Orientador: Daltro Garcia Pinatti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:03:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ambrosio_Antonio_M.pdf: 1258843 bytes, checksum: 139745531bd4deeeb36cdae76fb6f2af (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Marco-Aurelio De Paoli / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-22T20:28:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Micaroni_Liliana_D.pdf: 6702485 bytes, checksum: 8c9f129f49798b194f1124745a8b0bf5 (MD5) Previous issue date: 1997 / Doutorado

Orientador: Carlos Henrique Brito Cruz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T20:46:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Szpigel_Sergio_M.pdf: 13330603 bytes, checksum: 25a8468a4c7e11103d8c4352ae48522f (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Este trabalho teve como objetivo a construção e caracterização de uma chave optoeletrônica a semicondutor para chaveamento de pulsos elétricos de alta tensão (> 500 V). Os semicondutores utilizados foram GaAs e InP semi-isolantes que apresentam alta resistividade (> 107 W.cm). Para a ativação das chaves foi construído um laser de nitrogênio que fornece pulsos com duração da ordem de 2 ns no comprimento de onda de 337.1 nm .Foram estudados os efeitos de potência do laser e do campo elétrico aplicado na performance dos dispositivos. Pulsos com duração subnanosegundo e amplitude até 800 V foram obtidos com o InP e até 450 V com o GaAs. Também foi construída uma chave com resposta rápida (@ 100 PS) para medidas dos tempos de recombinação dos cristais. O dispositivo foi ativado utilizando-se pulsos ultracurtos (100 fs) fornecidos por um laser de corante (l = 610 nm) com acoplamento de modos passivo e cavidade em anel em regime de pulsos contrapropagantes / Abstract: In this work we have studied a semiconductor optoelectronic device to switch high-voltage electrical pulses ( > 500 V). The semiconductors used were semi-isolant GaAs and InP that show high-resistivity (> 107 W.cm) To switch activation we have built a nitrogen laser that gives pulses of 337.1 nm radiation and duration of 2 ns. We have studied the effects of laser power and applied electrical field on the device performance. Subnanosecond electrical pulses with amplitudes as high as 800 V for InP and 450 V for GaAs were obtained. We also have built a fast response switch (@ 100 PS) to measure the crystal recombination time The device was activated by ultrashort light pulses (100 fs) of a colliding pulse mode-locked ring dye laser (l = 610 nm) / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Fernando Alvarez / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T13:58:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tessler_LeandroRussovski_M.pdf: 1114387 bytes, checksum: 8fa6976f4319e97723312a6763d64cab (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: O nitreto de silício amorfo hidrogenado não estequiométrico (a-SiNx:H) tem sido estudado nos últimos anos, tendo em vista suas possíveis aplicações em dispositivos fotovoltáicos, em diversos laboratórios em todo o mundo. No presente trabalho apresentamos os resultados de medidas da fotocondutividade em função da temperatura e da intensidade luminosa em material preparado por descarga luminescente (glow discharge) a partir de uma mistura de nitrogênio e silano. As medidas foram feitas com excitação monocromática de um laser de He:Ne com hn = 1.96eV utilizando-se o método de detecção em fase. Temperaturas entre 120 e 340K e fluxos de fótons entre 6x1011 e 6x1013 cm-2 s-1 foram usados. Estudamos também amostras dopadas com boro e com fósforo. Os resultados experimentais nos permitiram identificar um pico na densidade de estados no gap entre o nível de Fermi e a banda de condução ligado ã presença de nitrogênio na rede, com seção de captura para elétrons menor do que a dos estados no gap em material não nitrogenado. Também constatamos a presença de armadilhas profundas para lacunas entre o nível de Fermi e a banda de valência / Abstract: The off-stoichiometric amorphous hydrogenated silicon nitride (a-SiNx:H) has been studied in the last few years due to its possible applications in photovoltaic devices in many laboratories in the world. In the present work we present the results of measurements of photoconductivity versus temperature and light intensity in material prepared by glow discharge from a mixture of N2 and SiH4. The measurements were done with monochromatic excitation from a He:Ne laser with hn = 1.96eV using the detection in phase method. Temperatures between 120 and 340K and photon fluxes between 6x1011 and 6x1013 cm-2 s-1 were used. We also studied boron doped and phosphorus doped samples. The experimental results allowed us to identify a peak in the density of states in the gap between the Fermi-level and the conduction band due to the presence of nitrogen in the network with a capture cross section for electrons smaller than the one of the state in the gap in non-nitrogenated material. We also detected the presence of deep hole traps between the Fermi-level and the valence band / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ivan E. Chambouleyron / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-22T04:24:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Reis_FrancoiseToledo_M.pdf: 1890829 bytes, checksum: 66d8be68c9579de94e46cf9d7c7749eb (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Neste trabalho são apresentados os efeitos da dopagem tipo-p com gálio e índio na fotocondutividade de filmes finos de germânio amorfo hidrogenado ( a-Ge:H ) depositados pelo método de rf-sputtering. O produto eficiência quântica-mobilidade-tempo de vida ( hmt ) foi medido, à temperatura ambiente, em função da posição da energia de Fermi EF em amostras com concentrações relativas de dopantes na faixa entre ~ 3x10-5 e ~ 10-2 .Para as amostras dopadas com gálio observa-se inicialmente um decréscimo de hmt com o aumento da concentração de dopante, até que um mínimo é atingido para amostras próximas ao nível de compensação ( NGa/NGe ~ 3x10-4 ), onde hmt é cerca de 16 vezes menor que o valor obtido para amostras intrínsecas. A este comportamento segue-se um aumento de aproximadamente 4 vezes no valor do produto hmt, para concentrações de gálio entre a compensação e NGa/ NGe ~ 1.5x10-3. Então, para maiores concentrações de gálio, os valores de hmt voltam a apresentar um decréscimo. Nas amostras dopadas com índio observou-se um decréscimo monotônico do produto hmt para toda a faixa de concentração de dopante. Estes resultados são consistentes com o modelo de defeitos "padrão", no qual se assume que os defeitos profundos dentro do gap de mobilidade constituem o caminho de recombinação predominante. Uma explicação qualitativa foi utilizada levando-se em conta os efeitos da dopagem na variação da ocupação dos estados de carga dos citados defeitos / Abstract: This work reports on the effects of gallium and indium p-type doping on the photoconductivity of hydrogenated amorphous germanium ( a-Ge:H ) thin films deposited by the rf-sputtering method. The quantum efficiency-mobility-lifetime ( hmt ) product has been measured at room temperature as a function of the dark Fermi energy EF on samples with relative dopant concentration range between ~ 3x10-5 and ~ 10-2. A decrease of hmt is observed with the increase of the gallium concentration till a minimum is reached for samples near the compensation level (NGa/NGe ~ 3x10-4), when hmt is about 16 times lower than the value obtained for intrinsic samples. This behavior is followed by an hmt increase of aproximately 4 times at concentration levels between compensation and NGa/NGe ~ 1.5x10-3. Then, for higher gallium concentrations, hmt decreases again. For In-doped samples, a monotone decrease of hmt is measured for all the impurity concentration range. These results are consistent with a "standard" model for the defects, which assumes that the dangling bond is the main recombination path. A qualitative explanation was obtained where the changes in the occupancy of the charged defect states in the mobility gap due to doping are taken into account / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Jaime Frejlich / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T17:37:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MosqueraLeiva_LuisAlberto_D.pdf: 1261565 bytes, checksum: d091c718deb41cc832c5b5b8c2cf1a6f (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: Neste trabalho mostramos o uso de técnicas ópticas não-holográficas e holográficas para a caracterização de materiais fotorrefrativos com ênfase no cristal Bi12TiO20 da familia das sillenitas e estudamos o uso destes materiais para a medida de vibrações mecânicas. Em termos de estudo de materiais, realizamos um trabalho inédito de caracterização de materiais que apresentam efeitos não-lineares na absorção e na fotocondutividade, utilizando técnicas ópticas holográficas e não-holográficas combinadas com medidas elétricas clássicas e com auxilio de um modelo teórico adequado. Em termos de aplicações, desenvolvemos uma montagem experimental e um modelo teórico que permite efetivamente utilizar a técnica de Foto-Fem como instrumento prático e simples para a medida de vibrações transversais / Abstract: In this work we report the use of non-holographic and holographic optical techniques for the characterization of photorefractive materials, with special attention to the sillenite family crystal Bi12TiO20, we also use these materials for the measurement of mechanical vibrations. In the field of materiais characterization we report original results concerning the use of optical thecniques associated with classical electric ones as applied to the materials exhibiting nonlinear absorption and fotoconductivity effects. These data were analyzed using an appropriate theoretical model. In the field of applications we report an experimental setup and a theoretical model that will allow the actual use of photo-FEM technique as a practical and simple tool for the measurement of transverse mechanical vibrations / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

SAMPAIO, S. G. Estudo e caracterização de novos corantes naturais para aplicação em células solares sensibilizadas. 2014. 96 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Mecânica) - Centro de Tecnologia, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2014. / Submitted by Marlene Sousa (mmarlene@ufc.br) on 2014-04-03T17:43:46Z No. of bitstreams: 1 2014_dis_sgsampaio.pdf: 1706262 bytes, checksum: 9b40ac3c030adac051d00efc0407c648 (MD5) / Approved for entry into archive by Marlene Sousa(mmarlene@ufc.br) on 2014-05-07T19:26:32Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2014_dis_sgsampaio.pdf: 1706262 bytes, checksum: 9b40ac3c030adac051d00efc0407c648 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-05-07T19:26:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2014_dis_sgsampaio.pdf: 1706262 bytes, checksum: 9b40ac3c030adac051d00efc0407c648 (MD5) Previous issue date: 2014 / This paper presents a study and characterization of dyes with flowers of plants collected in the Northeast of Brazil, such as Sida cordifolia (malva branca), the Catharanthus roseus (boa noite), Torenia fournieri (amor-perfeito-de-verão), Alamanda cathartic (alamanda da flor grande) and Cobaea scandens (sino de catedral). Was studied and observed the influence of flavonoids in the sensitization of natural dyes by means of a prototype solar cell with conductive film with a glass of SnO2: F produced by spray pyrolysis. The conductive glass was obtained precursor solution (HCl/H2O) containing of tin II chloride dihydrate (SnCl2.2H2O), ammonium fluoride (NH4F) and a slide glass heated to 600 ° C. The solution was sprayed on the heated substrate. About conductive glass was deposited a layer of titanium dioxide (TiO2). The layer was obtained by dissolving in commercial TiO2 powder acetic acid (CH3CO2H) and Triton X. The electrolyte was a solution of iodine / triiodide into the intracellular regeneration cycle, the counter electrode was a layer made of graphite. The plants were treated with a by washing with deionized water, drying with heat gun and Silica Gel to absorb moisture. Were macerated and immersed in an organic solvent. After a few days, were concentrated in a rotary evaporator at a speed 160 rpm at room temperature for 40 minutes. This dye was applied on the TiO2 layer and then the cell was tested under sunlight. The values obtained were: Torenia fournieri, short-circuit current = 0.44 mA and open circuit voltage V = 0.16; Catharanthus roseus, short-circuit current = 0.43 mA = 0 and open-circuit voltage, 14 V, Sida cordifolia, short-circuit current = 0.22 mA and open circuit voltage V = 0.19; Allamanda cathartic, short-circuit current = 0.19 mA and open circuit voltage V = 0.12; Cobaea scandens, short-circuit current = 0.32 mA and open circuit voltage = 0.17 V. These results may provide more data for better understanding and use of new natural dyes in solar cells. / Este trabalho apresenta um estudo e caracterização de corantes com flores de plantas coletadas na região Nordeste do Brasil, tais como: a Sida cordifolia (malva branca), a Catharanthus roseus (boa noite) e a Torenia fournieri (amor-perfeito-de-verão), Allamanda catártica (alamanda da flor grande) e Cobaea scandens (sino de catedral). Foi estudado e observado a influência dos flavonoides na sensibilização dos corantes naturais por meio de um protótipo de célula fotovoltaica, com vidros condutores com um filme de SnO2:F produzidos por spray Pirólise. As plantas foram submetidas a um tratamento de lavagem. Foram maceradas e imersas em um solvente extrator. Após alguns dias, foram concentradas no rotaevaporador a uma velocidade 160 rpm em temperatura ambiente por 40 minutos. Este corante foi aplicado sobre uma camada de TiO2 e então a célula foi testada sob a luz solar. Os valores obtidos foram: Torenia fournieri, corrente de curto-circuito = 0,44 mA e tensão de circuito aberto = 0,16 V; Catharanthus roseus, corrente de curto-circuito = 0,43 mA e tensão de circuito aberto = 0,14 V; Sida cordifolia, corrente de curto-circuito = 0,22 mA e tensão de circuito aberto = 0,19 V; Allamanda catártica, corrente de curto-circuito = 0,19 mA e tensão de circuito aberto = 0,12V; Cobaea scandens, corrente de curto-circuito = 0,32 mA e tensão de circuito aberto = 0,17V. Estes resultados podem fornecer mais dados para melhor entendimento e uso de novos corantes naturais em células solares.

Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-27T16:59:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Reis_FrancoiseToledo_D.pdf: 928680 bytes, checksum: cd338da315f0b09e3466dba9394456d5 (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: Nesta tese apresentamos um estudo da dependência da fotocondutividade, I P C, com a temperatura, T, em filmes finos de a-Ge:H intrínsecos e dopados tipo p, com gálio e tipo n, com arsênio, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do IFGW/Unicamp. Foram realizados quatro tipos de medidas nas amostras: (i) I P C em função da frequência de iluminação, para diferentes temperaturas, (ii) I P C em função da energia do fóton, para diferentes T, (iii) I P C em função de T, para energia de fóton fixa, e (iv) I P C em função da intensidade de iluminação, para diferentes T. A partir das medidas de fotocondutividade espectral observamos a diminuição da energia de Urbach, Eo, com a diminuição de T em uma amostra de a-Ge:H intrínseca, consistentemente com resultados de medidas de EXAFS (Extended X-Ray Absorption Fine Structure), evidenciando a presença de duas contribuições para Eo, a primeira da desordem estática, ou topológica do material e a segunda da desordem térmica, que se acentua com o aumento de T. Em medidas de IPC em função de T, observamos a presença de 3 regiões distintas: (I) para T < 40K, em todas as séries de amostras analisadas IPC é muito pouco ativada com T, com energias de ativação menores do que 1.5 meV, o que é compatível com um mecanismo de transporte por hopping entre estados localizados das caudas de banda próximos em distância (NNH, nearest-neighbour hopping); (II) para 150K < T < 260K, todas as amostras analisadas apresentam um comportamento ativado de IPC com T, com energias de ativação entre 102 - 167 meV, compatíveis tanto com um mecanismo de transporte do tipo hopping entre estados localizados das caudas de banda menos profundos dentro do pseudo-gap do material, como com transporte por estados estendidos próximos das bordas das bandas; e (III) para T > 260K, observamos a presença de thermal quenching, TQ, da fotocondutividade na amostra intrínseca, em todas as amostras da série dopada com As e nas amostras mais levemente dopadas com Ga. Nas demais amostras da série de Ga, o TQ é bem menos evidente, com a presença de ombros, ou platôs, em lugar de uma queda da fotocondutividade com o aumento de T. Tanto a posição da temperatura de início de TQ, como sua intensidade variam com a dopagem. Em medidas de IPC em função do fluxo de fótons, para diferentes T, observamos um comportamento do tipo I P C a Fg. Em todas as amostras observamos a presença de um gmín correspondente a um Tmín, cujos valores variam com a dopagem. De modo geral, gmín e Tmín são máximos em amostras compensadas e decrescem à medida em que a energia de Fermi se desloca desde o meio do pseudo-gap em direção às bordas das bandas de valência (dopagem tipo p) e de condução (dopagem tipo n). Em nossa explicação fenomenológica, consideramos que gmín e Tmín são a consequência de uma competição entre uma mobilidade de deriva (drift) de portadores ativada termicamente, e as variações na densidade de centros de recombinação resultantes da dopagem e da mudança de temperatura / Abstract: In this thesis we present a study of the dependence of the photoconductivity, I P C, with temperature, T, in intrinsic and Ga- (p-type) and As- (n-type) doped a-Ge:H thin films, deposited by the rf-sputtering technique in the Photovoltaics Research Laboratory of the IFGW/Unicamp. Four types of measurements were realized on samples: (i) I P C as a function of the illumination frequency, for different temperatures, (ii) I P C as a function of the photon energy, for different T, (iii) I P C as a function of T, for fixed photon energy, and (iv) I P C as a funtion of the illumination intensity, for different T. From the spectral response of the intrinsic a-Ge:H sample, we observed a decrease of the Urbach energy, Eo, with the decrease of T, consistently with results on EXAFS (Extended X-Ray Absorption Fine Structure) measurements, which emphasize the presence of two major contributions to Eo, one from the static, or topological disorder, and the other from the thermal disorder, which is enhanced with increasing T. From the measurements of IPC as a function of T, we noticed the presence of 3 distinct regions: (I) for T < 40K, in all the analyzed samples IPC is poorly activated with T, with activation energies less than 1.5 meV, which is compatible with a transport mechanism by hopping between nearest neighbours band tail localized states (NNH, nearest-neighbour hopping); (II) for 150K < T < 260K, all the samples present an activated behavior of IPC with T, with activation energies between 102 - 167 meV, consistently with either a transport mechanism by hopping between shallow band tail localized states, or a transport by extended states close to the band edges; and (III) for T > 260K, we observed the presence of thermal quenching, TQ, of the photoconductivity in the intrinsic sample, in all the As-doped a-Ge:H samples and in the most lightly Ga-doped a-Ge:H samples. In the remaining Ga-doped samples, TQ is less evident, instead we noticed the presence of a shoulder, or plateau. Both the TQ onset temperature and its intensity vary with doping. In measurements of I P C as a function of the photon flux, for different T, we observed an I P C a Fg behavior. In all samples a gmín corresponding to a Tmín was measured. Both gmín e Tmín values vary with doping. Generally, gmín e Tmín are maxima in compensated samples and decrease as the Fermi energy is shifted from midgap either to the valence (p-type doping) or conduction (n-type doping) band edges. In our phenomenological explanation, we consider gmín e Tmín as a consequence of the competition between the carriers thermally activated drift mobility, and the variations in the density of recombination centers, due to doping and temperature changes / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Lucas Fugikawa Santos / Banca: Gregório Couto Faria / Banca: Cleber Alexandre de Amorim / Resumo: No presente trabalho produziram-se filmes finos transparentes de ZnO depositados pela técnica de spray-pirólise com objetivo de estudar o comportamento de suas propriedades elétricas durante a incidência de luz UV e após a incidência de luz (no escuro). Para tal, foram propostos três designs experimentais do tipo fatorial de dois níveis, um do tipo fatorial fracionário com base no modelo de Plackett-Burman e dois fatoriais completos. Na realização desses experimentos, variou-se parâmetros de produção do filme e também parâmetros experimentais no momento da realização da medida, sendo nove parâmetros no total. Através dos dados obtidos nesses experimentos, obteve-se respostas experimentais. Em cima disso foram realizadas analises estatísticas. Assim, através dessas análises se conheceu quais os fatores experimentais tiveram maior influência em cada uma dessas respostas e os resultados obtidos tiveram um bom acordo com a teoria, indicando a eficácia dos experimentos fatoriais de dois níveis realizados. Por fim, foi realizado medidas de predição e comparado as respostas obtidas nessas medidas com os dados estatísticos obtidos. Através dessa comparação, foi encontrado uma resposta reprodutível, indicando assim a possibilidade aplicação de filmes de ZnO na área de sensores / Abstract: In the present work, transparent thin films of ZnO deposited by the spray - pyrolysis technique were used to study the behavior of their electrical properties during the incidence of UV light and after the incidence of light (in the dark). For that, three experimental designs of the two - level factorial type were proposed, one of the fractional factorial type based on the Plackett - Burman model and two complete factorials. In the performance of these experiments, parameters of production of the film were varied as well as experimental parameters at the moment of the measurement, being nine parameters in total. Through the data obtained in these experiments, experimental responses were obtained. Statistical analyzes were performed on top of this. Thus, through these analyzes it was known which experimental facto rs had the greatest influence on each one of these responses and the results obtained had a good agreement with the theory, indicating the effectiveness of the two - level factorial experiments performed. Finally, prediction measures were performed and the r esponses obtained in these measurements were compared with the statistical data obtained. Through this comparison, a reproducible response was found, thus indicating the possibility of applying ZnO films in the area of sensors / Mestre

MELO, T. F. Obtenção de uma célula solar fotovoltaica baseada em CdS e TiO2 fotossensibilizada com corante em substrato de vidro com camada condutora. 2014. 90 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Mecânica) – Centro de Tecnologia, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2014. / Submitted by Marlene Sousa (mmarlene@ufc.br) on 2015-03-05T11:43:18Z No. of bitstreams: 1 2014_dis_tfmelo.pdf: 3211633 bytes, checksum: 047f4fcb695cbf88597e4382a967713e (MD5) / Approved for entry into archive by Marlene Sousa(mmarlene@ufc.br) on 2015-03-24T11:48:42Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2014_dis_tfmelo.pdf: 3211633 bytes, checksum: 047f4fcb695cbf88597e4382a967713e (MD5) / Made available in DSpace on 2015-03-24T11:48:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2014_dis_tfmelo.pdf: 3211633 bytes, checksum: 047f4fcb695cbf88597e4382a967713e (MD5) Previous issue date: 2014-06-02 / This research describes the process of obtaining a photovoltaic cell, since getting electrical conductor glasses used for the flow of electrons coming from the photovoltaic effect until the deposition of thin films of semiconductor titanium dioxide (TiO2) and cadmium sulfide (CdS) at each of these glasses. The use of natural or synthetic dyes deposited on titanium dioxide layer has the objective to increase the absorption spectrum of the TiO2, since sunlight emits most of its energy in the frequency range of visible light. After joining the two glasses with thin films deposited over TiO2 plus dye and CdS, it was used a potassium triiodide electrolyte for regeneration and consequently the activation of photovoltaic solar cell. After mounting the cell concerned, tests of photoactivity have been performed by exposing the cells to sunlight collected for specified periods and the values of voltage and photocurrent generated. Theoretical studies have been conducted to mathematical modeling of the behavior of the solar cell mounted, and then we have analyzed the efficiency of converting solar energy into electrical energy. The constituents of the cell have been characterized by the techniques of X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) for analyzing the porosity, uniformity and other physical parameters of thin films. / O presente trabalho descreve o processo de obtenção de uma célula fotovoltaica, desde a obtenção de vidros condutores elétricos utilizados para o fluxo dos elétrons oriundos do efeito fotovoltaico, até a deposição dos filmes finos dos semicondutores dióxido de titânio (TiO2) e sulfeto de cádmio (CdS) em cada um dos vidros. O uso de corantes naturais ou sintéticos na camada depositada de dióxido de titânio possuiu como objetivo aumentar o espectro de absorção do mesmo, uma vez que a luz solar emite uma grande parte de sua energia na faixa de frequência da luz visível. Depois de unir os dois vidros com os filmes finos depositados de TiO2 mais corante e o CdS, utilizou-se o eletrólito de tri-iodeto de potássio para a regeneração e consequentemente a ativação da célula solar fotovoltaica. Após a montagem da célula em questão, foram realizados testes de fotoatividade, expondo as células ao sol por períodos determinados e coletados os valores da fotocorrente gerada e a tensão, além disso, foram realizados estudos teóricos para modelagem matemática do comportamento da célula solar montada e em seguida analisou-se a eficiência de conversão de energia solar em energia elétrica. Os constituintes da célula foram caracterizados pelas técnicas de difração de raios-X (DRX) e microscopia eletrônica de varredura (MEV) para analisar a porosidade, uniformidade e outros parâmetros físicos dos filmes finos.