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Convertisseur DC-DC CMOS haut voltage pour actuateurs MEMS/MOEMS électrostatiques

Chaput, Simon January 2013 (has links)
La demande pour des appareils portables multifonctionnels encourage les manufacturiers à intégrer des microsystèmes électromécaniques (MEMS) ou optoélectromécaniques (MOEMS) à leurs produits pour réaliser de nouvelles fonctions ; les pico projecteurs constituent un excellent exemple. Or, dans le but d'utiliser ce type de composants, des tensions de polarisation variant entre 100 V et 300 V sont parfois nécessaires. La génération de ces tensions à partir de la pile de l'appareil exige des convertisseurs continu-continu (DC-DC) miniatures procurant un gain de tension de l'ordre de 100. C'est dans ce contexte général que ce projet réalisé pour Teledyne DALSA, un manufacturier de MEMS et concepteur de circuits intégrés haut voltage, a été réalisé. En intégrant ce circuit à ses circuits de contrôle de MEMS, Teledyne DALSA sera ainsi en mesure de proposer des systèmes plus complets à ses clients. Ce mémoire présente la conception d'un convertisseur DC-DC dans la technologie CO8G CMOS/DMOS haut voltage de Teledyne DALSA. Pour que la solution développée soit assez flexible, le circuit permet un ajustement de la tension de sortie entre 100 V et 300 V pour une puissance de sortie inférieure ou égale à 210 mW à partir d'une tension de batterie entre 2,7 V et 5,5 V. Afin de permettre une longue autonomie des appareils portables, ce projet vise une efficacité de transfert d'énergie de 70 % à la puissance de sortie typique de 75 mW à 220 V. De plus, la solution développée doit être la plus petite possible. À partir de l'état de l'art des circuits de gestion de l'alimentation, ce mémoire présente une conception haut niveau du circuit basée sur des raisonnements et calculs mathématiques simples. Bâtissant sur ces concepts, ce travail détaille la conception des composants de puissance, du circuit de puissance et du contrôleur nécessaire à la réalisation de ce projet. Bien que certaines difficultés, notamment le niveau moyen de l'oscillation de la tension de sortie de 1,6 V, ne permettent pas d'utiliser dès maintenant le circuit développé dans une application commerciale, la solution proposée démontre une amélioration entre 15 % et 43 % de l'efficacité de conversion par rapport au circuit flyback actuel de Teledyne DALSA. De plus, la solution proposée intègre un transistor de puissance 78 % plus petit que les transistors standards disponibles dans la technologie CO8G. Étant donnée l'innovation du circuit présenté au niveau des composants de puissance, du circuit de puissance et du contrôleur, ces résultats de l'implémentation initiale laissent envisager un bon potentiel pour cette architecture après une révision.
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Circuits d'instrumentation intégrés pour caractérisation de diodes monophotoniques à avalanche en technologie CMOS haute tension 0,8 μm

Rhéaume, Vincent-Philippe January 2015 (has links)
Les travaux présentés dans ce mémoire s'inscrivent dans le contexte du Groupe de Recherche en Appareillage Médical de Sherbrooke (le GRAMS), qui cherche à développer des capteurs de photons plus sensibles et plus performants, destinés à être utilisés pour détecter des photons provenant de cristaux scintillateurs notamment utilisés en tomographie d'émission par positrons. L'objectif principal du travail accompli est de faciliter la caractérisation de diodes monophotoniques à avalanche (single-photon avalanche diodes, SPAD) développées sur une technologie CMOS. Cette caractérisation couvre ce qui a trait à l'efficacité de photodétection, la résolution temporelle, les fausses détections, le redéclenchement intempestif, et la diaphonie. Un objectif optionnel est la mise au point d'un circuit réalisant la lecture d'une matrice de SPAD co-intégrée à l'aide d'un procédé d'empilement de circuits intégrés en 3D (3DIC). Ce mémoire de maîtrise présente les circuits électroniques intégrés (sur procédé CMOS 0,8μm haut voltage) et imprimés faisant partie du système électronique mis sur pied pour répondre aux objectifs du projet. Tel qu'il est démontré vers la fin du mémoire, le système a été utilisé pour caractériser des SPAD. Il a permis d'atteindre des performances dignes de l'état de l'art en circuits de contrôle de SPAD. Des améliorations au système sont proposées et seront implémentées sur des versions ultérieures.

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