Le développement des moteurs aéronautiques du futur a permis d’accentuer les recherches concernant les matériaux composites thermostructuraux SiC/SiC. La voie classique d’élaboration de ces matériaux consiste en l’infiltration de la matrice via un procédé par voie gazeuse. Due à leur porosité résiduelle importante, ces matériaux possèdent une faible conductivité thermique. Cette dernière peut générer de forts gradients thermiques pouvant entrainer une rupture prématurée de la pièce. Afin de réduire cette porosité, un procédé alternatif peut être utilisé : l’infiltration par du silicium liquide (procédé MI : Melt Infiltration). L’objectif de ce travail est de comprendre l’ensemble des mécanismes intervenant au cours de l’infiltration du silicium au sein d’une préforme fibreuse composée de fibres SiC Hi-Nicalon S. Ce procédé nécessite une étape en amont de l’imprégnation du silicium consistant en l’introduction de particules de SiC au sein de la préforme.La première partie de ce travail a consisté d’une part, en la définition de l’architecture poreuse des matériaux et, d’autre part, en la réalisation de tests de montée capillaire en utilisant des fluides organiques modèles. A l’aide de l’équation de Washburn, il est ainsi possible d’identifier des tailles de pores caractéristiques au sein de la préforme fibreuse et de la matrice granulaire et de prévoir le courbes d’ascension capillaire du silicium liquide au sein des matériaux. La seconde partie de ce travail décrit la mise en place d’un four permettant de réaliser le suivi in-situ de la prise de masse en silicium au cours du procédé MI. Une comparaison entre les résultats expérimentaux et les courbes prévisionnelles obtenues à l’aide de l’équation de Washburn a ainsi pu être effectuée. La dernière partie de ce travail a consisté en la réalisation d’essai d’imprégnation partielle afin d’identifier les mécanismes de montée capillaire du silicium liquide durant le procédé MI. / The development of aeronautic engines increased the need in high temperature SiC/SiC composite researches. A standard way to proceed is to infiltrate the matrix by chemical vapor infiltration. Due to their high porosity, their thermal conductivity is generally low. This could lead to strong thermal gradients and an early failure in a harsh environment. To reduce porosity, an alternative process can be used: the infiltration of molten silicon (MI: Melt Infiltration). The aim of this work is to understand all mechanisms occurring during the infiltration of silicon in a fibrous preform composed of SiC Hi-Nicalon S fibers. This process needs a first step which consists in the introduction of SiC particles into the preform before the MI process.First, this work focused on the definition of the porous structure of studied materials and capillarity tests using wetting organic solvent. With the use of Washburn’s law, it was possible to identify pore sizes within the fibrous preform and the granular matrix, and so to predict the capillarity ascent graphs of molten silicon into our material. A second part was devoted to the conception of an infiltration furnace which allows in situ following of the samples weight gain. The correlation between graphs obtained with the Washburn model and the experimental process could be established. Finally, the last part of this work presents partial infiltrations of molten silicon into studied materials which permit to identify capillary mechanisms occurring during the MI process.

Purifying silicon to a certain degree is needed in the photovoltaic industry. In the metallurgical route, phosphorus is removed from molten silicon in an induction vacuum refining furnace.This study presents the simulation of the silicon dephosphorization process that takes into account a neglected factor thus far, namely the residual oxygen amount.A thermodynamic assessment is performed for the Si - P system, and the phosphorus solubility in silicon is determined. Resulting activity coefficients are incorporated in an algorithm created to simulate this phenomenon. By also using other literature data, this program predicts the distillation time of a n-type silicon sample as well as its weight loss as a function of the oxygen pressure in the enclosure.The experimental validation of those results is intended with an electromagnetic levitation device. It enables to melt a silicon sample without any contaminant crucible and under a controlled atmosphere. / La purification du silicium à un certain degré est requis pour l'industrie photovoltaïque. Par voie métallurgique, le phosphore est éliminé du silicium fondu dans un four à induction sous vide.Cette étude présente la simulation du processus de déphosphoration du silicium en prenant en compte un facteur jusqu'alors négligé, à savoir la présence d'oxygène résiduel.Un travail d'optimisation thermodynamique du système Si - P est effectué, où la solubilité du phosphore dans le silicium est notamment déterminée. Les coefficients d'activité qui découlent de celle-ci sont incorporés dans un algorithme créé pour simuler ce phénomène. En s'appuyant également sur des données issues de la littérature, ce programme prédit le temps de distillation d'un échantillon de silicium de type n ainsi que sa perte de masse en fonction de la pression d'oxygène dans l'enceinte.La validation expérimentale de ces résultats est envisagée en utilisant un dispositif de lévitation électromagnétique. Il permet de faire fondre un échantillon de silicium sans creuset contaminant et avec une atmosphère contrôlée.