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Interface Charge Engineering in AlGaN/GaN Heterostructures for GaN Power Devices / AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの特性改善に向けた界面電荷制御Nakazawa, Satoshi 24 September 2019 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第22072号 / 工博第4653号 / 新制||工||1725(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 川上 養一, 准教授 杉山 和彦 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM
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