved under a partial amorphous C substitution. The Cu-clad 6-, 12-, and 36-filamentary MgB2 wires with Nb buffer layer also have been fabricated by the in-situ PIT method. To improve the strength of wires, the Nb-core was used as the central filament. The results show that the in-situ PIT technique can be used to produce the certain long length MgB2/Nb/Cu wires. The superconducting filaments of MgB2/Nb/Cu composite tubes have well workability suitable for the MgB2 wires long length and multi-filament.

Pour les futures applications en télécommunications 5G, des substrats à base de silicium présentant une faible perte de signal et une excellente linéarité sont nécessaires. Parmi les solutions envisagées, la technologie RF-SOI est la plus avancée. Son empilement contient une couche de Haute Résistivité (HR), riche en pièges pour les porteurs de charges, composée de silicium polycristallin (poly-Si) de haute pureté déposée sur l’oxyde natif d'un substrat HR (HR-Si). Ce système présente certaines limitations provenant essentiellement de l'interface HR-Si/SiO2 et de sa stabilité thermique, mais également de la résistivité insuffisante de la couche riche en pièges. L'objectif principal de cette thèse était d'explorer des approches innovantes pour résoudre ces difficultés tout en restant compatible avec la technologie silicium. Afin d’atteindre ces objectifs, du carbone a été ajouté dans le système au cours des différentes étapes d'élaboration: i) remplacement de la couche interfaciale de SiO2 par une couche mince de 3C-SiC et ii) ajout de carbone pendant le dépôt de poly-Si.En utilisant la technique de dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique, des couches HR de poly-Si à l'état de l'art ont été déposée sur oxyde natif avec une épaisseur pouvant aller jusqu'à quelques dizaines de µm. Les résultats ont montré que la résistivité de la couche de poly-Si n'était pas directement dépendante de la taille moyenne des grains. Le remplacement de l'oxyde interfacial par une couche mince de mono- ou de poly-SiC, ainsi que l'adaptation des conditions de croissance ont permis d'atteindre des propriétés équivalentes à l'état de l'art des couches HR de poly-Si. Cet empilement a l'avantage d'être plus stable thermiquement en évitant la dissolution de la couche interfaciale. Cependant, ces améliorations sont accompagnées d’une chute de la résistivité à l’interface attribuée à la conductivité importante du matériau SiC. Par ailleurs, les propriétés de la couche HR et sa stabilité thermique peuvent être améliorées en dopant le poly-Si avec du Carbone, si une concentration adéquate de cette impureté est utilisée. L'insertion périodique de couches minces de SiC dans le poly-Si conduit à la stabilité thermique la plus élevée et à une augmentation de la résistivité moyenne de la couche. Néanmoins, des diminutions périodiques de la résistivité sont observées à chaque insertion de SiC / For future 5G telecommunication applications, Si-based substrates with low signal loss and excellent linearity are required. Among the envisaged solutions, RF-SOI is the most advanced. Its stack contains a High Resistivity (HR) Trap-Rich (TR) layer composed of high purity polycrystalline silicon (poly-Si) deposited on thin SiO2 native oxide of a HR-Si substrate (HR-Si). Some limitations of such system come from the HR-Si/SiO2 interface and its thermal stability, while increasing the resistivity of the TR-layer is also suited. The main objective of this thesis was to explore innovative approaches for solving these difficulties while staying Si-compatible. Towards this end, carbon was added in the system at different elaboration stages by i) replacing the SiO2 interfacial layer by 3C-SiC and by ii) C-engineering of the poly-Si layer during deposition.Using Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition technique, state-of-the-art poly-Si TR-layers were grown on native oxide with thickness up to few tens of µm. It was found that the resistivity of the poly-Si was not directly dependent on the average grain size. Replacing the interfacial oxide by a thin mono- or poly-SiC layer and adapting the growth process allowed reaching equivalent properties of the poly-Si with the benefit of superior thermal stability by avoiding the interfacial layer dissolution. But it is accompanied by the presence of a resistivity drop at the interface due to the conductivity of the SiC material. By doping the poly-Si with C, both the TR-layer properties and thermal stability can be improved when adequate concentration of this impurity is used. Periodic insertion of thin SiC layers inside the poly-Si led to the highest thermal stability and an increase of the layer mean resistivity while periodic resistivity reductions were observed at each SiC insertion

Des conducteurs mono- et multi-filamentaires de MgB2 dans une gaine de Nb/Cu ont été élaborés par la technique PIT (powder in tube) avec des dopages de carbone et de TiC. Les résultats montrent qu'il y a une couche de diffusion non supraconductrice à l'interface entre le Nb et MgB2 pour les échantillons traités à haute température, couche qui empêche la pénétration du courant dans le conducteur. Les traitements thermiques doivent être inférieurs à 750°C. Les effets des dopages au carbone amorphe et au TiC ont été étudiés par XRD,MEB et aimantation. La substitution du bore par du carbone diminue légèrement la Tc mais augmente la piégeage des vortex, conduisant à un optimum du courant critique. Des multi-filaments de 6, 12 et 36 filaments sans dopage ont été élaborés par la technique PIT. Les propriétés mécaniques de ces conducteurs ont été renforcées en utilisant un filament central en Nb. L'assemblage MgB2/Nb/Cu est très adapté pour obtenir de grandes longueurs de conducteurs par la méthode PIT.