L’étude menée sur le système Mo-Pt-Si vise à contribuer à la connaissance d’alliages métalliques complexes destinés à des applications à hautes températures rencontrées dans les industries aéronautiques ou verrières. Sa description d’un point de vue thermodynamique est rendu difficile par son caractère réfractaire lié à la présence du molybdène d’une part et à sa complexité due au nombre élevé de ses constituants (3 éléments) d’autre part. Seule une approche du problème par une modélisation thermodynamique de type CALPHAD permet d’aboutir à un résultat significatif. Comme l’impose l’établissement d’une modélisation d’un système ternaire, à savoir l’étude préalable des trois bordures binaires, le premier volet de ce travail a été consacré à l’étude des systèmes Pt-Si, Mo-Pt et Mo-Si. Parallèlement au travail d’optimisation, des mesures expérimentales réalisées dans le cadre de cette étude (radiocristallographie, analyse thermique, microsonde,….) ont permis de déterminer les équilibres entre phases, les enthalpies de formation des différents composés intermétalliques ainsi que les mécanismes structuraux responsables des grands domaines de stabilité observés pour certaines phases. La première approche du système ternaire Mo-Pt-Si, obtenue à partir de la banque de données intégrant les optimisations binaires, a permis de cibler et interpréter des expériences de contrôles des équilibres entre phases en condition isotherme et anisotherme. Un nouveau siliciure ternaire a ainsi été découvert et pris en compte dans le calcul. Enfin, à travers de nombreux exemples nous montrons la cohérence de la modélisation avec l’ensemble des données expérimentales. / The study on the Mo-Pt-Si system contributes to the knowledge of complex metal alloy, which are intended for applications at high temperatures in the aerospace or glass industries. Its thermodynamic description is difficult because its refractory character related to the presence of the molybdenum and to its complexity due to the high number of the constituents (3 elements). Only an approach of problem by a modelling thermodynamics of CALPHAD type gives to a significant result. As imposes the establishment of a modelling of a ternary system by the study of three binary borders, the first part of this work was devoted to the study of Pt-Si, Mo-Pt and Mo-Si systems. Along with the optimization, an experimental measurements used in this study (X-ray, thermal analysis, microprobe,….) allowed to determine the equilibria phases, the enthalpies of formation of the various intermetallic compounds as well as the structural mechanisms responsible for large domains of stability observed for some phases. The first approach of the Mo-Pt-Si ternary system obtained from the database including the binary optimisations, allowed to interpret the experiments of controls of equilibria phases in isotherm and anisotherm conditions. A new ternary silicide was discovered and took into account in calculation. Finally, through many examples we show the agreement of the modelling with all experimental data.

NiSi and Ni(Pt)Si, and of the effects of dissociated ammonia on oxide reduction was carried out under controlled ultrahigh vacuum (UHV) conditions. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) has been used to characterize the evolution of surface composition. Vicinal surfaces on NiSi and Ni(Pt)Si were formed in UHV by a combination of Ar+ sputtering and thermal annealing. Oxidation of these surfaces in the presence of either O+O2 or pure O2 at room temperature results in the initial formation of a SiO2 layer ~ 7 Å thick. Subsequent exposure to O2 yields no further oxidation. Continued exposure to O+O2, however, results in rapid silicon consumption and, at higher exposures, the kinetically-driven oxidation of the transition metal(s), with oxides >35Ǻ thick formed on all samples, without passivation. The addition of Pt retards but does not eliminate oxide growth or Ni oxidation. At higher exposures, in Ni(Pt)Si surface the kinetically-limited oxidation of Pt results in Pt silicate formation. Substrate dopant type has almost no effect on oxidation rate. Reduction of the silicon oxide/metal silicate is carried out by reacting with dissociated NH3 at room temperature. The reduction from dissociated ammonia (NHx+H) on silicon oxide/ metal silicate layer shows selective reduction of the metal oxide/silicate layer, but does not react with SiO2 at ambient temperature.

L'objectif de cette étude est de caractériser la redistribution d'éléments d'alliages et de dopants au cours des premiers stades de formation des siliciures de Ni. Pour cela, nous avons étudié la nature, la séquence et la cinétique des phases formées, dans un premier temps pour les systèmes binaires Pd/Si, Pt/Si et Ni/Si, puis pour les systèmes ternaires (Ni,Pt)/Si et Ni/(Si, As) présentant un intérêt technologique pour la nanoélectronique. Ainsi, nous avons couplé des techniques de caractérisation originales (calorimétrie différentielle à balayage sur films minces, sonde atomique tomographique, diffraction des rayons X in situ) pour mesurer la redistribution du Pt dans les phases formées et leurs cinétiques de croissance. Nous avons pu développer un modèle pour décrire les premiers stades de croissance de ces siliciures alliés et dégager les mécanismes mis en jeu ainsi que les facteurs limitant la redistribution des éléments d'alliage et des dopants.

[pt] Este trabalho propõe uma análise conceitual de três noções sobre as quais se apóia grande parte da psicologia de Carl Gustav Jung, a saber: arquétipo, inconsciente coletivo e si- mesmo (Selbst). Esta análise objetiva buscar uma melhor compreensão da estrutura desta teoria, bem como permitir uma aproximação dos possíveis motivos das reservas do meio acadêmico no que diz respeito à aceitação da teoria de Jung. / [fr] Ce travail propose une analyse conceptuelle de trois notions sur lesquelles se fonde une grande part de la psychologie de Carl Gustav Jung, - savoir: archétype, inconscient collectif et soi (Selbst). Cette analyse a pour but d assurer une meilleure compréhension de la structure de cette théorie, ainsi que de permettre une approche des raisons qui semblent determiner l accueil mitigé que la psychologie de Jung reçoit encore au niveau de l enseignement à l université.

L'objectif de cette étude est de regarder l'influence du Pt sur la formation des siliciures de Ni dans le procédé Salicide et en particulier sur la phase basse résistivité NiSi, envisagée par l'industrie pour réaliser les contacts avec les zones actives de transistors de type Flash. Pour cela, nous avons étudié la nature, la séquence et la cinétique des phases formées, d'une part sur le système Ni1-xPtx/Si(100) (0% ≤ x ≤ 30%), et plus particulièrement sur un système intéressant pour certaines de ces propriétés, Ni(13%Pt)/Si(100). Deux types de dépôts ont été confrontés : dépôts réalisés avec une cible alliée Ni(13%Pt) ou par codéposition (cibles Ni et Pt dissociées). Ainsi nous avons couplé différentes techniques de caractérisation in situ (diffraction des rayons X, Réflectivité des rayons X (RRX), résistivité 4 pointes) pour essayer de comprendre les mécanismes liés à ce système. En particulier des expériences de RRX in-situ, associées à une analyse par transformée de Fourier inverse, ont été mises en œuvre, en utilisant le rayonnement synchrotron (ESRF), et aboutissent à des résultats originaux : la séquence des phases est modifiée dans le cas du Ni(13%Pt). Enfin, des premières mesures de résistance sur lignes étroites ont été réalisées, soulignant les avantages et les limites associées à l'utilisation d'un tel système.

Dans le cadre de la réduction des dimensions des technologies CMOS, le module de jonction apparaît comme un point bloquant pour l'amélioration des performances. En particulier, la hauteur de barrière entre le siliciure et le silicium limite le courant passant du transistor. Cette thèse adresse spécifiquement la problématique du contrôle de la hauteur de barrière suivant deux directions. D'une part, nous étudions l'intérêt d'une modification du métal formant le siliciure. D'autre part, nous évaluons le potentiel des techniques de ségrégation de dopants pour la modulation de la hauteur de barrière. Dans un premier temps, nous démontrons les difficultés liées à l'intégration des siliciures de type n (ErSi). Par ailleurs, nous mettons en évidence le fort potentiel du siliciure de platine (PtSi). En effet, ce matériau présente une stabilité thermique supérieure au siliciure de référence (NiSi) et montre une faible barrière à l'injection de trous. De plus, nous montrons que les techniques de ségrégation de dopants permettent d'obtenir de faibles hauteurs de barrières pour l'injection des électrons. Le PtSi apparaît donc comme un candidat à fort potentiel pour les futures technologies CMOS. Après avoir montré les inconvénients majeurs posés par l'intégration auto-alignée du PtSi grâce au procédé standard par eau régale, nous proposons une nouvelle méthode de retrait sélectif basée sur la transformation du métal non réagi en un germaniure facilement retiré par des chimies conventionnelles. En conclusion, nous intégrons le PtSi dans un procédé de fabrication industriel afin de démontrer des performances électriques à l'état de l'art des technologies CMOS les plus avancées.