Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendice / Made available in DSpace on 2012-10-16T05:22:57Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T18:17:03Z : No. of bitstreams: 1 91741.pdf: 1577555 bytes, checksum: 73f6935850c9837522bbdc8d99791380 (MD5) / Este trabalho apresenta uma estrutura de transistor MOS composto, formado pela associação em série de dois transistores, sendo que o transistor conectado no terminal de dreno é mais largo do que o transistor conectado no lado da fonte. É mostrado que esta estrutura apresenta características DC idênticas as de um transistor canal longo de largura uniforme. Este transistor composto têmduas grandes vantagens sobre o transistor canal longo equivalente de largura uniforme: economia considerável de área de silício e uma freqüência de ganho unitário mais elevada. Esta estrutura pode ser utilizada para a integração de circuitos analógicos que necessitem de altas velocidade e baixas tensões. A técnica proposta é particularmente adequada para o projeto de circuitos analógicos utilizando a metodologia de "gate-arrays" ("sea-of-transistor").

Orientador: Wilmar Bueno de Moraes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T09:59:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ferreira_ElnatanChagas_M.pdf: 10427742 bytes, checksum: 211b9c380d185df7128e3df0ddbb6de6 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: O objetivo deste trabalho é investigar a obtenção de filmes de silício policristalino, depositados no reator epitaxial projetado e construído no nosso laboratório, a partir da redução de tetracloreto de silício por hidrogênio, e caracterizar estes filmes visando aplicá-los em uma tecnologia MOS porta de silício. Para tanto, ajustamos alguns parâmetros geométricos do reator epitaxial, verificamos a dependência da deposição e morfologia dos filmes com os parâmetros CVD (temperatura do substrato, fluxo total de gases e concentração de SiCl4). Dopamos os filmes por difusão térmica convencional, determinamos: taxa e resolução de ataque químico, resistência de folha, resistência de contato da interface silício policristalino/alumínio, largura efetiva da linha de silício policristalino, cargas no óxido de porta, etc. E ainda, foi definido um roteiro de instruções básicas para a construção de um transistor canal N com porta de silício. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Alaide Pellegrini Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T20:42:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sousa_CarlosPimentelde_M.pdf: 8353236 bytes, checksum: edd92a2daddcdde6b2345ca9a1f1cf27 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: Neste trabalho nós investigamos as condições de crescimento de uma camada de óxido de silício na interface entre o filme de Sn02 e o silício. O crescimento deste óxido, bem como suas propriedades de interface, foram estudadas em função da temperatura e ambiente de tratamento térmico; do tipo de condutividade, resistividade e orientação cristalográfica do substrato de silício. Com este propósito foram construídos capacitores de 'Sn¿O IND. 2¿/Si com dimensões de 500 x 500 '(mum) POT. 2¿ e definida uma seqüência de fabricação. Com a finalidade de verificar a possibilidade do emprego deste processo de oxidação, o qual chamamos de processo de oxidação seletiva do silício, na fabricação de transistores de efeito de campo com porta de 'Sn¿'O IND. 2¿ auto-alinhada, foram construídos transistores com diferentes geometrias e defininda também uma seqüência de fabricação. Os resultados obtidos para a espessura do óxido de silício ('Si¿¿O IND. 2¿) e para a densidade total de cargas nele presentes, bem como para os transistores, mostraram que este processo de oxidação seletiva do silício pode ser aplicado na fabricação de circuitos integrados / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2009 / Made available in DSpace on 2012-10-24T14:45:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 276389.pdf: 886187 bytes, checksum: 464d1a6be1da513afcbe1a97506772f7 (MD5) / O objetivo deste trabalho é desenvolver um misturador ativo para conversão de um sinal de RF de 2,4GHz em um sinal de frequência intermediária 750kHz. A topologia escolhida foi a do misturador ativo de balanceamento simples uma vez que apresenta uma arquitetura simples, alto ganho de conversão e um bom isolamento entre as portas. A tecnologia CMOS utilizada foi o AMS 0,35?m que apresenta dispositivos de RF bem caracterizados e bem documentados e também oferece uma prototipagem de baixo custo. O estágio de entrada opera com o nível de inversão moderado e o transistor com uma fT de 16GHz. O misturador simulado apresenta impedância de saída de 403W, ganho de 11dB, figura de ruído em 16,3dB, ponto de compressão de 1dB em -8,76dBm e consumo de potência de 7,3mW.

Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2012-10-23T23:18:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 251255.pdf: 2674400 bytes, checksum: 6117efc022d122e5de42d39f63754994 (MD5) / Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de '80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais. Esta tese propõe uma abordagem inovadora para a modelagem do descasamento dos transistores de efeito de campo de porta isolada (MOSFETs), chegando a resultados melhores e mais abrangentes que outras propostas já publicadas. Para tanto, as variações microscópicas na corrente que flui pelo dispositivo, resultado das flutuações na concentração de dopantes na região ativa, são contabilizadas levando-se em conta a natureza não-linear do transistor. O resultado é um modelo compacto que prevê o descasamento com grande exatidão e de forma contínua, em todas as condições de operação do transistor, da inversão fraca à forte, e da região linear à saturação, necessitando apenas dois parâmetros de ajuste. Duas versões de circuitos de teste foram desenvolvidas e implementadas em diversas tecnologias, como forma de se obter suporte experimental para o modelo. A versão mais avançada possibilita a caracterização elétrica, de forma totalmente automática, de um grande número de dispositivos. O uso deste modelo substitui com vantagens a tradicional simulação Monte Carlo, que exige grandes recursos computacionais e consome muito tempo, além de oferecer uma excelente ferramenta de projeto manual, como é demonstrado através do desenvolvimento de um conversor digital-analógico, cujo resultado experimental corroborou a metodologia empregada.

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. / Made available in DSpace on 2012-10-21T13:56:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 201286.pdf: 1420165 bytes, checksum: 46ed96b13fa3a3cff342fb9b5cf171c6 (MD5) / Esta dissertação apresenta um trabalho na área de circuitos analógicos CMOS para baixa tensão. As principais contribuições deste trabalho são uma estratégia de polarização de estágios cascode para qualquer nível de inversão e uma nova estrutura de amplificador classe AB. O enfoque deste trabalho é o projeto de amplificadores operacionais (ampops)para utilização na tecnologia MOSFET chaveado (SM) operando com baixa tensão de alimentação (menor que 1,5V). O texto apresenta uma rápida introdução nas técnicas de circuitos amostrados. Em seguida, são apresentadas diferentes formas de implementar amplificadores classe AB de um e de dois estágios mostrando as vantagens e desvantagens. Na seqüência, são discutidas técnicas de polarização de estruturas cascode operando com baixa tensão de alimentação. É proposta uma técnica de polarização para diferentes níveis de inversão. Finalmente, uma nova estrutura de amplificador classe AB é implementada empregando circuito seletor de corrente mínima. Os resultados simulados e experimentais são apresentados para validar ambos, a técnica de polarização para estruturas cascode e o amplificador classe AB.

Orientador : Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-01T16:10:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cajueiro_JoaoPauloCerquinho_M.pdf: 1255899 bytes, checksum: 31076053bbb9e1463648623b581dcde6 (MD5) Previous issue date: 2002 / Mestrado

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T15:37:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Acco_EdsonSantos_M.pdf: 4956105 bytes, checksum: d305e485880ebd44f862df629fbf1542 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Este trabalho apresenta um estudo teórico-experimental sobre o fenômeno de injeção de carga, que ocorre em circuitos a capacitores chaveados durante a transição de abertura das chaves analógicas MOS. Inicialmente é feita uma análise teórica sobre esse fenômeno, abordando as estratégias reportadas até então, para minimizar o efeito de injeção de carga. Um estudo sobre a formação de cargas no canal do transistor MOS é apresentado. Comprovam-se, experimentalmente, as curvas teóricas que a literatura apresenta. É apresentada, tanibém, uma proposta para equiparticionar a injeção de carga que, entretanto, não pode ser caracterizada devido ao não funcionamento do CI implementado no PMUCMOS.5. Finalmente, apresenta-se um circuito experimental bastante consistente que corrige o erro causado pela injeçào de carga introduzida pela chave MOS / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. / Made available in DSpace on 2012-10-23T03:04:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 240180.pdf: 1418776 bytes, checksum: 2b4bd2ea7efed74b9ba724cc2374cdbb (MD5) / Neste trabalho é detalhada a implementação do modelo ACM do transistor MOS no simulador elétrico ELDO (Mentor Graphics). O código foi escrito em linguagem C utilizando a ferramenta UDM (User Definable Model). A carga de inversão é calculada a partir da equação de carga UCCM utilizando um algoritmo que resolve esta equação com apenas uma iteração e com um erro relativo menor do que 10-7. Através de simulações, o modelo implementado foi confrontado com os demais modelos da nova geração (HiSIM, EKV, BSIM5, SP, MM1 e PSP) tanto no que diz respeito à sua qualidade (simetria, cargas e parâmetros de pequenos sinais) como também no que diz respeito à velocidade da simulação. Os resultados mostram que o modelo ACM é uma poderosa e útil ferramenta para simulação e projeto à mão, pois é constituído por equações compactas e precisas, além de possuir um número reduzido de parâmetros.

Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. / Made available in DSpace on 2012-10-18T15:56:35Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-09T02:26:17Z : No. of bitstreams: 1 147226.pdf: 19168271 bytes, checksum: a5fa88152eb3fba56f271c59bef34e82 (MD5)