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1	Fabrication et étude des propriétés de diodes Schottky sur diamant homoépitaxié p-/p+ WADE, Mamadou 30 September 2005 (has links) (PDF) Les diodes réalisées avec le diamant comme semi-conducteur comportent de nombreuses potentialités dues à sa bande interdite de 5.45 eV. Parmi les principales, il y a le fonctionnement à des températures très supérieures à celles supportées par les autres semi-conducteurs, ainsi qu'une tension de claquage de plusieurs kV. Le but de ce travail est de réaliser des couches de diamant homoépitaxié faiblement dopées bore et préparées avec ajout d'oxygène, adaptées à ces diodes. Des méthodes de caractérisation telles que la spectroscopie Raman et la cathodoluminescence fournissent des informations sur la qualité cristalline des couches et la nature des défauts présents. Une étude de l'optimisation de la gravure par plasma O2 a permis de réaliser des contacts ohmiques sur la couche p+ et des structures mesa. Les caractéristiques de contacts ohmiques Au/Ti et Si/Al/Si et de contacts Schottky Ag/Ti et Ni/Er sont étudiées. La génération et la passivation des défauts révélés ainsi que leur interaction avec la compensation des accepteurs introduits par le bore sont déterminées par des mesures électriques et transitoires. [PHYS:PHYS] Physics/Physics couches CVD dopées bore (p-/p+) cathodoluminescence gravure plasma oxygène ECR contacts ohmique et Schottky défauts profonds
2	Interface silicium/couche organique: Maitrise des propriétés et fonctionnalisation Aureau, Damien 30 October 2008 (has links) (PDF) Les couches organiques greffées de façon covalente sur le silicium apparaissent comme des systèmes prometteurs tant sur le plan fondamental qu'en raison des nombreuses applications envisageables : couches minces diélectriques, capteurs chimiques ou biochimiques. Ce travail de thèse est consacré à l'étude de ces systèmes par diverses techniques. La stabilité chimique et électrique de l'interface au cours du temps et au sein d'un électrolyte de pH variable sont décrites. La morphologie de la surface est contrôlée par microscopie AFM. La nature chimique du système est déterminée par spectroscopie infrarouge en mode ATR et par spectroscopie de photoélectrons X. La qualité électrique de l'interface est étudiée par des mesures de photoluminescence, photopotentiel et Mott-Schottky. L'influence de la préparation sur les diverses caractéristiques du système est examinée. L'effet de charges adsorbées en surface a également été exploré par une titration quantitative de l'ionisation de groupements carboxyles greffés en surface. Enfin, une méthode originale de fonctionnalisation de couches alkyles greffées de compacité maximum par traitement dans un plasma doux oxydant est présentée. Le suivi du système, in situ par spectroscopie IR et ex situ par XPS, ainsi que la connaissance de la nature du plasma d'oxygène ont permis de mettre en évidence une destruction de la couche aux plus fortes puissances et une intégrité de celle-ci aux plus faibles puissances : un mécanisme de fonctionnalisation des chaînes dans ce régime est proposé. [SPI] Engineering Sciences [CHIM] Chemical Sciences [PHYS] Physics Greffage chimique Silicium Surface hydrogénée Hydrosilylation Monocouche fonctionnalisée ultramince Attachement covalent Stabilité Propriétés électroniques Titration en surface Fonctionnalisation Plasma oxygène Spectroscopie infrarouge Xps Afm Photoluminescence Photopotentiel diagrammes Mott-Schottky Mesures in situ

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Fabrication et étude des propriétés de diodes Schottky sur diamant homoépitaxié p-/p+

Interface silicium/couche organique: Maitrise des propriétés et fonctionnalisation