L'objet de ce travail a consisté dans l'optimisation et réalisation d'une périphérie Planar haute tension, permettant d'obtenir une tenue en tension dépassant 2000V. Parmi des protections périphériques existantes la protection par l'implantation latérale appelée "poche" semblait être une solution très performante pour obtenir une tenue en tension très élevé. Dans un premier temps, nous avons optimisé la structure de cette protection en utilisant des simulateurs bidimensionnels (ATHENA, ATLAS). Les résultats de simulation confirment que la dose active de cette périphérie est l'un des paramètres important à contrôler. La profondeur et la longueur de poche sont les deux autres paramètres à prendre en compte pour l'optimisation de cette périphérie. La variation de la tenue en tension est présentée en fonction de l'évolution de chacun de ces paramètres. Les résultats de l'étude de la sensibilité de la tenue en tension vis-à-vis de la dose active de la poche ont permis d'établir une méthodologie de conception d'une périphérie monopoche optimale et de développer une périphérie bipoche permettant de bien dominer la dose active de poche donc d'améliorer la tenue en tension. Ensuite, pour valider les résultats de simulation en raison de simplification nous avons choisi la diode de type PIN comme élément de test. Nous avons réalisé et caractérisé les diodes avec différentes géométries des périphéries monopoche et bipoche. Les résultats expérimentaux obtenus sur la tenue en tension confirment que la périphérie bipoche optimale permet d'atteindre des valeurs de claquage en volume. Ces résultats montrent à la fois la faisabilité des dispositifs et leurs bonnes performances. Enfin, pour compléter notre étude de conception de périphérie Planar haute tension à poche nous avons étudié le courant de fuite des diodes réalisés. Nous avons mis en évidence que les charges dans l'oxyde et à l'interface ont une influence importante sur la tenue en tension et le courant de fuite.