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Amplificador de baixo ruído totalmente integrado em CMOS

Esteves Távora, Filipe 31 January 2010 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T17:41:04Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7526_1.pdf: 7264753 bytes, checksum: 764085c312809041966e34bffa171d8d (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2010 / Esta dissertação descreve o projeto de dois amplificadores de baixo ruído (LNA), que é um dos blocos mais relevantes do sistema de recepção de rádio frequencia. Os circuitos, desenvolvidos em tecnologia CMOS 0,35 m da (Austria Micro System), foram baseados na norma IEEE 802.15.4 para serem aplicados a sistemas de redes de sensores sem fio. Apresenta-se uma dedução detalhada do fator de ruído para a configuração de fonte comum com degeneração indutiva, incluindo o ruído induzido no gate e o ruído devido a resistência parasita do gate, bem como duas adaptações de uma técnica de otimização para a figura de ruído em função do tamanho do transistor e da indutância de gate. Por fim, são apresentados dois casos de testes para operar em 915 MHz com seus desempenhos vericados através de simulações

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