• Refine Query
  • Source
  • Publication year
  • to
  • Language
  • 3
  • Tagged with
  • 3
  • 3
  • 3
  • 3
  • 3
  • 3
  • 3
  • 3
  • 2
  • 2
  • 2
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • About
  • The Global ETD Search service is a free service for researchers to find electronic theses and dissertations. This service is provided by the Networked Digital Library of Theses and Dissertations.
    Our metadata is collected from universities around the world. If you manage a university/consortium/country archive and want to be added, details can be found on the NDLTD website.
1

Contribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance : aspects dynamiques

Lucchese, Alain 23 September 1977 (has links) (PDF)
PRESENTATION D'UN MODELE COMPLET, A LA FOIS STATIQUE ET DYNAMIQUE, DE TRANSISTORS DE PUISSANCE. DEVELOPPEMENT, A PARTIR DU MODELE, D'UN OUTIL NUMERIQUE DE SIMULATION DU COMPORTEMENT DYNAMIQUE "PETITS SIGNAUX". SIMULATION NUMERIQUE DU COMPORTEMENT TRANSITOIRE LARGES SIGNAUX DES TRANSISTORS DE PUISSANCE (ORGANISATION D'UN PROGRAMME DE CALCUL INTEGRANT LE TRAITEMENT DE TOUS LES ELEMENTS, STATIQUE ET DYNAMIQUE, DU MODELE, MISE AU POINT DU PROGRAMME)
2

Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS)

Guegan, Georges 25 October 1979 (has links) (PDF)
ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT
3

MODELISATION ET EVALUATION DES TRANSISTORS A BASE PERMEABLE

Clarac, Jean 05 July 1982 (has links) (PDF)
EVALUATION DES PERFORMANCES DE CE TRANSISTOR PAR UNE MODELISATION FINE DE SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE TANT EN REGIME STATIQUE QU'EN REGIME DYNAMIQUE. LES PROGRAMMES DE SIMULATION NUMERIQUE BIDIMENSIONNELLE SONT PRESENTES. LES MODELES NUMERIQUES ET ANALYTIQUES SONT UTILISES POUR DISCUTER LES LIMITATIONS LIEES AUX DIFFERENTS MECANISMES IMPLIQUES DANS LE FONCTIONNEMENT ET ANALYSER L'INFLUENCE DES PARAMETRES GEOMETRIQUES ET PHYSIQUES SUR L'ENSEMBLE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. UNE NOUVELLE STRUCTURE EST PROPOSEE

Page generated in 0.0256 seconds