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Terapia fotodin?mica como coadjuvante ao tratamento endod?ntico : an?lise da literatura e estudo em ratos

Trindade, Alessandra Cesar 01 November 2013 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:30:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 452974.pdf: 3097525 bytes, checksum: fb30a932f49f0911b5cf750d9aaf97e9 (MD5) Previous issue date: 2013-11-01 / The aims of this study were: (a) establish, through a review of the literature, the state of the art regarding the use of photodynamic therapy for the disinfection of the root canal system as well as future prospects, (b) evaluate the periapical tissues response on rats teeth with apical periodontitis, to photodynamic therapy as an adjunct to endodontic treatment through histological, microbiological and radiological analysis. Therefore, 32 left lower rats molars were exposed to the oral environment for 21 days to induce apical periodontitis. The animals were randomly divided into four groups according to proposed treatment: endodontic treatment in one session (G1); endodontic treatment in two sessions with with calcium hydroxide [Ca(OH)2] dressing for 14 days (G2) ; endodontic treatment in one session associated with photodynamic therapy (PDT) (G3) and endodontic treatment in two sessions with Ca(OH)2 for 14 days, associated with PDT (G4). After 28 days, the animals were killed and the jaws prepared for evaluation. For microbiological analysis samples were collected before and after each treatment step. Quantification of CFU/mL were analyzed using linear mixed models, showing significant microbial reduction after all proposed treatments, compared to the initial collection, although no significant difference between groups were found. The radiographic results were submitted to ANOVA, showing no statistically significant difference between groups. For histological data, Kruskal-Wallis test were used, followed by Mann-Whitney U test for those cases where differences were detected. These differences were found in neutrophils and eosinophils populations in groups where PDT was used and macrophages and giant cells when Ca(OH)2 was used, with or without PDT. These data seem to point to a better repair quality when PDT is applied, caused by laser biomodulator effect in periapical tissues. The association of PDT with an interappointment dressing with Ca(OH)2 produces better conditions to stimulate repair, being more research needed to determine this relationship. / Os objetivos deste estudo foram: (a) estabelecer, atrav?s de revis?o da literatura, o estado da arte na aplicabilidade da terapia fotodin?mica para a desinfec??o do sistema de canais radiculares bem como as perspectivas futuras; (b) avaliar a resposta dos tecidos periapicais de dentes de ratos, portadores de periodontite apical, ? terapia fotodin?mica como coadjuvante ao tratamento endod?ntico, atrav?s de an?lise histol?gica, microbiol?gica e radiogr?fica. Para tanto, 32 molares inferiores esquerdos de ratos foram expostos ao meio bucal por 21 dias, para indu??o da periodontite apical. Ap?s, foram divididos aleatoriamente em quatro grupos conforme o tratamento proposto: tratamento endod?ntico em sess?o ?nica (G1); tratamento endod?ntico em duas sess?es com medica??o intracanal ? base de hidr?xido de c?lcio [Ca(OH)2] por 14 dias (G2); tratamento endod?ntico em sess?o ?nica, associado ? terapia fotodin?mica (PDT) (G3) e tratamento endod?ntico em duas sess?es com Ca(OH)2 por 14 dias, associado ? PDT (G4). Ap?s 28 dias, os animais foram mortos e as mand?bulas preparadas para avalia??o. Para avalia??o microbiol?gica foram realizadas coletas antes e ap?s cada etapa de tratamento. As quantifica??es de UFC/mL foram analisadas atrav?s de modelos mistos lineares, mostrando significativa redu??o microbiana ap?s todos os tratamentos propostos, quando comparados ? coleta inicial, n?o havendo por?m diferen?a significativa entre os grupos. Os resultados radiogr?ficos foram submetidos a ANOVA, n?o havendo diferen?a estatisticamente significativas entre os grupos. Para os dados histol?gicos, foi utilizado o teste de Kruskall-Wallis seguido por Mann-Whitney U para aqueles casos onde diferen?as foram detectadas. Estas diferen?as foram encontradas nas popula??es de neutr?filos e eosin?filos nos grupos onde a PDT foi utilizada e para macr?fagos e c?lulas gigantes quando o Ca(OH)2 foi utilizado, independentemente da PDT. Os dados parecem apontar para uma melhor condi??o de reparo quando da utiliza??o da PDT, pelo efeito biomodulador do laser nos tecidos periapicais. A associa??o da PDT com MIC com Ca(OH)2 parece propiciar os melhores resultados, sendo necess?rios mais estudos para determinar esta rela??o.
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Development and analysis of silicon solar cells with laser-fired contacts and silicon nitride laser ablation

Sauaia, Rodrigo Lopes 19 July 2013 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 451353.pdf: 20017308 bytes, checksum: 296ffb9862c776426e68e43169d40c26 (MD5) Previous issue date: 2013-07-19 / The goal of this thesis was the development and analysis of crystalline silicon solar cells processed by laser radiation. Solar cells with n+pp+ structure on p-type, CZ-Si solar grade substrate were developed, analysed, and evaluated, based on two laser processing techniques: laser-fired rear contacts (LFC) and laser ablation of the front surface silicon nitride by means of laser chemical processing (LPC) or using a mirror galvanometer laser system (SCA). The LFC method was employed to form the rear contacts of crystalline silicon solar cells after the deposition of an aluminium layer. The LCP and SOA methods were used to develop a silicon nitride ablation process. The laser ablation process was employed to open regions of the devices antireflection coating, followed by selective chemical deposition of Ni/Ag to form the front metal grid. The best laser processing parameters found for LFC solar cells were: 33.0 A pumping lamp current, 20.0 kHz q-switch frequency, and 0.50 mm contact distance. LFC solar cells with screen printed front metallization and Si02 rear passivation layer achieved an average efficiency of 14.4 % and best value of 15.3 %, after an annealing step at 400 00 with a belt speed of 50 cm/min. lncreasing the rear aluminium layer thickness from 2 um to 4 um did not improve the performance of the devices significantly. The best laser processing parameters found for the silicon nitride laser ablation process based on the LCP technique were: 15.3 uJ laser pulse energy, 16.0 kHz q-switch frequency, and 100 mm/s processing speed. The best laser processing parameters found for the silicon nitride laser ablation process based on the SOA technique were: 5.0 uJ laser pulse energy, 130.0 kHz q-switch frequency, and 813 mm/s processing speed. Solar cells with silicon nitride laser ablation, front side metallization by Ni/Ag selective electrochemical deposition, and screen-printed rear side metallization achieved an average efficiency of 16.1 % and best value of 16.8 % for the LCP technique and an average efficiency of 16.3 % and best value of 16.6% for the SOA technique. / O objetivo desta tese foi o desenvolvimento e an?lise de c?lulas solares em substrato de sil?cio cristalino com processamento por radia??o laser. C?lulas solares com estrutura n+pp+ em substrato de CZ-Si tipo p foram fabricadas, analisadas e comparadas, com base em duas t?cnicas de processamento laser: contatos posteriores formados por laser (CFL) e abla??o do filme antirreflexo frontal de nitreto de sil?cio por processamento qu?mico com laser (PQL) ou por processamento com laser guiado por galvan?metro de espelhos (SCA). O m?todo CFL foi utilizado na forma??o dos contatos posteriores de c?lulas solares, ap?s a deposi??o de uma camada de alum?nio. Os m?todos PQL e SCA foram usados no desenvolvimento de um processo de abla??o a laser do filme frontal de nitreto de sil?cio. Trilhas foram abertas no filme antirreflexo e posteriormente metalizadas seletivamente por deposi??o qu?mica de n?quel e prata, para formar a malha de metaliza??o frontal. Os melhores par?metros de processamento laser encontrados para c?lulas solares CFL foram: corrente da l?mpada de bombeamento ?ptico de 33,0 A, freq??ncia q-swttch de 20,0 kHz e dist?ncia entre contatos posteriores de 0,50 mm. C?lulas solares CEL com metaliza??o frontal por serigrafia e passiva??o posterior com SiO2 alcan?aram uma efici?ncia m?dia de 14,4 % e melhor valor de 15,3 %, ap?s tratamento t?rmico a 400 ?C com velocidade de esteira de 50 cm/min. O aumento da espessura da camada de alum?nio posterior de 2 um para 4 um n?o resultou em melhora significativa da performance das c?lulas solares. Os melhores par?metros de processamento encontrados para o processo de abla??o a laser de nitreto de sil?cio pela t?cnica PQL foram: energia do pulso laser de 15,3 uJ, frequ?ncia q-switch de 16,0 kHz e velocidade de processamento de 100 mm/s. Os melhores par?metros de processamento encontrados para o processo de abla??o a laser de nitreto de silicio pela t?cnica SCA foram: energia do pulso laser de 5,0 uJ, freq??ncia q-switch de 130,0 kHz e velocidade de processamento de 813 mm/s. C?lulas solares com abla??o a laser de nitreto de silicio, metaliza??o frontal seletiva por deposi??o qu?mica de n?quel e prata e metaliza??o posterior por serigrafia atingiram a efici?ncia m?dia de 16,1 % e o melhor valor de 16,8 % com a t?cnica PQL e a efici?ncia m?dia de 16,3 % e melhor valor de 16,6 % com a t?cnica SCA.
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Desenvolvimento de c?lulas solares com contatos posteriores formados por radia??o laser e an?lise da passiva??o na face posterior

Coutinho, Daniel Augusto Krieger 22 January 2015 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 465177.pdf: 2199385 bytes, checksum: 7e39de6eac33d2dfd74591983c10103d (MD5) Previous issue date: 2015-01-22 / This work was focused on the development of silicon solar cells with laser fired contacts and rear face passivation. Several processes were developed based on two different p-type silicon substrates. The objective was to develop a solar cell manufacturing process with laser fired contacts and aluminum deposited by evaporation, as well as to assess the rear passivation. In Si-Cz wafers, the phosphorus diffusion was performed at 865 ?C. From the power and the frequency experimental optimization in Si-Cz wafers, it was found that the efficiency of 13.1 % was obtained with 15 W of power and 80 kHz of frequency. The efficiency of 14.5 % was achieved from the annealing temperature of 350 ?C and belt speed of 66 cm/min. The experimental optimization of the distance between the dots and the contact area of the dots resulted on 14.1 % efficiency, for the distance between dots of 0.5 mm and the dot area contact of 7230 μm2. For the PV-Si-FZ substract, with the best diffusion temperature of 875 ?C, the efficiency of 14.0 % was obtained. It was found that the efficiency for Si-Cz and Si-FZ solar cell was similar, due to the low minority charge carrier lifetime. The deposition of a TiO2 film on the rear side resulted in an increase of the fill factor and efficiency, however the increase of the silicon oxide layer reduced the efficiency of the devices / Neste trabalho foram desenvolvidas c?lulas solares de sil?cio com contatos formados por radia??o laser e passiva??o na face posterior. Para isso, foram desenvolvidos processos para produ??o de c?lulas solares a partir de l?minas de sil?cio tipo p de dois tipos diferentes de substrato. O objetivo foi desenvolver um processo de fabrica??o de c?lulas solares com contato e difus?o posterior formado em pontos por radia??o laser e alum?nio depositado por evapora??o bem como avaliar a passiva??o na face posterior. Em l?minas de Si-Cz, a difus?o de f?sforo foi realizada a 865 ?C. Da otimiza??o experimental da pot?ncia e da frequ?ncia do sistema laser em l?minas de Si-Cz, constatou-se que a efici?ncia de 13,1 % foi obtida com a pot?ncia de 15 W e frequ?ncia de 80 kHz. Obteve-se a efici?ncia de 14,5 % para a temperatura de recozimento 350 ?C e a velocidade de esteira de 66 cm/min. A otimiza??o experimental da dist?ncia entre pontos e da ?rea dos pontos de contato, resultou na efici?ncia de 14,1 %, para a dist?ncia entre pontos de 0,5 mm e ?rea dos pontos de contato de 7230 μm2. Para substratos de PV-Si-FZ, a melhor temperatura de difus?o de f?sforo foi de 875 ?C e obteve-se a efici?ncia de 14,0 %. Constatou-se que a efici?ncia foi similar para c?lulas solares processadas em l?minas de Si-Cz e PV-Si-FZ, devido o baixo tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios. A deposi??o de um filme de TiO2 na face posterior resultou em um aumento no fator de forma e da efici?ncia, por?m o aumento da camada de ?xido de sil?cio reduziu a efici?ncia dos dispositivos

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