Les matériaux à changement de phase montrent la combinaison exceptionnelle d’un contraste énorme dans leurs propriétés physiques entre la phase amorphe et cristalline allié à une cinétique de changement de phase extrêmement rapide. La grande différence en résistivité permet leur application dans les mémoires numériques. De plus, cette classe de matériaux montre dans leur état vitreux des phénomènes de transport électronique caractéristiques. Le seuil de commutation dénote la chute de la résistivité dans l’état amorphe au delà d’un champ électrique critique. Le phénomène de seuil de commutation permet la transition de phase en appliquant des tensions relativement faibles. Au-dessous de cette valeur critique l’état désordonné montre une conductivité d’obscurité activée en température ainsi qu’une résistance - dans les cellules mémoires et les couches minces également – qui augmente avec le temps. Cette évolution de la résistivité amorphe entrave le stockage à plusieurs niveaux, qui offrirait la possibilité d'accroître la capacité ou la densité de stockage considérablement. Comprendre les origines physiques de ces deux phénomènes est crucial pour développer de meilleures mémoires à changement de phase. Bien que ces deux phénomènes soient généralement attribués aux défauts localisés, la connaissance de la distribution de défauts dans les matériaux amorphes à changement de phase est assez limitée. Cette thèse se concentre sur la densité des défauts mesurée dans différents verres chalcogénures présentant l’effet de seuil de commutation. Sur la base d’expériences de photo courant modulé (MPC) et de spectroscopie par déviation photothermique, un modèle sophistiqué des défauts a été développé pour GeTe amorphe (a-GeTe) mettant en évidence les états de la bande de valence et plusieurs défauts. Cette étude sur a-GeTe montre que l’analyse des données MPC peut être grandement améliorée en prenant en compte la variation de la bande de l’énergie interdite avec la température. Afin de mieux appréhender l’évolution de la résistivité amorphe, la présente étude porte sur l’évolution avec les recuits et le vieillissement de la résistivité, de l’énergie d’activation du courant d’obscurité, de la densité des défauts, du stress mécanique, de l'environnement atomique et de l’énergie de la bande interdite mesurée par des méthodes optiques sur les couches minces de a-GeTe. Le recuit d’un échantillon entraîne un élargissement de la bande interdite et de l’énergie d’activation du courant d’obscurité. De plus, la technique MPC a révélé une diminution des défauts profonds dans les couches minces de a-GeTe vieillies. Ces résultats illustrent l’impact de l’annihilation des défauts et de l’élargissement de la bande interdite sur l’évolution de la résistivité des matériaux à changement de phase amorphe. Cette thèse présente également une étude sur les alliages à changement de phase GeSnTe. En augmentant la concentration d’étain, on observe une décroissance systématique de la résistivité amorphe, de l’énergie d’activation du courant d’obscurité, de la largeur de bande interdite et de la densité des défauts, qui conduisent à une résistivité amorphe plus stables dans les compositions riches en étain comme a-Ge2Sn2Te4. L’étude sur les alliages GeSnTe montre que les matériaux à changement de phase ayant une résistivité amorphe plus stable présentent une faible énergie d’activation du courant d’obscurité. À l’exemple du Ge2Sn2Te4 et GeTe la présente étude montre un lien étroit entre l’évolution de la résistivité et la relaxation du stress mécanique. L’étude sur les verres chalcogénures montrent que les matériaux ayant un grand champ d’électrique de seuil, bien connu d’après la littérature, présentent aussi une grande densité de défauts. Ce résultat implique que l’origine du phénomène de seuil de commutation se trouve dans un mécanisme de génération à travers la bande interdite et de recombinaison dans les défauts profonds comme proposé par D. Adler. / Phase change materials combine a pronounced contrast in resistivity and reflectivity between their disordered amorphous and ordered crystalline state with very fast crystallization kinetics. Due to this exceptional combination of properties phase-change materials find broad application in non-volatile optical memories such as CD, DVD or Bluray Disc. Furthermore, this class of materials demonstrates remarkable electrical transport phenomena in their disordered state, which have shown to be crucial for their application in electronic storage devices. The threshold switching phenomenon denotes the sudden decrease in resistivity beyond a critical electrical threshold field. The threshold switching phenomenon facilitates the phase transitions at practical small voltages. Below this threshold the amorphous state resistivity is thermally activated and is observed to increase with time. This effect known as resistance drift seriously hampers the development of multi-level storage devices. Hence, understanding the physical origins of threshold switching and resistance drift phenomena is crucial to improve non-volatile phase-change memories. Even though both phenomena are often attributed to localized defect states in the band gap, the defect state density in amorphous phase-change materials has remained poorly studied. This thesis presents defects state densities measured on different amorphous phase-change materials and chalcogenides showing electrical threshold switching. On the basis of Modulated Photo Current (MPC) Experiments and Photothermal Spectroscopy a sophisticated band model for a-GeTe has been developed, which is shown to consist of defect bands and band tail states. This study on a-GeTe has shown that the data analysis within MPC experiments can be drastically improved by taking the temperature dependence of the optical band gap into account. To get a better understanding of resistance drift phenomena this study focuses on the evolution of resistivity on heating and ageing, activation energy of electronic conduction, optical band gap, defect state density, mechanical stress and nearest neighbour ordering in a-GeTe thin films. After heating the samples one hour at 140°C the activation energy for electric conduction increases by 30 meV, while the optical band gap increases by 60 meV. Additionally, MPC experiments revealed a decreasing concentration of mid gap states in aged a-GeTe thin films. These findings demonstrate the impact of band gap opening and defect annihilation on resistance drift. Furthermore, the stoichiometric dependence of resistance drift phenomena in a-GeSnTe phase-change alloys is studied in this thesis. A systematic decrease in the amorphous state resistivity, activation energy for electric conduction, optical band gap and defect density is observed with increasing tin content resulting in a low resistance drift for tin rich compositions such as a-Ge2Sn2Te4. This study on GeSnTe systems demonstrates, that phase change alloys showing a more stable amorphous state resistivity are characterized by a low activation energy of electronic conduction. This finding found in GeSnTe alloys holds also true for GeSbTe and AgInSbTe systems. On the example of a-Ge2Sn2Te4 and a-GeTe exhibiting a strong resistance drift, the evolution of the amorphous state resistivity is shown to be closely linked to the relaxation of internal mechanical stresses resulting in an improving structural ordering of the amorphous phase. For the investigated alloys showing electrical switching, the measured density of midgap states is observed to decreases with decreasing threshold field known from literature. This result favours a generation-recombination model behind electrical switching in amorphous chalcogenides as originally proposed by Adler.

De nos jours, les nouvelles technologies ne cessent d'évoluer et de former une partie intégrante dans la vie quotidienne de chacun. Ces dernières profitent du développement de systèmes électroniques complexes qui nécessitent l'utilisation de composants mémoires de plus en plus performants et présentant de grandes capacités de stockage. Ainsi, dans cette course à la miniaturisation, la technologie Flash jusqu'ici prépondérante sur le marché des mémoires non volatiles laisse aujourd'hui entrevoir ses limites. En conséquence, différentes mémoires émergentes résistives sont développées et parmi celles-ci se trouvent les mémoires à changement de phase PCRAM qui présentent un grand intérêt dans le monde des mémoires non volatiles grâce à leur bonne capacité de réduction d'échelle ainsi que leur coût réduit par rapport aux mémoires Flash. Cependant, pour être compétitives face aux autres technologies et pour prétendre à des applications embarquées, elles doivent répondre à plusieurs challenges tels que réduire leur courant de programmation, augmenter leur vitesse de programmation et améliorer leur stabilité thermique. Pour cela, différentes voies sont explorées dans la littérature, notamment l'utilisation d'architectures innovantes ou de matériaux à changement de phase alternatifs. Dans cette thèse, nous nous sommes intéressés à l'investigation des mécanismes de défaillance qui affectent la stabilité thermique et temporelle des mémoires à changement de phase, plus précisément la rétention de l'état RESET et la stabilité des états programmés affectée par le phénomène de « drift ». Le développement de matériaux alternatifs utilisant une stoechiométrie optimisée ou incorporant un dopage nous permet d'obtenir des dispositifs performants d'un point de vue électrique et présentant des propriétés de rétention satisfaisant les spécifications des applications embarquées en particulier l'automobile. De plus, grâce au développement d'une nouvelle procédure de pré-codage, ces dispositifs permettent de conserver les données préprogrammées sur la puce mémoire au cours de l'étape de soudure de cette dernière sur le circuit électronique. Ils constituent une solution prometteuse pour les applications de cartes sécurisées. Enfin, nous avons proposé une procédure de programmation optimisée qui permet de diminuer l'effet du drift de la résistance de l'état SET observé pour les matériaux alternatifs. Ensuite, nous avons montré via des mesures de bruit à basses fréquences que cet effet est dû à la relaxation structurale des zones amorphes présentes dans ces matériaux actifs. De plus, nous avons mis en évidence pour la première fois la diminution du bruit normalisé de l'état SET ainsi que l'influence majeure des défauts d'interfaces sur le bruit à basses fréquences de cet état. / Nowadays, new technologies are rising steadily and forming an integral part in the daily lives of everyone. They take advantage of the development of electronic systems for which the complexity requires the use of memory devices more and more efficient and with large storage capacities. Because of some performance degradation, the scaling of Flash technology who was so far predominant in the non-volatile memories market, is today reaching its limits. As a result, different emerging resistive memories are being developed. Among them, the phase-change memory technology PCRAM is very attractive because of its non-volatility, scalability, as well as reduced cost compared to standard Flash. Nevertheless, to compete with other technologies and to address the embedded applications market, PCRAM still face some challenges, such as decreasing the programming current densities, increasing the programming speed and increasing the thermal stability of the two memory states. For that purpose, different solutions have been tried in the literature, including using new device architectures and optimized phase-change materials. In this work, we are interested in investigating the failure mechanisms that affect thermal and temporal stability of phase change memories, in particular the retention of the RESET state and the stability of the programmed states disturbed by the drift phenomenon. The development of alternative materials using an optimized stoichiometry or incorporating doping allows us to achieve high electrical performance devices and to reach the required retention properties of embedded applications and particularly the automotive one. Moreover, thanks to the development of a new pre-coding procedure, these devices allow to keep stable the preprogrammed data on the memory chip during the soldering step of the latter on the electronic circuit. They represent a promising solution for Smart-Card applications. Finally, we have proposed an optimized programming procedure which enables to reduce the drift effect of the resistance of the SET state observed for optimized materials. This drift phenomenon was investigated by using low frequency noise measurements. Therefore, we have shown that this effect is due to the structural relaxation of amorphous parts in the active material. Besides, we highlighted for the first time the major influence of interface defects on the low-frequency noise of this state.