Cette thèse contribue à la modélisation et à létude de la dynamique de la coupe vibratoire, ayant comme application immédiate et comme objectif, la validation du perçage vibratoire par tête auto-vibrante. Les modèles de la coupe vibratoire qui ont été développés ont fait lobjet dune analyse de stabilité et dune étude détaillée par simulations numériques. Les phénomènes non linéaires engendrés par la coupe vibratoire ont été mis en évidence par simulations et par une campagne dexpérimentations. Les modèles et les études issus de cette thèse donnent une vue densemble de la dynamique compliquée de la coupe vibratoire et apportent une compréhension fine des aspects pratiques du perçage vibratoire par tête auto-vibrante. Les moyens expérimentaux développés et mis en uvre constituent un outil dinvestigation performant et indispensable à lanalyse systématique du procédé, dans le but de son industrialisation.

ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT

DESCRIPTION DES PHENOMENES CITES DANS LES TYPES DE TRANSISTORS SUIVANTS: TRANSISTOR VMOS, TRANSISTOR UMOS, TRANSISTOR HEXFET

Le travail presente dans ce memoire a pour objet principal l'etude des phenomenes de bruit du fond electrique basse frequence dans des transistors pour applications micro-ondes de type effet de champ (HEMT) sur SiGe et GaN ainsi que de type bipolaire a heterojonction (TBH) a base de silicium-germanium (SiGe). Dans un premier chapitre nous rappelons les caracteristiques et proprietes essentielles des sources de bruit en exces que l'on rencontre generalement dans ce type de composants et proposons une description des bancs de mesure de bruit mis en oeuvre. Dans les deuxieme et troisieme chapitres, nous proposons une analyse detaillee de l'evolution du bruit observe en fonction de la frequence, de la polarisation, et de la geometrie sur des HEMTs des deux familles technologiques SiGe et GaN. Nous avons en particulier etudie les deux generateurs de bruit en courant en entree et en sortie respectivement iG et iD ainsi que leur correlation. Ceci nous a permis, en nous appuyant aussi sur l'analyse des caracteristiques statiques des transistors, d'identifier les diverses sources de bruit en exces presentes dans ces composants et de faire des hypotheses sur leurs origines. Le dernier chapitre est consacre aux TBHs a base de SiGe. Dans une premiere partie nous etablissons comment varie le bruit basse frequence de TBHs, fabriques par un premier constructeur, en fonction de la polarisation, de la geometrie et de la fraction molaire de germanium. Dans une seconde partie nous mettons en evidence, d'apres nos observations effectuees sur des TBHs fabriques par un second constructeur, l'impact important sur le bruit BF de stress thermiques appliques sur ce type de composants.