Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T14:15:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brito_AiltondeSousa_M.pdf: 3081096 bytes, checksum: 38d549ed93e4cd9cb0dd2008b9d15131 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: A litografia faz parte de um conjunto de técnicas usadas na fabricação de circuitos integrados. As técnicas litográficas são genericamente englobadas nas denominadas litografia óptica e litografia por feixe de elétrons, das quais a primeira é ainda a mais difundida e, melhor estabelecida. A litografia óptica prevê o uso de máscaras (matrizes finais) obtidas a partir de originais (artes finais) desenhadas em materiais gráficos, Rubylith ou Fotolito. A escala do desenho é ampliada de 100 a 200 vezes em relação ao dispositivo a ser fabricado. A redução ocorre em duas ou três etapas conhecidas por fotorredução e fotorrepetição, sendo que na última, a configuração é repetida diversas vezes. Através das matrizes finais, o material fotossensível (fotorresiste) aplicado sobre um substrato pode ser sensibilizado e removido, deixando expostas regiões pré-selecionadas do substrato. Esta etapa é conhecida por fotogravação. Neste trabalho é descrito o desenvolvimento de uma fotorrepetidora que emprega irradiação de 5460 A de comprimento de onda, sensibilizando Placas de Alta Resolução (PAR), em campos de 5 x 5 mm2 e registrando linhas (em PAR) de larguras menores que 2um. São ainda estabelecidos os parâmetros gerais do sistema litográfico, visando o melhor aproveitamento em termos de nível de integração e densidade de "componentes" na integração de circuitos. A fotorrepetidora e o sistema litográfico têm sido utilizados no laboratório por cerca de dois anos. Foram determinadas regras de projeto para geração de máscaras e uso do sistema litográfico. No decorrer do trabalho são descritos a analisados propostas, procedimentos experimentais, resultados obtidos e discussões posteriores / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Alaide Pellegrini Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T20:42:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sousa_CarlosPimentelde_M.pdf: 8353236 bytes, checksum: edd92a2daddcdde6b2345ca9a1f1cf27 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: Neste trabalho nós investigamos as condições de crescimento de uma camada de óxido de silício na interface entre o filme de Sn02 e o silício. O crescimento deste óxido, bem como suas propriedades de interface, foram estudadas em função da temperatura e ambiente de tratamento térmico; do tipo de condutividade, resistividade e orientação cristalográfica do substrato de silício. Com este propósito foram construídos capacitores de 'Sn¿O IND. 2¿/Si com dimensões de 500 x 500 '(mum) POT. 2¿ e definida uma seqüência de fabricação. Com a finalidade de verificar a possibilidade do emprego deste processo de oxidação, o qual chamamos de processo de oxidação seletiva do silício, na fabricação de transistores de efeito de campo com porta de 'Sn¿'O IND. 2¿ auto-alinhada, foram construídos transistores com diferentes geometrias e defininda também uma seqüência de fabricação. Os resultados obtidos para a espessura do óxido de silício ('Si¿¿O IND. 2¿) e para a densidade total de cargas nele presentes, bem como para os transistores, mostraram que este processo de oxidação seletiva do silício pode ser aplicado na fabricação de circuitos integrados / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica