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Photoelektronenspektroskopie an Eisen/Silizium-Grenzflaechenschichten und an Eisen-Silizium-LegierungenKilper, Roland 12 February 1997 (has links)
Die elektronischen Eigenschaften von in-situ hergestellten Eisen/Silizium-Grenzflächen-
schichten und Eisen-Silizium-Legierungen werden mittels Photoelektronenspektroskopie
(UPS, XPS) untersucht. Die Grenzflächenschichten entstehen durch Bedampfen reiner
Siliziumsubstrate unterschiedlicher Oberflächenstruktur mit Eisen bei einer nominellen
Bedeckung von 0,1 - 15 Monolagen. Die Eisen-Silizium-Legierungen werden im gesamten
Konzentrationsbereich durch Raumtemperaturabscheidung auf inerten Substraten präpariert
und sind i.a. im amorphen Zustand. Sowohl amorphe als auch getemperte, polykristalline
Legierungen werden systematisch untersucht. Neben der Messung von Valenzbandeigen-
schaften werden lokale chemische und magnetische Eigenschaften mittels hochaufgelöster
Rumpfniveauspektroskopie bestimmt.
Die gemessenen Valenzbänder der amorphen Legierungen werden mit Bandstrukturrech-
nungen amorpher Eisen-Bor-Legierungen verglichen. Die gute Übereinstimmung
charakteristischer Valenzbandstrukturen lassen vermuten, daß die im Eisen-Bor-System
vorherrschende p-d-Hybridisierung ebenfalls einen wichtigen Beitrag zur Bandstruktur des
Eisen-Silizium-Systems liefert. Die lokalen chemischen und magnetischen Eigenschaften
werden anhand einer ausführlichen Linienformanalyse des Fe2p3/2-Rumpfniveaus ermittelt.
Unter Einbeziehung von Vielteilcheneffekten lassen sich die Linienparameter i.a. qualitativ
und für die Bindungsenergieverschiebung in Abhängigkeit von der Legierungszusammen-
setzung auch quantitativ verstehen. Die Valenzband- und die lokalen Eigenschaften werden
für einen ausführlichen Vergleich zwischen Grenzflächenschichten und Legierungen genutzt.
Es zeigt sich, daß Eisenbedeckungen bis 3,5 Monolagen zu homogen amorphen und in ihrer
Zusammensetzung durchstimmbaren Legierungen führen.
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Photoelektronenspektroskopie an Eisen/Silizium-Grenzflaechenschichten und an Eisen-Silizium-LegierungenKilper, Roland 15 November 1996 (has links)
Die elektronischen Eigenschaften von in-situ hergestellten Eisen/Silizium-Grenzflächen-
schichten und Eisen-Silizium-Legierungen werden mittels Photoelektronenspektroskopie
(UPS, XPS) untersucht. Die Grenzflächenschichten entstehen durch Bedampfen reiner
Siliziumsubstrate unterschiedlicher Oberflächenstruktur mit Eisen bei einer nominellen
Bedeckung von 0,1 - 15 Monolagen. Die Eisen-Silizium-Legierungen werden im gesamten
Konzentrationsbereich durch Raumtemperaturabscheidung auf inerten Substraten präpariert
und sind i.a. im amorphen Zustand. Sowohl amorphe als auch getemperte, polykristalline
Legierungen werden systematisch untersucht. Neben der Messung von Valenzbandeigen-
schaften werden lokale chemische und magnetische Eigenschaften mittels hochaufgelöster
Rumpfniveauspektroskopie bestimmt.
Die gemessenen Valenzbänder der amorphen Legierungen werden mit Bandstrukturrech-
nungen amorpher Eisen-Bor-Legierungen verglichen. Die gute Übereinstimmung
charakteristischer Valenzbandstrukturen lassen vermuten, daß die im Eisen-Bor-System
vorherrschende p-d-Hybridisierung ebenfalls einen wichtigen Beitrag zur Bandstruktur des
Eisen-Silizium-Systems liefert. Die lokalen chemischen und magnetischen Eigenschaften
werden anhand einer ausführlichen Linienformanalyse des Fe2p3/2-Rumpfniveaus ermittelt.
Unter Einbeziehung von Vielteilcheneffekten lassen sich die Linienparameter i.a. qualitativ
und für die Bindungsenergieverschiebung in Abhängigkeit von der Legierungszusammen-
setzung auch quantitativ verstehen. Die Valenzband- und die lokalen Eigenschaften werden
für einen ausführlichen Vergleich zwischen Grenzflächenschichten und Legierungen genutzt.
Es zeigt sich, daß Eisenbedeckungen bis 3,5 Monolagen zu homogen amorphen und in ihrer
Zusammensetzung durchstimmbaren Legierungen führen.
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