Orientador: Jacobus W. Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-04T18:27:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Alcantara_GlaucioPedrode_M.pdf: 1079087 bytes, checksum: afc69d32771f7a3060b934cb3fcabca4 (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: Este trabalho de dissertação apresenta o estudo e projeto dos elementos que compõem um sensor de gases baseado na tecnologia de Onda Acústica de Superfície (SAW), tais como, o oscilador colpitts SAW e um ressonador SAW de uma porta, os quais estão na malha de realimentação de um amplificador. Foi realizado também a deposição de diferentes espessuras de filme fino de TiO2 sobre o sensor, a fim de se estudar o efeito da atenuação da SAW na fronteira entre o cristal e o filme. É mostrado que atenuação da SAW acontece no filme na fina camada de aproximadamente 500 angstroms de espessura. A dependência de espessura com a mudança de freqüência e com fator Q do oscilador SAW e ressonador são apresentados, bem como a ssensitividade de massa do ressonador SAW para o filme de TiO2. Um modelo de oscilador SAW usando 2 caminhos acústicos, de melhor sensitividade que aquele de modo simples, foi estudado e proposto / Abstract: This thesis presents the study and design of the elements which compose a gas sensor based on Surface Acoustic Wave technology, such as, SAW Colpitts oscillator and the SAW one-port resonator that are presents in the feedback loop of an amplifier. It was done deposition of TiO2 thin film different thickness on the sensor, in order to study the effect of SAW attenuation on the border between the crystal and the film. It is shown that SAW attenuation takes place in the film in thin layer of about 500 angstroms thickness. Thickness dependence of frequency shift and Q-factor of SAW oscillator and resonator, as well as, the mass sensitivity of SAW resonator to TiO2 film are presented. The model of SAW oscillator which uses two acoustic paths, has been studied and proposed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-12T22:43:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Thiebaut_MatthieuJacquesAndre_M.pdf: 11116037 bytes, checksum: 353c725fb0cc60a33445209f0ec29a81 (MD5) Previous issue date: 2006 / Resumo: O objetivo deste trabalho é propor uma topologia de receptor adequada para atender as exigências de uma rede de sensores sem fio, onde baixo consumo e baixo custo de fabricação são fundamentais.A topologia escolhida foi a do receptor super-regenerativo realizado em tecnologia CMOS 0,35Km e operando em 900 MHz. O chip foi montado e testado numa placa de alumina junto com alguns componentes passivos externos (circuito tanque e adaptação de impedância) necessários para seu funcionamento. Uma sensibilidade de -82 dBm para uma taxa de erro binário (BER) inferior a 0,1% foi obtida com um sinal modulado tudo-ou-nada (On-Off keying, OOK) de 64 kbits/s. O consumo deste receptor foi de 2,5 mW para uma tensão de alimentação de 2V. / Abstract: The purpose of this work is to develop a radio receiver, which is suitable for application in wireless sensor networks. Among the essential requirements for one such radio are included low power, low cost and high sensitivity. The topology of a super-regenerative receiver to operate in 900MHz was chosen, since it complies with all these requirements in addition to being appropriate for integration. Samples of the developed radio receiver were fabricated in 0,35Km CMOS technology. Prototypes were assembled on alumina plate using a few additional external components as an alternative to evaluate the performance of the radio without being affected by the low quality of the passives L and C used in the tuning block (tank and matching circuit). Test results have shown that the developed receiver features sensitivity of -82 dBm for a bit error rate (BER) lower than 0,1% with an On-Off Keying modulated signal of 64 kbit/s. Measure power consumption has been 2,5 mW for a supply voltage of 2 V. / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica