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Analise de lasers semicondutores em cavidades externasLeal, Antonio Andrade 24 July 1990 (has links)
Orientador: Evandro Conforti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:49:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1990 / Resumo: Neste trabalho introduz-se o modelamento de cavidades externas compostas por dispositivos passivos e lineares através de suas matrizes de transmissão, possibilitando, assim, suas análises através do modelo de linha de transmissão proposto por Tromborg et al. Com base neste formalismo, estuda-se o efeito, sobre o comportamento estacionário do laser semicondutor , provocado pela introdução de uma placa de material dielétrico (etalon) em uma cavidade eterna sintonizada por uma grade de difração. Finalmente, analisa-se a introdução de um interferômetro de Fabry-Perot em uma cavidade externa sintonizada por uma grade d difração. Discute-se a influência da realimentação óptica sobre a estabilidade em freqüência, o fator de redução de largura de linha, a potência óptica na saída, a eficiência quântica diferencial e a corrente eletrônica de limiar do laser ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: In this work, the representation of externla cavities composed of passive and linear devices, throug their transmission matrices is introduced, making it possible, to developed an analysis using the transmission line model for the semicondutor laser with optical feedback, as proposed by Tromborg et al. Using this formalism, the effect on the stationary behavior of the semiconductor laser, caused by the introduction of a dieletric material plate (etalon) in an external cavity tuned by a diffraction grating, is analyzed. The influence of the optical feedback on the frequency stability, the linewidth reduction factor, the output optical power, the differential quantum efficiency and the threshold electronic current of the laser is discussed ... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Analisador automatico de rede de petri temporizada para validação de protocolos de comunicaçãoMarton, Mauro 13 July 2018 (has links)
Orientador: Walter da Cunha Borelli / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:49:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1989 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Analise numerica unidimensional de celulas solares de silicio amorfo hidrogenadoPulino, Petronio, 1956- 13 July 2018 (has links)
Orientador: Ivan Chambouleyron / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:45:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1990 / Doutorado
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Planejamento a longo prazo em sistemas de distribuição de energia eletricaSilva, Marcos Carneiro da 20 August 1990 (has links)
Orientador: Paulo Morelato França / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Energia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:50:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1990 / Resumo: Esta dissertação apresenta uma nova proposta metodológica para o Planejamento da Expansão dos Sistemas de Distribuição de Energia Elétrica. Os problemas referentes à rede primária e à rede secundária são tratados de forma hierárquica. As alternativas de expansão das redes são delineadas através da resolução de modelos matemáticos baseados na teoria de otimização de sistemas. O modelo da rede primária compreende simultaneamente os problemas de localizar e dimensionar as subestações e de rotear os alimentadores. Consideram-se os custos fixos das subestações a dos alimentadores novos, bem como de suas ampliações. O custo variável das perdas é tratado de forma quadrática. Um eficiente algoritmo de enumeração implícita é usado para resolver o problema. A radialidade da rede é obtida por meio de heurísticas que trabalham com o custo real. Para a rede secundária é proposta uma metodologia em três etapas seqüenciais: na primeira localizam-se transformadores, depois definem-se as rotas dos alimentadores secundários e, por fim, decide-se a interligação entre as redes primária e secundária. Essas etapas são resolvidas de forma otimizada através da solução dos clássicos problemas das p-medlanas, de localização quadrático e de Steiner, respectivamente. A metodologia é testada em um exemplo real e são feitas comparações qualitativas e quantitativas com o enfoque normalmente empregado para propor alternativas de expansão. / Abstract: This thesis presents a new methodological approach for Electric Energy Distribution Systems Expansion Planning. The problems related to primary and secondary networks are treated in a hierarchical model. In the primary system the aspects of location and sizing of substations as well as feeders routing are considered simultaneously. The model includes fixed costs of new substation and feeders and also their expansions. The variable costs of losses receives a quadratic approach. An efficient Branch and Bound algorithm is utilized in problem solving. Network radiality is obtained through heuristic methods, which work under real cost function. On the secondary network, a heuristic procedure was developed which sequentially enumerates transformers and for each one of these configurations it studies in an optimized manner the transformers location, the secondary feeders routing and primary feeders and transformers interconnect on. These three phases were modeled respectively as p-medians, quadratic facilities location problem and Steiner's problem. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica
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Linha e antena de microfita ao longo de uma direção helicoidal sobre um substra to cilindricoLima, Antonio Cezar de Castro 23 November 1990 (has links)
Orientador : Attilio Jose Giarola / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:51:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1990 / Resumo: A análise teórica de uma linha e antena de microfita sobre um substrato cilíndrico, ao longo de uma direção helicoidal, é apresentada neste trabalho. Os modelos do guia de onda e cavidade com paredes laterais magnéticas são, respectivamente, utilizados na caracterização da linha e determinaçlo da frequência de ressonância e impedância de entrada da antena. A teoria das funções diádicas de Green, juntamente com o método do ponto de sela, são empregados na obtenção dos campos distantes radiados pela antena. Uma primeira análise é feita considerando a espessura do substrato dielétrico da antena de microfita, muito fina. Um estudo mais rigoroso é desenvolvido no final do trabalho, onde o substrato é suposto de espessura finita. São também apresentados, para a antena operando no modo fundamental, o comportamento da impedância de entrada com a freqUência e parâmetro do substrato, assim como, os diagramas de radiação / Abstract: A theoretical analysis of a microstripline and a patch antenna on a circular cylindrical substrate, along a helical direction, is presented here. The waveguide model with magnetic side walls is used for the characterization of the microstripline and the cavity model with magnetic side walls is employed for the calculation of the antenna resonant frequency and input impedance. The theory of dyadic Green's functions together with the saddle point method are used for the calculation of the radiated far fields. A first analysis is done by considering that the thickness of the dielectric substrate of the antenna is very thin. A second and more rigorous analysis is developed at the end of this work there the dielectric substrate thickness is assumed to have a finite value. Also shown , for the antenna operating in the fundamental mode, are the input impedance as a function of frequency and of the substrate parameters and the radiation patterns / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Simulação bidimensional de dispositivos MOSFETAraújo, Guido Costa Souza de, 1962- 10 October 1990 (has links)
Orientador : Bernard Waldman / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:47:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1990 / Resumo: Com a drástica diminuição das dimensões nas novas gerações de transistores MOS VLSI, um aumento considerável de efeitos dimensionais no comportamento destes dispositivos tem surgido. Isto traz como conseqüência imediata, a impossibilidade de utilização dos modelos clássicos analíticos no projeto e no estudo destes transistores. A proposta deste trabalho é a de desenvolver um simulador bidimensional para transistores MOSFET de canal curto, que permita uma caracterização precisa destes dispositivos em equilíbrio termodinâmico. Nesta situação, a influência de efeitos dimensionais sobre VT pode ser melhor estudada, possibilitando assim a obtenção de uma primeira aproximação para o projeto destes dispositivos / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Contribuição ao estudo de sensores integrados de fluxo utilizando transistores bipolaresFernandes, Luciano Szezerbaty 13 July 2018 (has links)
Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:48:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1987 / Resumo: Este trabalho descreve o estudo realizado sobre a fabricação de sensores integrados no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos (LED), utilizando-se a Tecnologia Bipolar convencional para a fabricação de circuitos integrados. São analisados dois tipos de sensores térmicos que operam em um Degrau de Temperatura Constante (DTC). Um dos sensores é baseado na deteção de diferenças de temperaturas induzidas pelo fluxo sobre a superfície aquecida de um "chip" (sensor direcional). O outro é baseado na perda de calor para o fluxo. Ambos sensores são fabricados em lâminas de Si. São mostrados os resultados obtidos para um fluxo de Nitrogênio seco e apresentadas as curvas de calibração para o elemento sensor baseado na perda de calor. Também são discutidos os possíveis aperfeiçoamentos nos sensores desenvolvidos / Abstract: This work describes the study done about the production of integrated sensors at the Laboratório de Eletrônica e Dispositivos (LED), using conventional Bipolar Technology for IC fabrication. Two types of thermal sensors, both operating at a Constant-Temperature Step (CTS), are analysed. One of the sensors is based on the detection olsmall temperature-induced differences over the heated surface of a chip (directional sensor). The other one is based on the heat loss to the flux. Both sensors are made using Silícon wafers. Results obtained for a dry Nitrogen flux are given. Calibration measurements for the heat loss type sensor are presented and, also, possible improvements on the developed sensors are indicated. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Aplicação do formalismo das funções de Green diadicas e do metodo dos momentos no estudo de elementos de microfita sobre substratos cilindricos circularesSilva, Franklin da Costa 05 July 1990 (has links)
Orientador: Attilio Jose Giarola / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:56:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1990 / Resumo: Neste trabalho exploram-se as potencialidades das funções de Green diádicas e do método dos momentos, nas soluções de problemas de elementos de microfita, sobre substratos ciIíndricos circulares. Determinam-se os coeficientes de espalhamento das funções de Green diádicas do tipo elétrico, para um meio formado por quatro camadas cilíndricas concêntricas, sendo a camada central um condutor perfeito e equações integrais, que determinam o comportamento dos campos eletromagnéticos, são obtidos. Analisam-se dois problemas particulares de elementos microfita sobre substratos cilíndricos circulares: o do efeito da cobertura dielétrica na constante de propagação de uma linha de microfita infinita e na freqüência de ressonância de uma antena com elemento ressoador ¿retangular¿, alimentada diretamente por uma linha de microfita. No segundo problema, a solução da equação integral resultante, através da aplicação do método dos momentos, é apresentada detalhadamente. Os resultados indicam que o efeito da cobertura dielétrica, nos elementos de microfita, é substancial quando o valor da constante dlelétrica e a espessura da cobertura são aumentados, de forma que, nos projetos de circuitos de microfita, este efeito tem que ser cuidadosamente analisado / Abstract: The potential for using dyadic Green¿s functions and the moment method is explored in this work for the solution of problems of microstrip devices on circular cylindrical substrates. The scattering coefficients of the dyadic Green¿s functions of the electric type are determined for a four layered concentric cyllindrical medium from which the central layer (the inner cylinder) is a perfect conductor. In addition, the integral equations that determine the electromagnetic field behavior are obtained. Two particular problems of microstrip devices on circular cyllindrical substrates are analized, the effect of a dieletric overlay on the propagation constant of an infinitely long microstripline and how this dieletric overlay affects the resonance frequency of a ¿rectangular¿ patch antenna, directly fed by a microstripline. The resultant integral solution for the latter problem is presented in detail by using the moment method. The results indicate that the effect of the overlay on microstrip devices may be substancial when the dielectric constant and the thickness of the overlay are increased, such that it should be carefully considered in the design of these devices / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica
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Uma contribuição a forma combinada de codificação e modulação utilizando codigos de memoria unitariaGurian, Valdir Aparecido 21 December 1989 (has links)
Orientador: Reginaldo Palazzo Junior / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:55:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1989 / Resumo: Este trabalho mostra que o desempenho de códigos TCM com estrutura de memória unitária, de 'k¿ entradas e 'n¿ saídas, associados a constelações em duas dimensões, é inferior ao desempenho de qualquer outro código TCM com mesmo comprimento total de memória (CTM), mesmo número de entradas (k) e mesmo número de saídas (n) associado à mesma constelação. Mostra também que uma modulação ótima não necessariamente apresentará o melhor desempenho quando estiver compondo um esquema combinado (modulação/codificação), pelo não casamento com o codificador. E ainda, faz uma análise comparativa para o desempenho dos códigos TCM entre diferentes constelações, em duas dimensões, e diferentes estruturas de memória do codificador, levantando características para essa forma combinada de comunicação / Abstract: This work shows that the performance of TCM codes with structure of unitary menory, of "k" inputs and "n" outputs, associated to constelations in two dimensions, is worse than the performance of any other TCM code with the same total memory length (CTM), the same number of ínputs (k) and the same number of outputs (k) associated to the same constelation. It also shows that the optimal modulation not necessariIy will present the best performance when compounding a combinec scheme (Modulation/Codification), due to the mismatch with the encoder. Finally, it is a made a made comparative analysis to the performance of the TCM codes between different constelations, in two dimensions, and different structures of memory of the coder, getting up characteristics to this combined way of communication / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Obtenção de oxidos de niobio sobre silicio e sua corrosão por plasmaXavier, Wagner Jose Lopes 02 July 1990 (has links)
Orientador : Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:58:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Xavier_WagnerJoseLopes_M.pdf: 5188139 bytes, checksum: 5e0104858a196ce2cfc92cac08d8e049 (MD5)
Previous issue date: 1990 / Resumo: Não informado / Abstract: Niobium and niobium oxides have been used for superconductive structures such as Josephson junctions, SQUIDS and superconductive interconnects in semiconductor devices. In tllls work we had investigated the thermal oxidation of Nb thin-films (deposited by DC - sputtering ou to silicon substrates), at different temperatures (673-1023 K) and times (10-45 min). X-Ray diiffractomerty and ESCA measurements revealed the presence of lhe Nb02 and Nb2O5 layers. The rate of lhe etching of these oxydes in plasmas of CF4- 02 and CF4 - H2gas mixtures have been investigated. The etch curves ot the oxydes thermally grown at different temperatures showed similar behaviour as these of pure Nb films, but with etch rates a
factor 012 - 3 higher. Fluorine radicals seem to be the main reactants in the etch chemistry. The etching is anisotropic and the end-point detection can be accurately made by "in situ" laser interferometry / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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