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1

Autofocalisation infrarouge dans InP : Fe et SPS : Te pour télécommunication

Dan, Cristian Fressengeas, Nicolas André. January 2008 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Physique : Metz : 2008. / Titre provenant de l'écran-titre. Notes bibliographiques. Index.
Semiconducteurs
2

Étude par spectroscopie pompe-sonde de la dynamique des porteurs de charges dans des nanostructures d'InAs/InAlAs/InP

Bourque, Hugo. January 2005 (has links)
Thèses (M.Sc.)--Université de Sherbrooke (Canada), 2005. / In ProQuest dissertations and theses. Titre de l'écran-titre (visionné le 16 oct. 2007). Publié aussi en version papier.
Semiconducteurs.
3

ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES, ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DES SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE A N B 8 N ET DE LEURS ALLIAGES /

Zaoui, Ali. Certier, Michel. January 1999 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : PHYSIQUE : Metz : 1999. / 1999METZ043S. 167 ref.
Semiconducteurs Semiconducteurs
4

Étude du silicium amorphe hydrogéné et de ses dérivés nitrurés : application à la réalisation de capteurs d'images.

Chaussat, Christophe, January 1900 (has links)
Th. doct.-ing.--Microélectron.--Grenoble--I.N.P.G., 1984. N°: DI 447.
5

Optical properties of charged excitons in semiconductor nanostructures /

Esser, Axel, January 2002 (has links)
Extr. de: Diss.--Physique--Berlin--Humboldt universitat, 2001. / Bibliogr. p. 100-107.
Semiconducteurs Nanostructures
6

Les phonons un "Mesoscope" naturel pour l'étude du désordre d'alliage /

Chafi, Allal Pages, Olivier. January 2008 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Physique du solide : Metz : 2008. / Titre provenant de l'écran-titre. Notes bibliographiques. Index.
Phonons Semiconducteurs
7

Électroluminescence en avalanche des jonctions p-n à base de silicium et d'arséniure de gallium, et effet d'irradiation

Aboujja, Sidi. January 2000 (has links)
Thèses (Ph.D.)--Université de Sherbrooke (Canada), 2000. / Titre de l'écran-titre (visionné le 20 juin 2006). Publié aussi en version papier.
Semiconducteurs Électroluminescence.
8

Etude des défauts d'irradiation par mesure in situ de l'effet Hall dans les semi-conducteurs à faible largeur de bande interdite /

Favre, Jacques. January 1991 (has links)
Th. doct.--Physique--Palaiseau--Ecole polytechnique, 1989. / Résumé en anglais. Bibliogr. p. 187-194.
9

DEGRADATION (EFFET STAEBLER-WRONSKI) ET CARACTERISATION DES CELLULES SOLAIRES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI : H) /

Namoda, Aboubacar. TOSSER, ANDRE.. January 1999 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : SCIENCES ET TECHNIQUES : Metz : 1999. / 1999METZ042S. 141 ref.
10

Étude de dispositifs électroniques en silicium amorphe hydrogéné sous fort champ électrique : application à la détection nucléaire /

Ilie, Adelina. January 1996 (has links)
Th. univ.--Phys.--Paris 11, 1996. / Bibliogr. p. 253-259. Résumé en français et en anglais.

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