Les semi-conducteurs transparents de type A$^{II}$ B$^{IV}$,<br />continuent à susciter une attention considérable du point de vue<br />fondamental et application, principalement en raison de leurs<br />propriétés très exploitées. Une considération particulière a été<br />portée sur l'oxyde de zinc qui est un semi-conducteur de type n<br />possédant d'excellentes propriétés électriques, catalytiques et<br />optiques, qui lui confèrent la possibilité d'être exploité dans de<br />nombreux domaines tel que l'optoélectronique. Dans cette<br />perspective, nous avons étudié l'influence du dopage, des<br />températures de dépôt et de recuit, la nature du substrat et des<br />techniques de dépôt sur la réponse optique non linéaire du ZnO.<br />Nous avons constaté que la réponse non linéaire dépend énormément<br />de ces paramètres. En particulier, nous avons démontré que la<br />réponse non linéaire dépend de la qualité structurale et optique<br />des couches minces.