<p>This master thesis deals with the study of ultra low power Low Noise Amplifier (LNA) for use inmedical implant device. Usually, low power consumption is required for a long battery lifetime andlonger operation. The target technology is 90nm CMOS process.First basic principle of LNA is discussed. Then based on a literature review of LNA design, theproposed LNA is presented in sub-threshold region which reduce power consumption through scalingthe supply voltage and through scaling current.The circuit implementation and simulations is presented to testify the performance of LNA .Besides thepower consumption simulated under the typical supply voltage (1V), it is also measured under someother low supply voltages (down to 0.5V) to investigate the minimum power consumption and theminimum noise figure. Evaluation results show that at a supply voltage of 1V the LNA performs a totalpower consumption of 20mW and a noise of 1dB. Proper performance is achieved with a current ofdown to 200uA and supply voltage of down to 0.45V, and a total power consumption of 200uW</p>

This master thesis deals with the study of ultra low power Low Noise Amplifier (LNA) for use inmedical implant device. Usually, low power consumption is required for a long battery lifetime andlonger operation. The target technology is 90nm CMOS process.First basic principle of LNA is discussed. Then based on a literature review of LNA design, theproposed LNA is presented in sub-threshold region which reduce power consumption through scalingthe supply voltage and through scaling current.The circuit implementation and simulations is presented to testify the performance of LNA .Besides thepower consumption simulated under the typical supply voltage (1V), it is also measured under someother low supply voltages (down to 0.5V) to investigate the minimum power consumption and theminimum noise figure. Evaluation results show that at a supply voltage of 1V the LNA performs a totalpower consumption of 20mW and a noise of 1dB. Proper performance is achieved with a current ofdown to 200uA and supply voltage of down to 0.45V, and a total power consumption of 200uW

Ce travail de thèse s’inscrit dans le cadre d’un projet Français « VéLo » qui est une collaboration entre l’industriel STMicroelectronics et plusieurs laboratoires dont les laboratoires IMS-bordeaux et LAAS. Le but du projet est de concevoir un prototype de radar anticollision millimétrique. Dans ce travail un synthétiseur de fréquence est implémenté. Ce dernier sera intégré dans la chaine de réception du démonstrateur. Une étude bibliographique des architectures classiques de système de radiocommunication a été réalisée. Des exemples d’architectures rencontrées dans le domaine millimétrique ont été étudiés.L’objet principal de cette thèse est l’étude des oscillateurs synchronisés par injection ILO. L’objectif est de réaliser un oscillateur verrouillé par injection qui sera piloté par un oscillateur de fréquence plus basse possédant des caractéristiques de stabilité et de bruit meilleures.Dans ce travail de thèse, le mécanisme de verrouillage des oscillateurs par injection a été décrit. Un modèle de synchronisation par injection série, basé sur la théorie de Huntoon Weiss et inspiré du travail de Badets réalisé sur les oscillateurs synchrones verrouillés par injection parallèle, est proposé. La théorie établie a permis d’exprimer la plage de synchronisation en fonction de la topologie utilisée et des composants de la structure. La validité de la théorie a été évaluée par la simulation de la structure. Les résultats présentés montrent une bonne concordance entre la simulation et la théorie et permettent de valider le principe de synchronisation par injection. La faisabilité de l’intégration d’un ILO millimétrique synchronisé par l’harmonique d’un signal de référence de fréquence plus basse a été démontrée expérimentalement. Le synthétiseur de fréquence est réalisé en technologie BiCMOS 130nm pour des applications millimétriques de STMicroelectronics. Ce dernier opère dans une plage de 2GHz autour de la fréquence 82,5GHz. Les performances en bruit du synthétiseur sont satisfaisantes. Le bruit de phase de l’ILO recopie celui du signal injecté. Les équipements de mesures utilisés, le bruit de phase de l’oscillateur atteint des valeurs inférieures à -110dBc/Hz à 1MHz de la porteuse. / This thesis is a part of a French project "VELO". The project is collaboration between STMicroelectronics and several laboratories including IMS-Bordeaux and LAAS laboratories. The aim of this project is to achieve a prototype of millimeter anti-collision radar. In this work a frequency synthesizer is implemented. This circuit will be incorporated in the reception chain of the demonstrator. A bibliographical study of classical architecture was completed. Examples of architectures encountered in the millimeter frequency range have been studied. The purpose of this thesis is to study the phenomena of synchronization in oscillators. The objective is to design an injection locked oscillator ILO driven by another oscillator, the second oscillator operates at lower frequency and offers better stability and noise characteristics.In this thesis, the injection locking mechanism of the oscillators has been described. A model of synchronization by series injection is proposed. The model is based on the theory of Huntoon and Weiss and inspired by Badets’ work performed on parallel injection. The theory expresses the synchronized frequency range depending on the used topology and the values of the components. The validity of the theory was evaluated by simulation. The results show good agreement between simulation and theory and validate the principle of synchronization by injection.The feasibility of a millimeter ILO synchronized by the harmonic of a reference signal operating at lower frequency has been demonstrated experimentally. The synthesizer was implemented in BiCMOS technology for 130nm applications millimeter of STMicroelectronics. The oscillator operates at 82.5 GHz and performs a frequency range of 2GHz. The noise performance of the synthesizer is satisfactory. The phase noise of the ILO depends on the reference phase noise, and reaches values of -110dBc/Hz at 1MHz from the carrier frequency.