A novel growth method has been developed, allowing for the growth of strained HgTe shells on CdTe nanowires (NWs). The growth of CdTe-HgTe core-shell NWs required high attention in controlling basic parameters like substrate temperature and the intensity of supplied material fluxes. The difficulties in finding optimized growth conditions have been successfully overcome in this work. We found the lateral redistribution of liquid growth seeds with a ZnTe growth start to be crucial to trigger vertical CdTe NW growth. Single crystalline zinc blende CdTe NWs grew, oriented along [111]B. The substrate temperature was the most critical parameter to achieve straight and long wires. In order to adjust it, the growth was monitored by reflection high-energy electron diffraction, which was used for fine tuning of the temperature over time in each growth run individually. For optimized growth conditions, a periodic diffraction pattern allowed for the detailed analysis of atomic arrangement on the surfaces and in the bulk. The ability to do so reflected the high crystal quality and ensemble uniformity of our CdTe NWs. The NW sides were formed by twelve stable, low-index crystalline facets. We observed two types stepped and polar sides, separated by in total six flat and non-polar facets. The high crystalline quality of the cores allowed to grow epitaxial HgTe shells around. We reported on two different heterostructure geometries. In the first one, the CdTe NWs exhibit a closed HgTe shell, while for the second one, the CdTe NWs are overgrown mainly on one side. Scanning electron microscopy and scanning transmission electron microscopy confirmed, that many of the core-shell NWs are single crystalline zinc blende and have a high uniformity. The symmetry of the zinc blende unit cell was reduced by residual lattice strain. We used high-resolution X-ray diffraction to reveal the strain level caused by the small lattice mismatch in the heterostructures. Shear strain has been induced by the stepped hetero-interface, thereby stretching the lattice of the HgTe shell by 0.06 % along a direction oriented with an angle of 35 ° to the interface. The different heterostructures obtained, were the base for further investigation of quasi-one-dimensional crystallites of HgTe. We therefore developed methods to reliably manipulate, align, localize and contact individual NWs, in order to characterize the charge transport in our samples. Bare CdTe cores were insulating, while the HgTe shells were conducting. At low temperature we found the mean free path of charge carriers to be smaller, but the phase coherence length to be larger than the sample size of several hundred nanometers. We observed universal conductance fluctuations and therefore drew the conclusion, that the trajectories of charge carriers are defined by elastic backscattering at randomly distributed scattering sites. When contacted with superconducting leads, we saw induced superconductivity, multiple Andreev reflections and the associated excess current. Thus, we achieved HgTe/superconductor interfaces with high interfacial transparency. In addition, we reported on the appearance of peaks in differential resistance at Delta/e for HgTe-NW/superconductor and 2*Delta/e for superconductor/HgTe-NW/superconductor junctions, which is possibly related to unconventional pairing at the HgTe/superconductor interface. We noticed that the great advantage of our self-organized growth is the possibility to employ the metallic droplet, formerly seeding the NW growth, as a superconducting contact. The insulating wire cores with a metallic droplet at the tip have been overgrown with HgTe in a fully in-situ process. A very high interface quality was achieved in this case. / Topologische Isolatoren (TI) sind ein faszinierendes Forschungsfeld der Festkörperphysik. Im Inneren sind diese Materialien isolierend, am Rand zeigen sich jedoch topologisch geschützte, leitfähige Oberflächen-Zustände. Ihre lineare Energiedispersion und die Kopplung des Elektronenspins an die Bewegungsrichtung ermöglichen die Untersuchung von Teilchen, die sich als Dirac-Fermionen beschreiben lassen. Für Nanodrähte, als Vertreter mesoskopischer Strukturen, spielen die Eigenschaften der Oberfläche eine größere Rolle, als für Strukturen mit makroskopischem Volumen. Ihr geringer Umfang beschränkt durch zusätzliche periodische Randbedingungen die erlaubten elektronischen Zustände. Durch ein externes Magnetfeld lassen sich TI-Nanodrähte vom trivialen in den helikalen Zustand überführen. Bringt man einen solchen Draht in direkten Kontakt mit einem Supraleiter, so werden Quasiteilchen vorhergesagt, die sich wie Majorana-Fermionen verhalten sollen. Zur Untersuchung dieser Phänomene sind zunächst entscheidende technologische Hürden zu überwinden. Verschiedene TI sind derzeit bekannt. HgTe ist einer von ihnen und zeichnet sich bei tiefen Temperaturen durch eine hohe Beweglichkeit der Oberflächen-Elektronen und gleichzeitig einer geringen Leitfähigkeit im Volumen aus. Die bisherigen Untersuchungen in diesem Materialsystem beschränken sich auf zwei- und dreidimensionale Strukturen. In dieser Arbeit wurde ein Verfahren zur Herstellung von quasi eindimensionalen TI-Nanodrähten entwickelt. Mittels vapor-liquid-solid Methode gewachsene CdTe Nanokristallite werden epitaktisch mit HgTe umwachsen. Die hergestellten Heterostrukturen werden mit Beugungsexperimenten charakterisiert, um den Einfluss der Wachstumsparameter wie Temperatur und Teilchenstrom auf die Qualität der Proben zu bestimmen und diese zu verbessern. In dieser Arbeit wird zum ersten mal eine Rekonstruktion der Oberflächenatome von Nanodrähten beschrieben. Für den Rückschluss auf die atomare Konfiguration mittels Elektronenbeugung müssen die einzelnen Kristallite eine hohe Selbstähnlichkeit aufweisen. Wie Bilder in atomarer Auflösung und hochaufgelöste Röntgenbeugung zeigen, werden einkristalline und verspannte CdTe-HgTe Strukturen erzeugt. Diese sollten die typischen TI Eigenschaften haben. Zur weiteren Untersuchung wurden Verfahren für die Manipulation und exakte Ausrichtung der Nanodrähte, sowie für die Kontaktierung mit verschiedenen Metallen entwickelt. Die blanken CdTe Nanodraht-Kerne selbst sind wie erwartet isolierend, mit HgTe umwachsene Proben jedoch leiten einen elektrischen Strom. Die aktuelle Forschung beschäftigt sich nun intensiv mit dem Transport von Ladungs-trägern durch diese Nanodrähte. Dazu wird die Leitfähigkeit der Proben unter anderem bei tiefen Temperaturen und in Abhängigkeit äußerer elektrostatischer und magnetischer Felder bestimmt. Es werden verschiedene Effekte beobachtet. Universelle Fluktuationen des gemessenen Widerstandes, als ein Beispiel, resultieren aus einer Veränderung der geometrischen Phase der Ladungsträger. Dieser Effekt deutet auf elastische Rückstreuung der Ladungsträger in den HgTe Nanodrähten hin. Die Beobachtung kohärenter Transportphänomene erlaubt den Rückschluss, dass inelastische Streuprozesse bei tiefen Temperaturen kaum eine Rolle spielen. Für Drähte mit supraleitenden Kontakten können induzierte Supraleitung und multiple Andreev-Reflektionen beobachtet werden. Zusammen mit dem beschriebenen excess current ist dies ein klares Zeichen für einen guten elektrischen Kontakt zwischen TI und Supraleiter. Zusätzlich beobachten wir eine Signatur nahe der Kante der Energielücke des Supraleiters, die eventuell durch pairing an der Grenzfläche zu erklären ist. Für die Verbindung von Spin-Bahn-Kopplung des TI und der Cooper-Paare des konventionellen Supraleiters wird die Entstehung eines unkonventionellen Supraleiters vorhergesagt. Dies ist ein weiteres interessantes Feld der modernen Festkörperphysik und Gegenstand aktueller Forschung. Besonders bemerkenswert ist in diesem Zusammenhang, dass der metallische Tropfen, welcher ursprünglich das Nanodraht-Wachstum katalysiert hat, bei tiefen Temperaturen supraleitend wird. Der in dieser Arbeit vorgestellte selbst-organisierte Wachstumsprozess resultiert in einer sauberen Grenzfläche zwischen TI und Supraleiter. Zur Untersuchung der Effekte an dieser Grenzfläche muss nicht zwingend in einem separaten Schritt ein supraleitender Kontakt aufgebracht werden. Die in dieser Arbeit vorgestellten Methoden und Erkenntnisse sind die Grundlage für die Realisierung von Experimenten, die geeignet wären, die erwarteten Majorana-Zustände in TI-Nanodrähten nachzuweisen.

Novel appraches to the molecular beam epitaxy of core-shell nanowires in the group II telluride material system were explored in this work. Significant advances in growth spurred the development of a flexible and reliable platform for a charge transport characterization of the topological insulator HgTe in a tubular nanowire geometry. The transport results presented provide an important basis for the design of future studies that strive for the experimental realization of topological charge transport in the quantum wire limit. / Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Herstellung und Charakterisierung von Nanodraht-Heterostrukturen, die den Topologischen Isolator HgTe enthalten. Bedeutende Fortschritte bei der Probenherstellung ermöglichten die Entwicklung einer flexiblen und zuverlässigen Plattform für Ladungstransportuntersuchungen. Die Ergebnisse dieser Transportuntersuchung bieten eine wichtige Grundlage für die Planung zukünftiger Studien, die den experimentellen Nachweis von topologischem Ladungstransport in quasi-eindimensionalen HgTe-Nanostrukturen zum Ziel haben.

We bring together aspects of magnetism and superconductivity to gain new insights in their coexistence. We have investigated molecular beam epitaxy grown topological insulator doped with magnetic atoms (hosting electrons in two dimensions) when brought in proximity to a superconductor, e.g Josephson junction (JJ), measured at 20 mK. We establish that a supercurrent can be induced in this class of material system. Magneto-transport of such devices at finite magnetic fields revealed curious “anti-hysteretic” behaviour which is understood as resulting from flux-focusing due to Meissner-like and screening current effects stemming from the superconducting leads. The influence of in-plane magnetic field on the junction supercurrent shows reentrance behaviour, tunable with in-plane field as well as temperature. We interpret these results as the first unambiguous observation of proximity-Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov state in the weak-link of the JJ driven by Zeeman field. The state is analogous to spatially inhomogeneous superconducting FFLO state but occurs in an intrinsically non superconducting material and is rather proximitized by superconductors into a supercurrent carrying state. The influence of rf-irradiation on the JJ dynamics near the reentrance regime is presented thereafter. Later, to understand the microscopic transport in these devices, we replace one of the superconducting leads of the JJ with a normal metal like Au. Bias-voltage dependent study has established phase coherent Andreev transport in our wide cavity-type device in the ballistic regime visible through interference effects. The zero-bias conductance shows a crossover from localization type effect in the many modes regime to anti-localization type effect in the few mode regime. Finally, conductance near the bandgap, where transport is dominated by the helical edge modes, a striking 2e^{2}/h conductance is observed instead of 4e^{2}/h contradictory to existing predictions. / Wir bringen Aspekte des Magnetismus und der Supraleitung zusammen, um neue Erkenntnisse über ihre Koexistenz zu gewinnen. Wir haben mittels Molekularstrahl-epitaxie gewachsene topologische Isolatoren untersucht, die mit magnetischen Atomen (die Elektronen in zwei Dimensionen beherbergen) dotiert sind, wenn sie in die Nähe eines Supraleiters gebracht werden, z. B. eines Josephson-Kontakten (engl. JJ), gemessen bei 20 mK. Wir stellen fest, dass in dieser Klasse von Materialsystemen ein Suprastrom induziert werden kann. Der Magnettransport solcher Bauelemente bei endlichen Magnetfeldern ergab ein interessantes “antihysteretisches” Verhalten, das als Folge der Fokussierung des Flusses aufgrund von Meissner-ähnlichen und abschirmenden Stromeffekten der supraleitenden Leitungen verstanden wird. Der Einfluss des Magnetfeldes in der Ebene auf den Superstrom zeigt ein Wiedereintrittsverhalten, das sowohl mit dem Feld in der Ebene als auch mit der Temperatur einstellbar ist. Wir interpretieren diese Ergebnisse als die erste eindeutige Beobachtung des Proximity-Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov-Zustands in der schwachen Verbindung des JJ, die durch ein Zeeman-Feld angetrieben wird. Der Zustand ist analog zum räumlich inhomogenen supraleitenden FFLO-Zustand, tritt aber in einem intrinsisch nicht supraleitenden Material auf und wird von Supraleitern eher in einen suprastromführenden Zustand umgewandelt. Anschließend wird der Einfluss der rf-Bestrahlung auf die JJ-Dynamik in der Nähe des Wiedereintrittsregimes dargestellt. Um den mikroskopischen Transport in diesen Bauelementen zu verstehen, haben wir später eine der supraleitenden Leitungen des JJ durch ein normales Metall wie Au ersetzt. Ein vorspannungsabhängiges Experiment hat den phasenkohärenten Andreev-Transport in unserem breiten Hohlraum-Bauelement im ballistischen Bereich durch Interferenzeffekte sichtbar gemacht. Der Nullvorspannungsleitwert zeigt einen Übergang vom Lokalisierungseffekt im Bereich vieler Moden zum Antilokalisierungseffekt im Bereich weniger Moden. Schließlich wird in der Nähe der Bandlücke, wo der Transport durch die helikalen Randmoden dominiert wird, ein auffallender Leitwert von 2e^{2}/h anstelle von 4e^{2}/h beobachtet, was im Widerspruch zu bestehenden Vorhersagen steht.