Orientador: Maria Jose S. P. Brasil / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T23:11:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CoutoJunior_OdilonDivinoDamasceno_M.pdf: 3608136 bytes, checksum: d760a2979b3a1e64047925ad6a48b52a (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Estudamos a transição de fase estrutural e magnética do MnAs em filmes epitaxiais crescidos por MBE sobre GaAs (001) e em amostras de GaAs (001) que sofreram implantação iônica de Mn e foram submetidas a um tratamento térmico. A transição estrutural nos dois tipos da amostra foi estudada com difração de raios-x em função da temperatura. Os resultados mostraram uma queda na concentração média de a MnAs de forma contínua e suave, com histerese térmica e coexistência de fases em intervalos de temperaturas de até 40o C, diferentemente da transição de primeira ordem no sistema bulk que é abrupta. Investigamos ainda a transição magnética e seu acoplamento com a transição estrutural nos filmes utilizando medidas de magnetometria SQUID e efeito Kerr magneto-óptico. Nas amostras com implantação iônica utilizamos a espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS) e a microscopia de força atômica (AFM) para estudar a difusão do Mn para a superfície e a formação de nanoestruturas superficiais. Realizamos também medidas de difração de raios-x com incidência rasante (GID) para determinar a orientação da estrutura cristalina das nanoestruturas de MnAs com relação ao substrato. A morfologia e composição destas nanoestruturas foram estudadas por microscopia eletrônica de transmissão (TEM) e análise de dispersão de raios-x (EDX) / Abstract: We have studied the structural and magnetic phase transition of MnAs in films epitaxially grown by MBE on GaAs (001) and GaAs (001) implanted samples with Mn and subsequent annealing. In the two kinds of samples the structural transition was studied by x-ray diffraction as a function of temperature. The results presented a continuous and smooth decrease in the average concentration of a MnAs, characterizing a transition with thermal hysteresis and coexistence of the a and b phases in a temperature range up to 40o C. This behavior differs from that one of the bulk MnAs that presents an abrupt and discontinuous transition. We investigated the magnetic transition on the films and its coupling with the structural one, by experiments in a SQUID magnetometer and magneto-optical Kerr effect. In the implanted samples we performed the Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) and the Atomic Force Microscopy (AFM) to study the diffusion of Mn to the surface and the formation of superficial nanostructures. We also performed Grazing Incidence x-ray Diffraction (GID) to determinate the crystal orientation MnAs nanostructures with respect to the substrate. The morphological and compositional analysis of these nanostructures were estudied by high resolution Transmission Electron Microscopy (TEM) and Energy Dispersive x-ray Analysis (EDX) / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientadores: Antonio Celso Fonseca de Arruda, Anette Gorenstein / Tese (doutorado) - Universidade Estadaul de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-24T15:33:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lourenco_Airton_D.pdf: 6913883 bytes, checksum: d97b497a89687436ab590f29a57546bd (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Baterias de lítio na forma de filmes finos (microbaterias) vem sendo pesquisadas ja há alguns anos. Este trabalho teve como principal objetivo estudar e otimizar as propriedades de um novo material de catodo. Desta forma, filmes finos de óxido de vanádio foram preparados por sputtering reativo em diferentes condições de deposição, com vistas à sua utilização como catodos de microbaterias recarregáveis de lítio. A influência das condições de preparação na performance eletroquímica do material catódico foi discutida principalmente em termos das suas propriedades mecânicas, microestrutura e composição. Essas propriedades foram determinadas por nanoindentação, difração de raios-X e Retroespalhamento de Rutherford. As amostras foram caracterizadas eletroquimicamente conjuntamente com a determinação da variação da tensão mecânica imposta ao conjunto filme-substrato devido ao processo de intercalação iônica. Os materiais foram otimizados quanto à capacidade de carga, reversibilidade, e propriedades mecânicas. Amostras com parâmetros de crescimento otimizados foram utilizadas na montagem de microbaterias para testes de ciclabilidade e ensaios de vida útil. As microbaterias apresentaram boa cinética de intercalação (DLi= 2,89 X 10-13cm2S-l),com capacidade de carga entre 27 e 45uAhcm-2,resultado este acima (50%) do resultado encontrado na literatura para o mesmo design de dispositivo. Quando submetidas a ensaios de vida útil, mostrou boa performance e estabilidade até 100 ciclos de carga/descarga / Abstract: In the last few years, intensive research has been dedicated to the development of lithium batteries in thin film form (microbatteries). This work had as main objective to study and to optimize the properties of a new cathode material. Therefore, vanadium oxide thin films prepared by reactive sputtering in different deposition conditions were studied as a potential cathode material for rechargeable lithium microbatteries. The influence of the preparation conditions in the electrochemical performance was discussed mainly in terms of its mechanical properties, microstructure and composition. The nanoindentation technique, X-ray diffraction and Rutherford Backscattering Spectrometry studied those properties. The samples were electrochemically characterized by a galvanostatic technique, simultaneously with the mechanical stress variation induced by the intercalation/deintercalation process. Parameters as charge capacity, reversibility, and mechanical properties were the guidelines to optimize the cathode deposition parameters. Optimized samples were used to assemble microbatteries for cyclability tests and device useful life. The microbatteries presented good intercalation kinetics (DLi= 2.89 X10-13cm2S-l),with charge capacity between 27 and 45uAh cm-2. These results are better (50%) than the ones found in the literature for the same device design. The microbattery showed good performance and stability until 100 charge/discharge cycles / Doutorado / Materiais e Processos de Fabricação / Doutor em Engenharia Mecânica

Orientador: Sergio Artur Bianchini Bilac / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:34:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 EleuterioFilho_Sebastiao_M.pdf: 3937274 bytes, checksum: 3a5a8e1cc4df74ca5071ce507ea876fa (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: A técnica de deposição de filmes magnetron sputtering apresenta muitas vantagens em relação à outros métodos, como por exemplo, a simplicidade do equipamento, o baixo custo de manutenção, fácil manuseio e, a possibilidade de obtenção de altas taxas de deposição. Sua utilização é hoje muito difundida em áreas como; microeletrônica, metalurgia e óptica. Foram projetados, desenvolvidos e caracterizados cátodos magnetron de corrente continua do tipo planar, circulares e retangulares. Foram também depositados e caracterizados filmes metálicos e liga metálica para comprovar o funcionamento do magnetron sistema de disposição. Os resultados foram excelentes comparados ao resultados presentes na literatura / Abstract: Magnetron sputtering, as a thin film deposition technique, shows advantage regarding other deposition methods, for example, the equipment can be relatively simple, easy handling, low maintenance cost and, make possible high rate deposition. The utilization of the technique in microelectronics, metallurgy and optics are unquestionable. Planar magnetron sources (circular and rectangular) were designed, developed and characterized. Metals and metal alloy films were deposited to confirm operation as a film deposition system. The results were excellent when compared to literature / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Mario Antonio Bica de Moraes / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:34:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 VilchePena_AngelFidel_D.pdf: 3015662 bytes, checksum: 1a818c6232a57a06aaee35af2a2d9032 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Filmes isolantes de polímeros orgânicos e filmes compósitos de polímero e metal foram preparados em descargas de gases orgânicos em vácuo. Os filmes isolantes foram depositados em descargas DC e RF de acetileno, etano, propano e benzeno enquanto que os filmes compósitos foram obtidos numa descarga DC de uma mistura de acetileno e argônio. Neste caso, átomos ejetados do cátodo são co-depositados com o polímero. Níquel, ouro e prata foram utilizados como material do cátodo. A composição, a estrutura química, a morfologia e as propriedades ópticas e elétricas destes filmes são descritos nesta tese. A taxa de erosão dos polímeros utilizando um plasma RF de oxigênio foi também investigada. Dois sistemas de vácuo foram utilizados para a deposição dos filmes. Num dos sistemas, o sistema DC, a descarga luminescente foi produzida entre dois eletrodos circulares e paralelos conectados a uma fonte DC. No outro sistema, o sistema RF, a descarga foi mantida num reator tubular de vidro por meio de dois eletrodos anulares externos conectados a uma fonte RF. Inicialmente o processo de deposição foi caracterizado nos dois sistemas através das medidas da taxa de deposição em função da pressão do gás, fluxo e potência aplicada à descarga. Diversas modificações foram feitas nos sistemas com a finalidade de otimizar as taxas de deposição. A estrutura química do acetileno, etano, propano e benzeno polimerizados a plasma foi estudada por espectroscopia de transmissão na faixa ultravioleta-visivel, foram determinadas as constantes ópticas n e k, o coeficiente de absorção e o gap óptico de alguns dos polímeros obtidos. Cálculos envolvendo estes parâmetros permitiram alguma visualização da estrutura de bandas eletrônicas destes materiais. Observações por microscopia eletrônica de transmissão nos filmes compósitos de acetileno polimerizado a plasma. Com níquel, ouro e prata mostraram uma distribuição de pequenas partículas embebidas na matriz polimérica. O tamanho das partículas e a proporção do metal nestes filmes foi determinada e mostrou-se dependente dos parâmetros de deposição. O transporte de carga nos filmes foi estudado através de medições da condutividade elétrica em função da temperatura. A mobilidade de portadores, densidade e constante de Hall foram também medidas. Do espectro de transmissão ultravioleta-visivel foram determinadas as constantes ópticas de um compósito. Os resultados das medidas de transmitância se ajustam muito bem aos cálculos teóricos utilizando a teoria de Maxwell Garnett / Abstract: Insulating organics polymer films and conducting composite polymer-metal films were prepared in plasmas of organics gases in vacuum. The insulating films were deposited in DC and RF discharges of acetylene, ethane, propane and benzene while the composite films were obtained in DC discharges of a mixture of acetylene and argon. In this case, sputtered metal atoms from cathode were co-deposited on the polymer films. Niquel, gold and silver have been used as cathode materials. The composition, the chemical structure, the morphology and the electrical and optical properties of these films were studied and the results are presented in this thesis. The etch rate by an oxygen RF plasma was also investigated. Two vacuum systems have been used. In one of them, the DC system, the glow discharge was produced between two circular parallel electrodes connected to a DC power supply. In the other one, the RF system, the discharge was sustained in a glass tubular reactor by means of two, external ring electrodes capacitively connected to a RF source. Initially, the deposition process was characterized in both systems by measurements of the rate of deposition as a function of gas pressure, gas flow and applied power to the discharge. Several improvements were made in the systems in order to achive higher deposition rates. The chemical structure of plasma polymerized acetylene, ethane, propane and benzene were studied by infrared transmission spectroscopy. By means of ultraviolet-visible transmission measurements, the optical constants n and k, the absorption coefficient and the optical gap of some of the polymers have been determined. Computations involving these parameters have led to some insights in the electronic band structure of these materials. Transmission electron microscopy observations in composite films of plasma polymerized acetylene incorporated with nickel, gold and silver have shown a distributions of small metal particles imbedded in the polymer matrix. The size and proportion of metal in these films were found to depend on the deposition parameters. The charge transport, in these films was studied from electrical condutivity measurements as a function of temperature. Carrier mobility, density and Hall constants were also measured. From ultraviolet-visible transmission spectra the optical constants of some of the composite films were determined. The measured transmittance data were found to be in excellent agreement with the theoretical calculations using the Maxwell Garnett theory / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Ivan Chambouleyron / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:17:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zanatta_AntonioRicardo_M.pdf: 1473478 bytes, checksum: 7a234651b20f08cb5f7c313ab9e5bcd6 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho são apresentados dados experimentais referentes a propriedades ópticas e elétricas de filmes, de qualidade melhorada, de germânio amorfo hidrogenado e não hidrogenado, dopados com nitrogênio. Mostra-se que a inclusão de pequenas quantidades de átomos de nitrogênio na rede do a-Ge dá origem a importantes mudanças nas propriedades opto-eletrônicas do material. Eles podem produzir grandes alterações na condutividade de amostras com baixa densidade de defeitos no pseudo-gap. As amostras são depositadas por RF sputtering de um alvo de Ge em uma atmosfera de argônio e nitrogênio (e hidrogênio, nas amostras hidrogenadas). Medidas de transmissão óptica e condutividade de escuro vs temperatura são apresentadas e discutidas. O nível doador introduzido por nitrogênio coordenado tetraedricamente é encontrado a aproximadamente 50 meV abaixo da borda da banda de condução. No que diz respeito às propriedades ópticas, apenas bandas de absorção (vibracionais), na região de IR, devido aos dipolos Ge-N puderam ser observados na série não hidrogenada, que por sua vez, foram utilizadas na determinação do conteúdo de nitrogênio ligado. Um acréscimo na densidade de defeitos pode ser observado e associado à incorporação de nitrogênio. Toda a interpretação é consistente com o processo de dopagem de elementos do Grupo V em semicondutores amorfos coordenados tetraedricamente. Em principio, qualquer elemento do Grupo V (nitrogênio, fósforo, arsênio, antimônio e bismuto) pode atuar como um doador em a-Ge. Devido à toxicidade de compostos como arsina (AsH3) e fosfina (PH3), comumente utilizados para dopagens, o nitrogênio a aparece como um material doador bastante interessante / Abstract:This work presents experimental data referring to the electrical and optical properties of nitrogen-doped hydrogenated and un-hydrogenated amorphous germanium (a-Ge) films of improved quality. It is shown that the inclusion of minute amounts of nitrogen atoms in the a-Ge network produces important changes in the opto-electronic properties in the material. They can produce large changes in the conductivity of samples having a low density of electronic states in the pseudo-gap. The samples were deposited by RF sputtering a Ge target in an argon plus nitrogen (and hydrogen in the hydrogenated samples) atmosphere. Optical transmission and dark conductivity vs temperature measurements are presented and discussed. The donor level introduced by fourfold coordinated nitrogen is found to be around 60 meV below the conduction band edge. In the a-Ge:N series. absorption bands due to Ge-N vibrations are measured in the IR region of the spectrum. and used to determine the N content. An increase in the density of detects can be observed and associated to nitrogen incorporation. The overall picture is consistent with the doping process of Group V elements in tetrahedrally coordinated amorphous semiconductors. In principle any of the Group V elements (nitrogen. phosphorus. arsenic. antimony and bismuth) could act as donors in a-Ge. Because of the toxicity of such compounds as arsine (AsH3) and phosphate (PH3) which are commonly used for doping. nitrogen appears attractive as a donor material / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ivan Chambouleyron / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T14:26:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Constantino_Cesar_D.pdf: 1573780 bytes, checksum: 2f844cbc8dd475b9254a9a7a2902983d (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Estudam-se filmes finos semicondutores de óxido de estanho, silício amorfo hidrogenado e nitretos de silício amorfo hidrogenado, para aplicações fotovoltaicas. O óxido de estanho preparado pelo método de spray químico a temperaturas baixas (275 ºC) conserva boa transparência e alta condutividade (devida principalmente à incorporação de cloro) que o fazem adequado às aplicações como camada anti-refletora e eletrodo transparente. Os nitretos de silício são obtidos com gap óptico variável entre 1.8 e 2.2 eV e podem ser eficientemente dopados do tipo p, sendo indicados como material "de janela" em estruturas pin. Foram fabricadas células tipo Schottky, utilizando as junções paládio-silício amorfo e óxido de estanho-silício amorfo. A interface Sn02/a-Si:H apresenta reduzida velocidade de recombinação superficial para os portadores foto-gerados, mas uma altura de barreira menor que a estrutura Pd/a-Si:H. Obteve-se uma eficiência de conversão de 0.46% que se acredita estar limitada essencialmente pelas impurezas no material / Abstract: We study tin oxide, hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon nitride thin semiconductor films for photovoltaic applications. Highly conductive and transparent tin oxide films were prepared by the chemical spray method at a temperature as low as 275 ºC. Off stoichiometric silicon nitride intrinsic and boron doped films with variable nitrogen content (Eg = 1.8 - 2.2 eV) were prepared. They can be used as window material in photovoltaic devices. Pd-amorphous silicon and SnO2-amorphous silicon Schottky-type solar cells were made. The SnO2/a-Si:H interface presents a reduced surface recombination velocity and a lower barrier height. A conversion efficiency of 0.46% was obtained for the Pd/a-Si:H structure which appears to be limited by impurities in the material / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Iris C. L. de Torriani / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:15:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fantini_MarciaCarvalhodeAbreu_D.pdf: 7232482 bytes, checksum: 5b52d680c668a52d6e944deb202a161c (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Filmes finos de dióxido de estanho dopado com flúor foram produzidos pelo método convencional de vaporização sobre substrato de vidro Corning 7059. As propriedades óticas elétricas dos filmes foram determinadas como função da temperatura de substrato (200 - 490ºC) e da concentração de dopante na solução básica de vaporização. A transmitância no visível e infravermelho próximo, como também a resistividade elétrica dos filmes decresceu com o aumento da concentração do flúor. As melhores propriedades eletro-óticas (transmitância média de 75% resistividade elétrica de 10-3 Wcm) foram obtidas para 250ºC £ Ts £ 350ºC e concentrações de flúor na solução de vaporização em torno de 2 at.% F: Sn. A textura superficial dos filmes foi investigada por microscopia ótica e eletrônica de varredura. A concentração de flúor nas amostras foi investigada por SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy) and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). A análise por difratometria de raios X mostrou que os filmes depositados com Ts ³ 250ºC são policristalinos. Observou-se uma mudança sistemática das linhas de difração de raios X como função da concentração de flúor. Foram realizados cálculos teóricos dos fatores de estrutura associados à rede do SnO2 introduzindo-se átomos de flúor em posições substitucionais e intersticiais. A presença do dopante não intencional Cl foi também investigada e seu papel nos filmes de SnO2 : F sugerido / Abstract: Thin films of tin dioxide doped with fluorine were produced by the conventional spraying method using 7059 Corning Glass substrates. The electrical and optical properties of these films were determined as a function of the substrate temperature(200 - 450ºC) and dopant concentration in the basic spraying solution. The visible and near infrared transmittance, as well as the electrical resistivity of the films decreased with the increase in fluorine concentration. The best electro-optical properties (an average transmittance of 75% and an electrical resistivity of 10-3 Wcm) were achieved for 250ºC £ Ts £ 350ºC and fluorine concentration in the spraying solution of around 2 at.% F:Sn. The films surface texture was investigated by scanning electron microscopy and optical microscopy. Fluorine content of the samples was investigated. by SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). The x-ray diffractometric analyses showed that the films deposited at Ts ³ 250ºC are polycrystalline. A systematic chance in the intensity of the diffraction lines as a function of the fluorine content was observed. Theoretical calculations of the structure associated to the SnO2 lattice introducing fluorine atoms in substitutional and interstitial positions were performed. The presence of the non intentional dopant Cl was also investigated and its role in SnO2: F films suggested. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Jaime Frejlich / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T01:34:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_ElisabethAndreolide_M.pdf: 6111363 bytes, checksum: fcd91390013c0f242e75178ddb3f0e53 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Apresentamos um método não destrutivo para medida de espessura de filmes finos transparentes depositados em substratos transparentes, usando um interferômetro de Haidinger. A partir das frações de interferência, medidas para vários comprimentos de onda, e do índice de refração para um único comprimento de onda, determinamos a espessura do filme e sua dispersão cromática, através de um procedimento analítico-numérico / Abstract: We introduce a non-destructive method for the thickness measurement of thin transparent films coated on transparent substrates, using a Haidinger interferometer. From the interference fractions measured for various wavelengths, and the refraction index for only one wavelength, we determine the film thickness and its chromatic dispersion through an analytic-numeric procedure / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ivan E. Chambouleyron / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wathaghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:13:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Graeff_CarlosFredericodeOliveira_M.pdf: 1762076 bytes, checksum: ba87650db8dd1f85110d4d20143d4328 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Este trabalho relata resultados na criação e recozimento de defeitos metaestáveis induzidos por luz em filmes finos de germânio amorfo hidrogenado de qualidade eletrônica. Os filmes foram depositados pelo método sputtering de rádio freqüência numa atmosfera de Ar-Hz, em substratos mantidos à temperatura de o 180 ºC. As amostras são fotocondutoras, com af/ae = 1.5 até 2.0 sob iluminação AM1 (100 mW/cm2), à temperatura ambiente. Tanto a fotocondutividade, quanto a condutividade de escuro das amostras decaem após exposição à luz intensa. O efeito é atribuído à formação de defeitos induzidos por luz. A T = 310 K a condutividade de escuro decresce a 85% do seu valor inicial depois de alguns minutos sob iluminação AM1. As mudanças são metaestáveis e tanto a af e a ae, retornam a seus valores originais depois de algumas horas no escuro. Com o intuito de estabelecer uma cinética para a formação e o recozimento dos defeitos, uma montagem diferencial de condutividade foi utilizada em diferentes temperaturas e diferentes condições de iluminação. Tanto os processos de formação, quanto o recozimento de defeitos revelaram ser ativados com a temperatura. A evolução temporal do processo tanto de criação quanto do recozimento dos defeitos pode ser melhor explicado por uma lei do tipo exponencial alongada : Da exp -(t/t)b , com b = 0.8 ± 0.1. A constante característica 1/t tem uma energia de ativação de 0.45 eV. Como no caso do a-Si:H, um possível mecanismo que dê conta deste tipo de comportamento para a cinética da metaestabilidade esta associado à difusão do hidrogênio no material. Medidas em difusão de hidrogênio também são apresentadas neste trabalho. As técnicas empregadas para a detecção do hidrogênio foram a espectroscopia de infravermelho e ERDA (Elastic Recoil Detection Analisys). Uma difusão do tipo dispersiva foi encontrada com um coeficiente de difusão de @ 10-15 cm2/s à temperatura de 300 ºC. Os dados obtidos até o momento não deixam claro o papel do hidrogênio no efeito metaestável induzido por luz no a-Ge:H / Abstract: This work reports on light induced metastable defect creation and annealing in a-Ge:H thin films of electronic quality. The films were deposited by the RF sputtering method in an Ar-Hz o atmosphere onto substratum¿s held at 180 ºC. The samples are photo-conductive, with apc/ad = 1.5 to 2 under AM1 conditions (100 mW/cm2) at room temperature. Both, the dark-and the photo-conductivity of the samples decrease after light soaking. The effect is attributed to light induced defect formation. At T = 310 K the dark conductivity decreases to 86% of its initial value after a few minutes of AM1 soaking. The changes are metastable and both, apc and ad, return to their original values after some hours in the dark. In order to establish the kinetics of defect formation and annealing a differential setup was used to measure conductivity transients at different temperatures and under different illumination conditions. Both, the defect formation and the annealing processes. Were found to be temperature activated. The temporal evolution of the annealing process is best explained by a stretched exponential law: Da exp ¿(t/t)b , with b = 0.8 ± 0.1. The characteristic inverse decay time 1/t has an activation energy of 0.45 eV. As in the case of a-Si:H, this kind of process kinetics may be associated with hydrogen diffusion in the material. Hydrogen diffusion measurements are being carried on our samples by thermal annealing at different temperatures and annealing times. The hydrogen detection techniques used are IR spectroscopy and ERDA (Elastic Recoil Detection Analysis). A dispersive type of diffusion was found with a diffusion coefficient of @ 10-15 cm2/s at 300 °C .Results obtained up to now do not give a clear role to the hydrogen diffusion on the metastable effects observed in a-Ge:H / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientadores : Marco-Aurelio De Paoli , Annette Gorenstein / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-16T00:45:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fonseca_CarlaMariaNascimentoPoloda_M.pdf: 3525642 bytes, checksum: aaaded5f5239c6707a65d1651714a13b (MD5) Previous issue date: 1992 / Mestrado