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1	Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS) Guegan, Georges 25 October 1979 (has links) (PDF) ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT TRANSISTOR EFFET CHAMP TRANSISTOR MOS TRANSISTOR VMOS TRANSISTOR PUISSANCE REGIME DYNAMIQUE ANALYSE FONCTIONNEMENT CIRCUIT LARGE BANDE AMPLIFICATEUR BASSE FREQUENCE AMPLIFICATEUR HAUTE FREQUENCE
2	Le Transistor M.O.S. de puissance : la relaxation thermique et les effets liés à la configuration N-N+ du drain Gamboa Zuniga, Mariano 30 October 1980 (has links) (PDF) DESCRIPTION DES PHENOMENES CITES DANS LES TYPES DE TRANSISTORS SUIVANTS: TRANSISTOR VMOS, TRANSISTOR UMOS, TRANSISTOR HEXFET TRANSISTOR EFFET CHAMP TRANSISTOR MOS TRANSISTOR VMOS ANALYSE FONCTIONNEMENT RELAXATION THERMIQUE BASSE FREQUENCE DRAIN REGIME SATURATION TRANSISTOR UMOS TRANSISTOR HEXFET THERMAL RELAXATION LOW FREQUENCY

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Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS)

Le Transistor M.O.S. de puissance : la relaxation thermique et les effets liés à la configuration N-N+ du drain