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Caractérisation électrique des transistors d’architecture innovante pour les longueurs de grilles décananométriques / Electrical Characterization of sub 100nm MOS transsitors with innovative architectureDiouf, Cheikh 31 October 2013 (has links)
La taille du transistor MOS ne cesse de diminuer pour des questions de performance et de rentabilité de fabrication. Les procédés de fabrication évoluent, l'architecture se complexifie et les méthodologies d'extraction de paramètres électriques doivent être adaptées. C'est ainsi que dans un premier temps, les effets d'un recuit haute pression sous atmosphère hydrogène (HPH2) ou deutérium (HPD2) sur le transistor MOS sont étudiés en détail dans cette thèse. La comparaison des performances apportées en termes de transport électronique et de dégradations engendrées en fiabilité a permis de montrer que le HPD2 présente un meilleur compromis. Une étude des effets d'un canal silicium-germanium (SiGe) sur les performances des transistors MOS est ensuite réalisée. L'incorporation du SiGe a permis d'atténuer l'impact négatif sur les performances des charges contenues dans l'empilement de grille. La présence de ces charges est d'ailleurs confirmée par l'analyse des effets néfastes d'un oxyde de grille à haute permittivité, utilisé entre autre pour faciliter la miniaturisation. Dans un deuxième temps, la « fonction Y » a été étendue en régime de saturation afin d'extraire la vitesse de saturation qui est un indicateur de performance obtenu dans les mêmes conditions que le courant ION. En outre, la problématique liée à l'extraction de la charge d'inversion sur des transistors courts et à forte tension de drain VD a été résolue grâce à des mesures à hautes fréquences réalisées sur une structure deux ports. Ceci a rendu possible l'obtention de la mobilité effective, de la vitesse moyenne et de la vitesse limitante sur des transistors déca-nanométriques. / The MOS gate length is continuously downscaling because of the need of higher performance and cost-effectiveness. In addition to the fabrication process, the device architecture is being more and more complex and parameters extraction need to be adapted. First in this thesis, the effects of high pressure final anneal with hydrogen (HPH2) or deuterium (HPD2) on MOSFET properties is investigated. The transport performances and reliability degradation comparison allow to consider HPD2 as a good compromise. The effect of a silicon-germanium (SiGe) channel is also studied. It is demonstrated that SiGe channel decreases defects located in the high-κ gate stack. The presence of these defects is confirmed by the study of the negative effects of a high-k as a gate oxide. Secondly, the “Y function” method is extended to the saturation regime to reliably extract saturation velocity, obtained in the same conditions as ION current. The problematic due to inversion charge estimation in short devices is solved using high frequency measurements with a two ports structure. Then, effective mobility, average velocity and limiting velocity are obtained in ultra-scaled devices.
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Minority carrier effects in small geometry MOS devicesChilds, P. A. January 1984 (has links)
No description available.
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The effects of Bio-Mos on lamb growth and immune functionThayne, Jeffrey Thomas 15 May 2009 (has links)
The objective of this study was to evaluate the effects of inclusion of Bio-Mos in
the growing ration for weaned lambs on growth rate, feed efficiency, and clinical
measures of health of the lambs. Mannan oligosaccharides (MOS), when included as a
supplement to the diet, have been shown to have a positive effect on immune response in
several species and in turn, positively affect the growth of the animal. MOS are
commercially available as BioMos®, which is a nutritional supplement manufactured by
Alltech, Inc. out of Nicholasville, KY. Forty-seven weaned Suffolk × Hampshire (n=47)
lambs were used in this trial. Of the group, twenty (n=20) were ewe lambs and twentyseven
(n=27) were wether lambs. The lambs were placed on their assigned diets and
remained on the trial for a four week period (d+28). All responses evaluated in this study
were influenced by time (p < 0.05) over the 28-d trial. A GENDER × WEEK
interaction was observed for ADG and feed conversion (p < 0.05). Control lambs tended
(p = 0.10) to have a higher intake over the 28-d period in comparison to Bio-Mos fed
lambs. There were no statistically significant differences (p < 0.05) between control and
Bio-Mos fed lambs for any of the growth parameters that were measured. There was a
tendency (p = 0.10) for GENDER × WEEK to influence intake. Gender also tended to
interacted with diet (GENDER × DIET, p = 0.09) to influence intake over the trial period. A GENDER × WEEK interaction was observed (p < 0.05) for feed conversion. Diet
influenced fecal pH (p < 0.05). This study indicates Bio-Mos had minimal influence on
growth and health.
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ETUDE DES EFFETS DES IRRADIATIONS NEUTRON SUR DES STRUCTURES MOS TECHNOLOGIE N-MOS, PAR SPECTROSCOPIE DLTS MESURES CAPACITIVES /Ahaitouf, Abdelaziz. CHARLES, JEAN PIERRE.. January 1999 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : SCIENCES ET TECHNIQUES : Metz : 1999. / 1999METZ033S. 73 ref.
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Etude des effets des contraintes mécaniques induites par les procédés de fabrication sur le comportement électrique des transistors CMOS des noeuds technologiques 65nm et en deçaOrtolland, Claude Poncet, Alain. January 2007 (has links)
Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2006. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. [205]-216. Glossaire.
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Conception et intégration d'un capteur à pixels actifs monolithiques et de son circuit de lecture en technologie CMOS submicronique pour les détecteurs de position du futurHeini, Sébastien Hu, Yann. Winter, Marc. January 2009 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : Sciences de l'Ingénieur. Electronique, Microélectronique : Strasbourg : 2009. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 6 p.
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Functional analysis of MOSFETs and HEMTs with laser stimulation and photonemissionBrahma, Sanjib Kumar. Unknown Date (has links) (PDF)
Berlin, Techn. University, Diss., 2007.
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Modélisation et caractérisation des signaux logiques CMOS /Sirot, Isabelle. January 1996 (has links)
Th. doct.--Electronique et communications--Paris--ENST, 1995. / Notes bibliogr.
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Experimentelle Untersuchung der Thermospannungen von Silizium-MOS-FeldeffektstrukturenRossian, Hans-Peter, January 1984 (has links)
Thesis--Brunswick. / In Periodical Room.
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Modeling and realization of an ultra short channel MOSFETKnoch, Joachim. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. Hochsch., Diss., 2001--Aachen.
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