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Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs / Optical properties of stacked inP/GaAs quantum dots

Veloso, Aline Bessa 07 October 2007 (has links)
Orientador: Fernando Iikawa / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-09T11:09:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Veloso_AlineBessa_M.pdf: 2273008 bytes, checksum: 19cf5ce00aebec12cc1795518a811244 (MD5) Previous issue date: 2007 / Resumo: Nesta dissertação, estudamos as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos (QDs) empilhados de InP/GaAs, crescidos por método de auto-formação, conhecido como o modo Stranskii-Krastanov, em um sistema de epitaxia por feixe químico. Os pontos quânticos de InP/GaAs possuem alinhamento das bandas tipo-II nas interfaces, onde somente o elétron fica confinado no QD, enquanto o buraco fica localizado em volta dele na camada de GaAs atraído pelo elétron. Investigamos amostras com diferentes separação d entre duas camadas de QDs de InP, variando de 3 a 12 nm. As análises estruturais foram feitas por técnica microscopia eletrônica de transmissão (TEM) e as análises ópticas por fotoluminescência de feixe contínuo (PL-CW) e de resolvida no tempo (PL-RT) com a temperatura variando de 2 a 120 K. As imagens de TEM mostram alinhamento vertical dos QDs e maiores tamanhos para os que estão na segunda camada. As medidas de PL-CW, a baixas temperaturas, apresentam largura de linha da banda de emissão mais estreita e simétrica nas amostras de QDs empilhados do que a de amostra de uma camada simples. Isso é atribuído à maior uniformidade de tamanhos de QDs da segunda camada. Atribuímos aos efeitos de acoplamento quântico e de tunelamento dos portadores entre QDs, à redução de energia do pico de PL com a diminuição de d. Observamos que o decaimento temporal de PL é independente de d e é relativamente rápido, ~0,6 ns, para uma estrutura com alinhamento de banda tipo-II. Isso sugere a presença de outros canais de captura de portadores de cargas reduzindo o tempo de vida dos éxcitons em nossos QDs. Observamos também uma redução do tempo de vida na região de maior energia de emissão em todas as amostras, indicando a transferência de portadores de cargas dos QDs muito pequenos para os grandes. O aumento da temperatura resultou na redução da energia de transição e da intensidade integrada nas medidas de PL-CW, bem como, do tempo de vida dos éxcitons. A redução da energia de transição se deve à transferência de elétrons dos QDs pequenos para grandes via wetting layer, devido à excitação térmica. Mas a contribuição desse efeito é menor nas amostras de QDs empilhados, devido aos efeitos de tunelamento dos elétrons entre QDs alinhados e à uniformidade dos tamanhos. A redução da intensidade integrada de PL e no tempo de decaimento se deve a excitação térmica do elétron para o estado contínuo da wetting layer / Abstract: We studied the optical and structural properties of stacked InP/GaAs quantum dots (QD) grown by the self-organized Stranskii-Krastanov mode in a chemical beam epitaxy system. The InP/GaAs quantum dots present type-II band alignment, where only the electron is confined in the QD, while the hole is localized around it, in the GaAs layer, due to the Coulomb attraction. We investigated samples with different space-layer d between two stacked InP QDs varying from 3 to 12 nm. The structural analysis was performed by using transmission electronic microscopy (TEM) and the optical analysis by using continuous wave (CW) and time-resolved (TR) photoluminescence (PL) techniques with temperature varying from 2 to 120 K. The TEM images show clear vertical alignment of quantum dots and slightly larger size for QDs of the second layer. The CW-PL spectra measured at low temperatures present narrower QD emission band and more symmetric for stacked QDs samples than single layer one. This is attributed to the uniformity of the QDs in double layers samples. We also observed the PL red-shift with the reduction of d, which is attributed to the quantum coupling and the tunneling effects of the carriers between aligned QDs. We observed that the PL decay time is independent of d and is relatively fast, ~0,6 ns, for a structure with type-II band alignment. This suggests the presence of other carrier capture channels that reduce significantly the exciton lifetime in our QDs. The carrier lifetime is shorter in the higher emission energy region in all samples, indicating the carrier transference from the smaller QDs to the larger ones. Increasing the temperature we observed a reduction of the transition energy and the integrated CW-PL intensity, as well as, of the exciton lifetime. The energy shift is due to the electron transference from the small QDs to the larger ones, through wetting layer, due to the thermal excitation. The contribution of this effect is smaller on the stacked QDs, due to the dot uniformity and the electron tunneling effect. The reduction of the CW-PL integrated intensity and the carrier decay time is due to the thermal excitation of the electron to the continuous state of the wetting layer / Mestrado / Física da Matéria Condensada / Mestre em Física
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Estudo experimental e mecânico quântico “ab initio” para investigar as propriedades estruturais e eletrônicas do zirconato de cálcio

Oliveira, Marisa Carvalho de 09 March 2015 (has links)
Submitted by Erika Demachki (erikademachki@gmail.com) on 2015-10-20T16:10:47Z No. of bitstreams: 2 Dissertação - Marisa Carvalho de Oliveira - 2015.pdf: 4885786 bytes, checksum: dc80df46a03026848ef312280e8ad95c (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) / Approved for entry into archive by Erika Demachki (erikademachki@gmail.com) on 2015-10-20T16:12:27Z (GMT) No. of bitstreams: 2 Dissertação - Marisa Carvalho de Oliveira - 2015.pdf: 4885786 bytes, checksum: dc80df46a03026848ef312280e8ad95c (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-10-20T16:12:27Z (GMT). No. of bitstreams: 2 Dissertação - Marisa Carvalho de Oliveira - 2015.pdf: 4885786 bytes, checksum: dc80df46a03026848ef312280e8ad95c (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) Previous issue date: 2015-03-09 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / Perovskites compounds such as calcium zirconate have the formula ABO3 and form a class of materials with optical, magnetic and electrical properties and can have various interesting scientific and technological applications. Perovskites materials will be reported in this work due to present physical and chemical stability and interesting properties studies. In the case, experimental investigations associated with theoretical calculations will be based on "ab initio" guided by the theoretical and computational chemistry based on CRYSTAL09 program. These theoretical simulations give a powerful complement to experimental techniques in order to provide structural and electronic information more detailed to the atomic level. Therefore, this search aims to study and analyze the synthesis of perovskites by the polymeric precursor method, perform characterization of the samples by X-ray diffraction (XRD), Rietveld refinement, Raman spectroscopy, spectroscopy in the UVvisible region (UV-vis), Transmission Electron Microscopy (TEM), photoluminescence spectroscopy (PL) and a computational theoretical study. The theoretical modeling will be developed using computational methods ab initio through periodic quantum mechanical method, aiming to provide information about the structural arrangement, electronic, optical and energy systems, confirming the experimental data, FL obtaining emission spectra for CZO doped to 900 °C and 1000 °C pure, as well as density of states diagrams band structure and charge density / Compostos perovisquitas como o Zirconato de Cálcio apresentam fórmula estrutural ABO3 e formam uma classe de materiais com propriedades ópticas, magnéticas e elétricas interessantes e podem ter diversas aplicações científicas e tecnológicas. Materiais perovisquitas serão retratados neste trabalho, devido apresentar estabilidade físico-química e interessantes propriedades de estudos. Deste modo, investigações experimentais associadas a estudos teóricos foram baseados em cálculos “ab initio” pautados na Química teórica e computacional com base no programa CRYSTAL09. Estas simulações teóricas darão um complemento poderoso às técnicas experimentais, no intuito de fornecer informações estruturais e eletrônicas mais detalhadas ao nível atômico. Portanto, esse trabalho teve por objetivo estudar e analisar a síntese de perovisquitas pelo método dos precursores poliméricos, realizar caracterizações das amostras por intermédio de difração de raios X (DRX), refinamento de Rietveld, Espectroscopia Raman, Espectroscopia na região do Ultravioleta-visível (UV-vis), Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET), Espectroscopia de Fotoluminescência (FL) e um estudo teórico computacional. A modelagem teórica foi desenvolvida utilizando métodos computacionais ab initio por meio do método mecânico quântico periódico, com intuito de fornecer informações sobre o arranjo estrutural, eletrônico, óptico e energético dos sistemas, corroborando com os dados experimentais, obtendo espectros de emissão FL para CZO dopado a 900°C e puro a 1000°, como também diagramas de densidade de estados, estrutura de bandas e mapa de cargas.
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Síntese e caracterização de CaTiO3 dopado com Tb3+ e Yb3+

Alvarenga, Lidianne Dias de 16 July 2013 (has links)
Submitted by Erika Demachki (erikademachki@gmail.com) on 2015-03-04T21:01:51Z No. of bitstreams: 2 Dissertação - Lidianne Dias de Alvarenga - 2013.pdf: 2431358 bytes, checksum: ad3757d9260c06bc86b5d120f613787e (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) / Approved for entry into archive by Erika Demachki (erikademachki@gmail.com) on 2015-03-04T21:02:03Z (GMT) No. of bitstreams: 2 Dissertação - Lidianne Dias de Alvarenga - 2013.pdf: 2431358 bytes, checksum: ad3757d9260c06bc86b5d120f613787e (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-03-04T21:02:03Z (GMT). No. of bitstreams: 2 Dissertação - Lidianne Dias de Alvarenga - 2013.pdf: 2431358 bytes, checksum: ad3757d9260c06bc86b5d120f613787e (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) Previous issue date: 2013-07-16 / Crystalline samples of CaTiO3: X with X = Tb or/and Yb were stoichiometrically prepared by the polymeric precursor method. The structure of the doped sample was analyzed by X-ray diffraction measurements. The diffraction pattern showed a single phase perovskite-related type orthorhombic. The X-ray diffraction was used to evaluate order-disorder materials calcined at different temperatures, and to calculate the lattice parameters and crystallite size of the materials. XANES spectra were used to evaluate the local order around the Ti atoms and correlating with pre presence of clusters TiO5-TiO6. The photoluminescent property of the obtained materials was investigated for the powders calcined at different temperatures and observed a greater issue for photoluminescent material heat treated at 500 ° C. / Amostras estruturalmente ordenadas e desordenadas de CaTiO3:X com X= Tb e/ou Yb foram estequiometricamente preparadas pelo método dos precursores poliméricos. A estrutura cristalina da amostra dopada foi analisada pelas medidas de difração de raios X. O padrão de difração obtido para as amostras estruturalmente ordenadas revelou uma única fase relacionada a fase perovsquita do tipo ortorrômbica do material. A difração de raios X também foi utilizada para avaliar a ordem-desordem estrutural dos materiais calcinados a diferentes temperaturas, bem como para calcular os parâmetros de rede e tamanho do cristalito dos materiais. Espectros de XANES foram utilizados para avaliar a ordem local ao redor dos átomos de Ti e correlacionar a altura da pré-borda com a presença de clusters de TiO5-TiO6. A propriedade fotoluminescente dos materiais obtidos foi investigada para os materiais calcinados em diferentes temperaturas, observando uma maior emissão fotoluminescente para o material tratado termicamente a 500ºC.
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Influência do ambiente químico na fotoluminescência de oxi-nitreto de titânio dopado com érbio / Influence of the chemical environment on the photoluminescence of Er-doped TiNxOy thin films

Scoca, Diego Leonardo Silva, 1987- 12 October 2013 (has links)
Orientador: Fernando Alvarez / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-24T01:43:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Scoca_DiegoLeonardoSilva_M.pdf: 4961271 bytes, checksum: 2f6307ff4adda022c6df4b03d2014fdd (MD5) Previous issue date: 2013 / Resumo: Neste trabalho foi investigada a influência do ambiente químico na fotoluminescência de filmes finos de Oxi-nitreto de titânio dopados com érbio (TiNxOy : Er). Os filmes finos foram crescidos utilizando a técnica de Deposição por Feixe de Íons (IBD ¿ Ion Beam Deposition) e, a fim de modificar o ambiente químico ao qual os íons de Er3+ estão submetidos para controlar as características da fotoluminescência dos íons de érbio, foi realizado tratamento térmico sequencial sob atmosfera de oxigênio, durante 30 minutos em cada uma das seguintes temperaturas: 250°C, 500°C, 750°C e 1000°C. A investigação do estado atômico e da concentração relativa de cada elemento presente nos filmes foi analisada através da técnica de XPS, para as amostras antes (AD) de passarem pelo tratamento térmico e após todos os tratamentos serem realizados (TA). A estrutura cristalina dos filmes foi investigada por Difração de Raio-X à Baixo Ângulo (1°) antes (AD) e após (TA) o tratamento térmico, enquanto que, através de espectroscopia Raman, foi acompanhada cada etapa (temperatura) do tratamento térmico, possibilitando a identificação de duas fases distintas do TiO2, onde a 750°C foram detectados modos vibracionais referentes a fase anatásio e, a 1000°C, modos vibracionais relacionados a fase rutilo. Os resultados de XRD à Baixo Ângulo após o tratamento térmico corroboram com os resultados obtidos por espectroscopia Raman a mesma temperatura. As propriedades de fotoluminescência (PL) dos filmes estudados também foram investigadas em cada etapa do tratamento térmico, evidenciando a influência deste tratamento na fotoluminescência dos filmes. Vale ressaltar a influência do nitrogênio inicial, que por estar em diferentes concentrações em cada amostra, favoreceu diferentes ambientes químicos em função do tratamento térmico, que modificou notadamente as características de fotoluminescência das amostras. Também foi possível notar a influência das fases cristalinas do TiO2 na PL dos filmes, pois esta apresentou uma emissão estreita em ~ 550nm para os filmes estudados quando estes se cristalizaram na fase anatásio, comportamento inexistente quando os filmes se recristalizaram na fase rutilo do TiO2. Medidas de PL em função da temperatura também foram realizadas, de forma que o quenching das emissões na região verde do espectro eletromagnético pôde ser observado, fornecendo uma estimativa para a diferença entre os níveis 2H11/2 e 4S3/2 dê ~ 93 meV (750 cm-1), concordando bem com a separação teórica calculada entre esses níveis. Portanto, neste trabalho foram observadas cinco emissões dos íons trivalente de vi érbio, com comprimentos de onda ~525nm, ~ 550nm, ~ 680nm, ~ 980nm e ~ 1540nm referentes as respectivas transições 2H11/2 -> 4 I15/2, 4S3/2 -> 4 I15/2, 4F9/2 -> 4 I15/2, 4I11/2 -> 4 I15/2 e 4I13/2 -> 4 I15/2, sendo que a característica das emissões no visível foram controladas a partir da concentração inicial de nitrogênio e da temperatura do tratamento térmico / Abstract: In this work was investigated the influence of chemical environment on photoluminescence of Erbium doped Titanium Oxi-Nitride thin films (TiNxOy : Er). The thin films were grown by Ion Beam Deposition technique and, in order to study the influence of the chemical environment which Er3+ ions are subjected, was performed a sequential thermal annealing in an oxygen atmosphere, during 30 minutes in each of the following temperatures: 250°C, 500°C, 750°C e 1000°C. The investigation of binding state and the relative concentration of each element in the films was analyzed by XPS technique for samples "as deposited¿ (AD) and after the ¿thermal annealing¿ (TA). The crystalline structure of the films was investigated by X-Ray Diffraction at Small Angle before (AD) and after thermal annealing (TA), while using Raman spectroscopy, each step of the thermal annealing was monitored. With this procedure was possible to identify two distinct phases of TiO2, with vibrational modes emerging at the annealing temperature of 750°C referring to anatásio phase and, annealing temperature of 1000°C associated with rutile. The results of XRD at Small Angle after thermal annealing corroborate the Raman spectra obtained at the same temperature. The properties of photoluminescence (PL) of the studied films were investigated in each stage of thermal annealing, showing the influence of this treatment on photoluminescence of the films. It is worth mentioning the influence of initial nitrogen that, being in different concentrations in each sample, favored different chemical environments after the annealing procedure, which markedly changed the characteristics of photoluminescence of the samples. It was also noted the influence of the crystalline phases of TiO2 in the PL of the films, by displaying a narrow emission at ~ 550nm when the thin film crystallized into anatásio phase, behavior absent when the recrystallization of the films took place in the rutile phase TiO2. PL measurements as a function of temperature also were performed, so the quenching of emission in the green region of electromagnetic spectrum can be observed. These experiments provide an estimate of the difference between the levels 2H11=2 and 4S3/2 of ~ 93 meV (750 cm-1), results that agree fairly well with the calculated theoretical separation between these levels. Therefore, in this work were observed five emissions of trivalent erbium ions, with wavelenghts ~ 525nm, ~ 550nm, ~ 680nm, ~ 980nm and ~ 1540nm regarding their transitions 2H11/2 -> 4 I15/2, 4S3/2 -> 4 I15/2, 4F9/2 -> 4 I15/2, 4I11/2 -> 4 I15/2 e 4I13/2 -> 4 I15/2, with characteristic of the visible emissions were monitored from the initial concentration of nitrogen and the annealing temperature / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Fotofisica de polimeros emissores de luz : MEH-PPV

Cossiello, Rafael Di Falco, 1980- 03 August 2018 (has links)
Orientador: Teresa Dib Zambon Atvars / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T21:54:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cossiello_RafaelDiFalco_M.pdf: 1572837 bytes, checksum: 19e63ede7b38e238cbb9b8b3d9a68b93 (MD5) Previous issue date: 2003 / Mestrado
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Eletrodeposição de filmes finos de CdSe : estudos ópticos "IN-SITU" e células fotoeletroquímicas

Ferreira, Neidenei Gomes 04 October 1986 (has links)
Orientador: Franco Decker / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T10:35:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ferreira_NeideneiGomes_M.pdf: 3071976 bytes, checksum: 84a71b3377a134090170ff4dcd010516 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Neste trabalho é estudado o fenômeno da refletância para um sistema de três fases eletrólito/filme/substrato, através de medidas realizadas "in-situ" durante a eletrodeposição de um filme semicondutor de CdSe sobre um substrato metálico. O tratamento teórico do fenômeno da refletância é feito a partir das equações de Fresnel. Da análise das curvas experimentais é possível determinar a taxa de crescimento e espessura óptica do filme em cada instante, a eficiência faradaica do processo e a dependência do índice de refração do filme com o comprimento de onda da luz incidente. Análises em Microscopia Eletrônica de Varredura permitem avaliar o fator de rugosidade do substrato e espessura microscópica do filme. Mostra-se também a aplicação deste filme semicondutor como camada fotossensível em células solares fotoeletroquimicas. A caracterização das células é feita por medidas de corrente de curto circuito, fotopotencial, eficiência de conversão sob iluminação policromática e eficiência quântica sob iluminação monocromática / Abstract: In this work the reflectance for a three phase system electrolyte/film/substract is studied through measurements made "in-situ" during the electrodeposition of a CdSe semiconductor film on a metallic substrate. The theoretical treatment of the reflectance phenomenon is derived from the Fresnel equations. From the analysis of the experimental data it is possible to establish the growth rate arid the optical film thickness at each instant, the Faradaic efficiency of the process and the film refraction index dispersion as a function of the wavelength of the incident light. Scanning electron microscopy analysis allowsto evaluate the substrate roughness factor and the film microscopic thickness. Moreover, it is shown the use of this semiconductor film as a photosensitive layer in solar photoelectrochemical cells. The cell characterization is made by means of measurements of short circuit currentt photopotential, conversion efficiency under polychromatic light and quantum efficiency under monochromatic light illumination / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Correlação entre propriedades magneticas e fotoluminescencia do vidro magnetico : vidro aluminosilicato com alto conteudo de MnO

Nunes Filho, Evaristo 18 July 1977 (has links)
Orientador: Carlos Alfredo Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T16:33:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 NunesFilho_Evaristo_M.pdf: 1231645 bytes, checksum: 3b36c1a375c3c73ba766e8fda16af54e (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Neste trabalho, realizamos o estudo da luminescência do íon Mn2+ no vidro A12O3, MnO, SiO2, nas regiões de temperatura onde ocorre ordenamento magnetico de curto e longo alcance ( ~ 30 K e 3 K respectivamente ). Verificamos a estas temperaturas dois shifts em energia do maxímo da banda de luminescencia ( ~ 125 cm-1 a 30 K e 225 cm-1 a 3 K ), o segundo acompanhado de uma abrupta elevação da intensidade do espectro de luminescência. Na interpretação dos resultados é utilizado o modêlo de Neel para particulas finas antiferromagneticas, assim como os dados de Graaf, nesta amostra. Os resultados são interpretados com auxílio desta teoria e um modêlo é elaborado para explicar os shifts. Argumentos de simetria explicam o aumento na intensidade como devido a quebra das regras de seleção, provocada pela contração anisotropica a ~ 3 K / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Conversão ascendente de frequências e efeito térmico em transições assistidas por fônons em vidros teluretos dopados com Nd³+

MARQUES, Murilo Sodré 21 December 2011 (has links)
Submitted by Alexandra Feitosa (alexandra.feitosa@ufpe.br) on 2017-07-24T13:56:33Z No. of bitstreams: 1 2011-Dissertação-MuriloSodreMarques.pdf: 3306431 bytes, checksum: 208f5d5c903bd2e05e2233fecfe78bb4 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-07-24T13:56:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2011-Dissertação-MuriloSodreMarques.pdf: 3306431 bytes, checksum: 208f5d5c903bd2e05e2233fecfe78bb4 (MD5) Previous issue date: 2011-12-21 / Nesse trabalho foram estudadas amostras vítreas de composição (% em massa) 85TeO2(15–x)ZnOxNd2O3, (x=1, 2 e 3). Bandas de emissão do ultravioleta ao visível foram observa-das e suas origens foram parcialmente analisadas através da obtenção dos espectros de emissãoe absorção das amostras, com o auxílio da teoria de Judd-Ofelt. A dependência da amplitudedos sinais de fotoluminescência com a intensidade do laser e a sua variação com a temperaturadas amostras foram analisadas. Como fontes de bombeamento, utilizou-se um OPO operandoem 805 nm (pulsos de 5 ns, 10 Hz), em ressonância com a transição(2H9=2;4F5=2)!4I9=2,e o terceiro harmônico de um laser deNd:Y AGoperando em 355nm(pulsos de 5ns, 8 Hz)em ressonância com a transição(4D3=2!4I9=2)dos íons deNd+3. Os resultados obtidospermitiram identificar os principais mecanismos que contribuem para a fotoluminescência daamostras. Além do estudo das emissões envolvendo a participação de dois ou mais fótons in-cidentes, correspondendo à luminescência nos comprimentos de onda 361, 386, 417 e 454 nm,foi aprofundado o estudo da Conversão Ascendente de Frequências com emissão centrada em750 nm. Neste caso foi identificado o processo no qual um fóton do laser incidente em 805 nm,origina a emissão em 750 nm com a participação de fônons da rede hospedeira. Foi possívelexplicar a emissão em 750 nm e ratificar a hipótese de Auzel e Pellé do aumento da intensidadeemitida com a temperatura a partir da descrição em termos de um modo efetivo de fônons (oumodo promotor), com frequência menor que a frequência de corte da rede hospedeira. Parao estudo da emissão em 750 nm as amostras foram submetidas a diferentes temperaturas nointervalo de100 °Ca 250 °C. / Glass samples with composition (% in weight) 85TeO2(15–x)ZnOxNd2O3, (x=1, 2 e 3)were studied in this work. Emission bands from ultraviolet to visible were observed and theirorigins were partially analyzed based on the absorption and emission spectra of the samples,with the basis on the Judd-Ofelt theory. The dependence of the photoluminescence intensitywith the laser intensity and its dependence with the samples’ temperature were analyzed. Thelight sources used for excitation were an OPO operating at 805 nm (5ns pulses, 10 Hz), inresonance with the transition(2H9=2;4F5=2)!4I9=2, and the third harmonic of aNd:Y AGlaser operating at 355nm(5ns pulses, 8Hz) in ressonance with the transition(4D3=2!4I9=2)of theNd3+ions. The results obtained allowed to identify the main mechanisms that contributefor the photoluminescence of the samples. Besides excitation processes involving two or moreincident photons, corresponding to the luminescence at the wavelengths 361, 386, 417 and 454nm, the emission centered at 750 nm was also investigated. In this case a mechanism wasidentified in which an incident laser photon at 805 nm originates luminescence at 750 nm withthe participation of phonons. It was possible to explain the emission at 750 nm and ratify theAuzel and Pelle hypothesis of increase of intensity emitted with temperature variation assumingcontribution of an effective mode of phonons (or promoter mode), with frequency smaller thanthe host lattice cutoff frequency. To study the emission at 750 nm the samples were subjectedto different temperatures in the range of100 °Cto 250 °C.
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[Zn(BDC)(H²O)²In: Estudo espectroscópico de fotoluminescência e extração em fase sólida de hidrocarbonetos policíclicos aromáticos

WANDERLEY, Kaline Amaral 31 January 2010 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T23:03:30Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo939_1.pdf: 6822060 bytes, checksum: 32b2513c1b618ed74506f3d652c6927f (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2010 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Neste trabalho, o polímero de coordenação [Zn(BDC)(H2O)2]n foi obtido através de síntese hidrotermal por estufa e por microondas, caracterizado por microscopia eletrônica de varredura, análise elementar, difração de raios-x de pó, espectroscopia de infravermelho e análise termogravimétrica, foi estudado espectroscopicamente por luminescência em estado estacionário e resolvido no tempo, além de testado como fase estacionária na extração em fase sólida de 16 hidrocarbonetos policíclicos aromáticos (HPAs). Todos os dados obtidos a partir do estudo espectroscópico de luminescência realizado puderam propor um mecanismo de aniquilação tripleto-tripleto com intensas emissões de fluorescência atrasada e fosforescência, com diferentes tempos de vida. A presença do átomo pesado na estrutura do polímero de coordenação [Zn(BDC)(H2O)2]n torna a estrutura mais rígida, mais estável e com propriedades ópticas mais eficientes que o ligante livre. Os resultados obtidos foram espetaculares e inéditos, uma vez que as propriedades ópticas do material não haviam sido detalhadas e estudadas assim como foi realizado neste trabalho. Por outro lado, quando comparado a duas outras fases estacionárias (octadecilsilano C18 e strata-X) na extração em fase sólida a uma vazão constante, o composto sintetizado obteve ótimos resultados com 99% de adsorção de HPAs, devido às fortes interações π-π da estrutura, podendo ser eficientemente utilizado em extrações de compostos lipofílicos e hidrofóbicos. Os padrões de raios-x de pó do polímero de coordenação antes e após o experimento de SPE mostraram que a estrutura em uma dimensão e em zig-zag, é bastante rígida, estável e robusta. Provando que o polímero de coordenação [Zn(BDC)(H2O)2]n pode facilmente substituir um polímero orgânico já conhecido comercialmente e muitas vezes de alto custo, minimizando gastos e aumentando a seletividade e a confiabilidade nos resultados desejados
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Influência de parâmetros físicos no desempenho de PLEDs

Silva, Silésia de Fátima Curcino da 22 September 2016 (has links)
Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado de Minas Gerais / Na investigação científica, o desenvolvimento de novas técnicas de produção de filmes com boas propriedades físicas é de grande importância para áreas de pesquisas como a eletrônica orgânica. No entanto, as implicações causadas por campo elétrico, temperatura e pressão positiva em materiais orgânicos constitui um dos pontos importantes a serem bem compreendidos a fim de evitar problemas na eficiência de emissão em diodos emissores de luz poliméricos (PLEDs). Entender e esclarecer os efeitos de interfaces eletrodo/polímero e polímero/polímero, bem como também a aplicação de pressão externa sobre a estabilidade óptica e elétrica dos dispositivos são passos essenciais para a compreensão, e consequentemente desenvolvimento de dispositivos com melhores desempenhos.1 Por este ângulo, neste trabalho investigamos os efeitos de processos externos como: campo elétrico, temperatura e pressão externa sobre a eficiência de emissão do polímero poli(2-metoxi-5-(2'- etil-hexiloxi)-1,4-fenilenovinileno) (MEH-PPV) em filme na estrutura de PLED. Foi possível correlacionar a dependência da fotoluminescência (PL) para diferentes polarizações do laser (linear ou circular), polarização da tensão aplicada (direta ou reversa) e sobre as temperaturas de relaxação molecular (Tß ~220K e Tα ~330K). Além disso, foram investigados os efeitos induzidos pela aplicação de pressão positiva sobre o dispositivo na temperatura próximo da Tß do MEH-PPV, demonstrando uma quebra na simetria de filme amorfo de MEH-PPV spin- coated, cujo efeito pode ser evitado através de tratamentos de annealing dos dispositivos (T > Tg) ou alterando a interface polímero/polímero. Também investigamos o efeito do campo elétrico na estabilidade térmica de dispositivo PLED utilizado o polímero luminescente poli(9,9'-n-dihexil-2,7-fluorenodiilvinileno-alt-1,4-fenilenovinileno) (LAPPS16) como camada ativa. Demonstramos que os perfis dos espectros da fotoluminescência e eletroluminescência são semelhantes, mostrando que os mecanismos envolvidos na geração dos estados excitados não mudam significativamente o processo de recombinação radiativa. No entanto, apesar de terem o mesmo processo fotofísico, mostramos que os processos não radiativos ativados termicamente são bastante diferentes entre a PL e EL, demonstrando que esses dois processos de emissão não são diretamente relacionados. Por fim, realizamos caracterizações ópticas e elétricas de filmes finos, transparentes e flexíveis de seleneto de cobre (Cu2-XSe) demonstrando que é possível sua aplicação como eletrodo injetor de buraco em dispositivos PLEDs apresentando boas propriedades, sendo obtidos através de técnicas simples e de baixo custo. Os diodos emissores foram processados utilizando o Cu2-XSe como eletrodo ânodo e como camada ativa utilizamos o polímero MEH-PPV. Demonstramos que o filme de Cu2-xSe apresentou boa estabilidade elétrica com valores de resistência de folha de ~148 Ω/❑ e energia de bandgap de ~2,3eV, cujos valores são propícios para aplicações em dispositivos eletrônicos. Também mostramos via fotoluminescência e eletroluminescência que os filmes de Cu2-xSe possuem propriedades de emissão e através dos PLEDs utilizando o Cu2- xSe como eletrodo investigamos a barreira de energia para os portadores de carga na interface eletrodo/polímero e analisamos os mecanismos de transportes de cargas presentes nestes dispositivos. / Scientific research to development of new film production techniques with good physical properties is of great importance to research areas such as organic electronics. However, the implications caused by electric field, temperature and positive pressure on organic materials is an important point to be understood in order to avoid problems in the emission efficiency of polymer light emitting diodes (PLEDs). Understand and clarify the effects of electrode/polymer and polymer/polymer interfaces as well as the application of external pressure on the optical and electrical stability of the devices are essential steps towards understanding, and consequently the development of devices with better performances.1 In this sense, this study we investigated the effects of external processes such as: electric field, temperature and external pressure on the emission efficiency poly (2- methoxy-5- (2'-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylenevinylene) (MEH-PPV) film in PLED structure. It was possible to correlate the photoluminescence (PL) depends for different laser polarization (linear or circular), on the polarization voltage (forward and reverse) and on MEH-PPV molecular ß-relaxation (Tß~ 220K) and α-relaxation (Tα ~ 330K) temperatures. Furthermore, we investigated the effects induced by application of positive pressure on device at next temperature Tß MEH-PPV, it showing a break in the symmetry of amorphous film of MEH-PPV spin-coated, the effect can be avoided by annealing treatment the device (T> Tg) or altering the polymer/polymer interface. We also investigated the effect of electric field in the thermal stability of PLED device based on light-emitting polymer poly[(9,9-dihexyl-9H- fluorene-2,7diyl)-1,2-ethenediyl-1,4-phenylene-1,2-ethenediyl] (LAPPS16) as active layer. We showed that profiles of the photoluminescence and electroluminescence spectra are similar, showing that mechanisms involved in the generation of excited states do not significantly change the radiative recombination process. However, despite they have the same photophysical process, we showed that non-radiative processes thermally activated are quite different between the PL and EL, demonstrating that these two emission processes are not directly related. Finally, we performed optical and electrical characterization of thin films, transparent and flexible copper selenide (Cu2-xSe) demonstrating that it is possible its application as hole injector electrode for PLEDs devices exhibiting good properties, being obtained through simple techniques at low cost. Emitting diodes were processed using the Cu2-xSe as anode electrode and as active layer we use the MEH-PPV polymer. We showed that Cu2-xSe film exhibited good electrical stability with sheet resistance values of ~148 Ω/□ and bandgap energy of ~2,3eV, whose values are suitable for applications in electronic devices. We also showed through photoluminescence and electroluminescence that Cu2-xSe films have emission properties and by PLEDs using Cu2-xSe as electrode, we investigated the energy barrier for charge carriers at electrode/polymer interface and we analyzed charge transport mechanisms present in these devices. / Tese (Doutorado)

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