Orientador: Thereza Cristina Robalinho Penna / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:09:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Shibli_SuhailaMaluf_D.pdf: 8066870 bytes, checksum: f0173ac89bce1db0fe8be4118b8eb1a7 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Seleneto de zinco, um importante semicondutor do tipo II-VI, é um excelente candidato para fabricação de dispositivos que emitam no azul, devido a sua larga banda proibida de 2,1 eV. No entanto, a aplicação prática deste material em dispositivos de junções p-n requer técnicas de dopagem eficientes que possam produzir materiais dos tipos n e p de baixa resistividade e cuja luminescência perto da borda da banda, a temperatura ambiente, emita predominantemente no azul. Gálio é conhecido como um bom dopante do tipo n para ZnSe, particularmente para epitaxia por feixes moleculares (MBE). A utilização de técnicas de dopagem convencional, com altas concentrações de Ga, introduz níveis de aceitadores profundos, que ocasionam a saturação e correspondente decréscimo nos valores da concentração de portadores e da mobilidade. A descoberta de novas técnicas de dopagem é imprescindível na melhoria da qualidade do material ZnSe. Estudaremos nesta tese o avanço obtido com a técnica de dopagem planar para dopagem tipo n bem como novos dopantes do tipo p para ZnSe / Abstract: Zinc selenide, an important II-VI semiconductor compound, is of great potential interest for blue light-emitting devices due to its large band gap of 2.7 eV. However, practical application of this material in p-n junction injection devices demands effective doping techniques which can produce low-resistivity n- and p-type material, whose luminescence at room temperature is predominantly band edge (blue) in nature. Gallium is known to be a useful n-type dopant for ZnSe, particularly for molecular beam epitaxy (BEM). Using conventional doping techniques, however, high concentrations of Ga introduce deep acceptor levels which cause the carrier concentration to saturate and even decrease, with a corresponding drop in mobility. Thus, new doping techniques are necessary to enhance the quality of ZnSe material. We will study a new technique, planar doping, as well as a p-type dopant for ZnSe / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Eliermes Arraes Meneses / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T17:20:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PlentzFilho_FlavioOrlando_D.pdf: 2618631 bytes, checksum: b7599ef814b7b998c7abd82b2128aa42 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho desenvolvemos um estudo, por meio das técnicas de fotoluminescência e excitação de luminescência, das propriedades óticas e magneto óticas de poços quânticos com dopagem modulada. Desenvolvemos um cálculo auto-consistente para a obtenção das autofunções e autovalores de energia em poços com dopagem modulada. Estes estudos nos permitiram caracterizar de forma clara que a densidade do gás bidimensional de elétrons, presente em uma das nossas estruturas, sofre uma diminuição quando a amostra é excitada por fótons de energia inferior ao "gap" da barreira de AlxGa1-xAs que confina os portadores. Mostramos também a existência de um centro profundo na liga, a uma energia de 460 meV, medida a partir do fundo da banda de condução, o qual foi associado a um estado gerado por um átomo de Si substitucional no lugar do AI. Este estado foi descrito em termos do modelo de coordenada configuracional para centros profundos. A diminuição na densidade do gás de elétrons por nós observada está relacionada à existência deste nível profundo na liga. De fato, é este centro que permite a absorção de luz no AlxGa1-xAs, mesmo para fotoexcitação com energia abaixo do "gap", processo necessário ao mecanismo que gera a diminuição na densidade de portadores no poço de GaAs / Abstract: In this work we investigated the optical and magneto-optical properties of modulation doped quantum wells. This study was performed by the use of photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy as experimental technics. We developed a self-consistent calculation in order to obtain the eigenfunctions and eigenvalues for electrons and holes in these structures. We have demonstrated that, in one of our samples, the density of the two dimensional electron gas is reduced by a photoexcitation done with an energy bellow de AlxGa1-xAs band gap. We have also shown the existence of a deep center, with an energy 460 meV bellow the alloy conduction band minima, which was associated to a substitutional Si atom in a AI site. We described this state within the framework of the configurational coodinate model for deep centers. The mechanism that causes the diminution of the electron gas density is related to the existence of this deep level in the barrier that confine the electrons. In fact, the generation of electron-hole pairs in the barrier, necessary to cause the diminution of the carrier density in the GaAs well, is done thought this deep center / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Jacobus W. Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T17:43:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hernandes_CristianeSilveira_M.pdf: 6751277 bytes, checksum: 938645132eb5de24cda9ec120e628778 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho estudamos duas técnicas de dopagem em semicondutores: difusão e implantação iônica. Realizamos difusão de Estanho em Arseneto de Gálio utilizando como fonte de difusão um filme "Spin-on-Glass" (SOG) dopado, através de processamento térmico rápido. O filme SOG serve tanto de fonte como de proteção da superfície do GaAs contra a perda de Arsênio. Obtivemos camadas n+ rasas, com alta concentração de superfície (1-3.1018cm-3) e boa mobilidade (em média 1000cm2 / V.s). Estabelecemos um modelo para a difusão de Estanho dependente da sobre-pressão de vapor de Arsênio baseado nos defeitos pontuais gerados na interface SiO2/GaAs. O uso de sobre-pressão de As reduz as reações entre o SiO2 e o GaAs, produzindo assim menos defeitos pontuais (VGa e GaI, entre outros), resultando em menor coeficiente de difusão e maior energia de ativação. A adição de Gálio no filme SOG tem o mesmo efeito, porém em bem menor intensidade. Realizamos também implantação iônica de Magnésio em GaAs. Foram feitas implantações simples e dupla, co-implantando Fósforo. Estudamos o comportamento do Magnésio durante o recozimento pós-implantação. Para dose de 1.1014cm-2 e energia de 200ke V, obtivemos altas ativações. Os melhores resultados foram obtidos para recozimento a 900°C/5, 10 e 20s e a 950°C/5s. Com o aumento da dose (1.1015cm-2/100keV), a ativação cai. Porém, quando realizamos a dupla-implantação utilizando mesma .dose e energia, a ativação triplicou. Isto demonstrou que o Fósforo está realmente ocupando as vacâncias de Arsênio, aumentando, assim, as vacâncias de Gálio ( que serão ocupadas pelo Mg). Estudamos os diversos mecanismos de difusão do Magnésio, incluindo difusão "uphill". Portanto, tanto no caso da difusão de Estanho, quanto na ativação do Magnésio durante o recozimento, observa-se o efeito de defeitos pontuais tipo VGa e GaI. Isto é esperado pelo fato de ambos os dopantes tenderem a substituir posições de Gálio. Este conhecimento permite a otimização dos processos pelo controle da geração destes defeitos pontuais / Abstract: In the dissertation, two doping techniques of semiconductors have been studied: diffusion and ion implantation. Diffusion of Tin into GaAs from a Spin-on-Glass (SOG) layer during rapid thermal processing (RTP) has been performed. The SOG film acts as a diffusion source as well as a protecting cap layer against incongruent As loss. Shallow n+ junctions with high electron surface concentration (1-3.1018cm-3) and good mobility (~ 1000cm2 / V.s ) have been obtained. A diffusion model has been established based on the point defects generated at the SiO2/GaAs interface and its dependency on the presence or not of As over-pressure ambient. An As over-pressure ambient reduces the reactions between SiO2 and GaAs, generating less point defects (VGa e GaI, among others), which results in a lower diffusion coefficient and higher activation energy. The addition of Ga to the SOG film presents the same effect, but much less intense. Ion implantation of Mg into GaAs has been studied. The Mg implantation has been performed in a simple and in a dual process, in this case with the co-implantation of P. The behavior of Mg during annealing after implantation has been analyzed. For doses of 1.1014cm-2 and energy of 200keV, high electrical activation is obtained for annealing at 900°C for 5, 10 and 20s, and at 950°C for 5s. By increasing the doses to 1.1015cm-2 (100keV), a strong reduction in activation is observed. However, by means of dual implantation with P, the activation is .increased by a factor of 3. This indicates that P reduces the As vacancies, increasing the Ga vacancies and consequently the activation of the Mg atoms. The different mechanisms of Mg diffusion have been identified, including the uphill diffusion. In both cases, the diffusion of Sn as the activation and diffusion of Mg after ion implantation, the effects of point defects such as VGa and GaI, is observed. This is expected based on the fact that both impurities tend to occupy Ga sites. This knowledge allows the optimization of the process by controlling the generation of the point defects / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T02:59:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tsuda_Sergio_D.pdf: 11842009 bytes, checksum: 9726ce6253239d01271de132c4389497 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Nesta dissertação serão apresentados os resultados das experiências de espectroscopia diferencial de transmissão resolvida no tempo em amostras de vidros dopados com semicondutor de CdSSe e CdTe. No primeiro tipo de amostras estudamos as mudanças induzidas no espectro de absorção das amostras quando elas são excitadas por um pulso óptico com duração de 60 fs na região acima e abaixo do "gap". No primeiro caso, as alterações do espectro de absorção são causadas por uma não-linearidade relacionada ao efeito de preenchimento de banda e o tempo de resposta é determinado pelo tempo de recombinação dos életrons fotoexcitados. Para a excitação na região de transparência da amostra observmos que o efeito não-linear responsável pelas mudanças é o efeito Stark óptico e a sua resposta é instantânea, isto é, ela dura essencialmente enquanto a excitação está presente. Para a amostra de CdTe, que apresenta efeitos de confinamento quântico sobre os portadores fotoexcitados, observamos a ocorrência da saturação da absorção de uma região do seu espectro de absorção. O efeito correspondente a esse tipo de alteração é conhecido por "hole burning". A dinâmica de relaxação dos portadores fotoexcitados, é inicialmente dominada pela relaxação dos buracos na banda de valência. Esse processo de relaxação ocorre num intervalo de tempo menor do que 100 fs. Posteriormente, a saturação da transição 1S-1S observada se recupera totalmente em menos de 500 fs, possivelmente devido à relaxação dos portadores através de estados de armadilha associados à ligações soltas ("dangling bonds") na interface vidro-semicondutor e/ou defeitos / Abstract: In this thesis the results of time resolved differential transmission spectroscopy in CdSSe and CdTe semiconductor-doped glasses are presented. In the first type of sample we have studied the induced changes in their absorption spectrum when they are excited by 60 fs optical pulses in the region below and above the gap. In the first situation, the spectral absorption changes are due to a nonlineaity related to band filling effect and the time response is determined by the photoexcited electron recombination. For excitation in the transparency region of the sample, we have observed that the nonlinear effect responsible for the changes, we have observed that the nonlinear effect responsible for the changes is the optical Stark effect and its time response is instantaneous, that is, it lasts as long as the excitation is present. For the CdTe sample, which exhibit quantum confinement effects on the photoexcited carriers, we have observed the occurrence of hole burning effects on the absorption spectrum. The relaxation dynamics of the photoexcited carriers is initially dominated by hole relaxation in the valence band. This relaxation process occurs within a time interval shorter than 100 fs. Later on, the observed bleaching of the 1S-1S transition recovers totally in less than 500 fs due to relaxation of the carriers through traps states associated to dangling bonds at the glass-semiconductor interface and/or defects / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Eliermes Arraes Meneses / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T02:48:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PlentzFilho_FlavioOrlando_M.pdf: 1324701 bytes, checksum: ace1055f146bb248fe6b91bb98a1e75e (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Neste trabalho nós estudamos o espectro de fotoluminescência de uma estrutura de Múltiplos Poços Quânticos com Dopagem Modulada Assimétrica (AlxGa1-xAs/GaAs). Quando a amostra é excitada por um laser de Kr+ o espectro exibe apenas uma linha proveniente dos poços de GaAs, a qual tem uma energia em torno de 1.526 eV. Sob condições de excitação similares, agora com um laser de Ar+, nós observamos a manifestação do Efeito de Fotocondutividade Permanente (PPC) o qual propicia o preenchimento da segunda sub-banda de elétrons. Neste caso, observamos duas transições, originadas nos poços, com energias em torno de 1,527 eV e de 1,545 eV. Nos dois casos (Kr+ e Ar+) as transições sofrem um deslocamento e direção a altas energias quando a potência de excitação é aumentada. À partir dos nossos resultados concluímos que as linhas em 1,527 eV (1,526 eV) e 1,545 eV correspondem as recombinações do gás bi-dimensional de elétrons confinados em duas sub-bandas distintas sendo que a ultima viola a regra de seleção para transições entre sub-bandas. Concluímos também que o deslocamento mencionado corresponde a uma diminuição na densidade do gás, o qual é explicado em termos de um mecanismo de transferência de buracos, foto-gerados nas barreira, para os poços / Abstract: We have studied the photoluminescence of a GaAs/AlxGa1-xAs Asymmetric Modulation Doped Multiple Quantum Well (AMDMQW) structure. The spectra show an emission line at 1.526 eV, when the sample is excited by Kr+ laser, which corresponds to a transition in the Wells. Under similar excitation conditions by Ar+ laser, we observed the manifestation of the Permanent, Photoconductivity Effect which provides the filling of the second electron sub-band. In this case we observed two lines, at 1.527 eV and 1.545 eV, coming from the GaAs wells. In both cases (Kr+ and Ar+) these lines shift, toward higher energies as the excitation intensity increases. From our results we conclude that the lines at 1.527 (1.626 eV) and 1.545 eV correspond to transitions due to the recombination of the two dimensional electron gas (2DEG) confined in two different sub-bands and that the second one is a break down of the selection rule for transitions between sub-bands. We conclude too that the mentioned shift represents a decrease in the 2DEG density, which is explained in the base of a transference of photoexcited holes in the barrier to the GaAs quantum Wells / Mestrado / Física / Mestre em Física

MENDES, G. M. S. L. Síntese e caracterização dos óxidos TiO2 , SnO2 e In2O3 dopados com Fe sintetizados por moagem mecânica: influência das ferramentas de moagem. 2013. 78 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Ciência dos Materiais) - Centro de Tecnologia, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2013. / Submitted by Marlene Sousa (mmarlene@ufc.br) on 2014-04-01T13:17:18Z No. of bitstreams: 1 2013_dis_gmslmendes.pdf: 6926025 bytes, checksum: b63c14d3f0b2a5df5b1c75164cc73d82 (MD5) / Approved for entry into archive by Marlene Sousa(mmarlene@ufc.br) on 2014-04-02T17:32:04Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2013_dis_gmslmendes.pdf: 6926025 bytes, checksum: b63c14d3f0b2a5df5b1c75164cc73d82 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-04-02T17:32:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2013_dis_gmslmendes.pdf: 6926025 bytes, checksum: b63c14d3f0b2a5df5b1c75164cc73d82 (MD5) Previous issue date: 2013-12-13 / Magnetic semiconductors have attracted the attention of scientists in recent years due, mainly, to technological applications in the field of spintronics. These semiconductors can be developed by a process called doping, where some atoms of the semiconductor matrix are randomly replaced by magnetic atoms. This property enables the fabrication of a manifold of electronic devices from the same semiconductor material. In this work the technique of high energy mechanical milling was applied to synthesize TiO_2, SnO2 and In2O3 doped with Fe2O3. The samples were structurally characterized by x-ray diffraction and Mössbauer spectroscopy. The synthesis was performed using three types of milling tools which influenced the outcome of the reactions. Compounds with formulas Sn(1-x)Fe(x)O2, Ti(1-x)Fe(x)O2 and {In(1-x)Fe(x)2}O3 were formed, with values of magnetic dopant concentration x of 2, 5 and 10% in atoms. Samples of Fe2O3-doped TiO2 were processed using a jar of polyacetal and zirconia spheres. However, the energy produced by these tools was not sufficient to complete the formation of the compound. Samples of TiO2 doped with Fe2O3 were successfully produced using stainless steel jar and spheres. The final compound was find to be contaminated with metallic iron impurities from the tools used. Furthermore, these impurities contributed to the formation of another phase, ilmenite (FeTiO3). To achieve purity, the samples were HCl washed for removal of metallic iron, but the phase related to ilmenite was not eliminated. Moreover, samples of Fe2O3-doped TiO2, SnO2, and In2O3 were synthesized using an alumina jar and zirconia spheres. These simples showed no undesirable impurities and no formation of other phases. While compounds based on TiO2 and SnO2 maintained their original crystalline structures, the compound {In(1-x)Fe(x)2O3} underwent a change in crystal phase, from its original cubic structure to a hexagonal corundum structure type. Results obtained from X-ray diffraction and Mössbauer spectroscopy showed that with increasing milling time Fe^{3+} enters in the semiconductor matrices substituting Ti^{4+}, Sn^{4+} or In^{3+} in octahedral sites. It was also observed the formation of oxygen deficient sites in the final compounds that may be attributed to long milling times or to stoichiometric imbalance between the precursor compounds used in the milling processes. / Os semicondutores magnéticos atraíram a atenção de muitos cientistas nos últimos anos devido, principalmente, a aplicações tecnológicas no ramo da spintrônica. Esses semicondutores podem ser desenvolvidos por meio de um processo chamado dopagem, onde alguns átomos da matriz semicondutora são substituídos aleatoriamente por átomos magnéticos. Esta propriedade possibilita a fabricação de uma variedade de dispositivos eletrônicos a partir do mesmo material semicondutor. Neste trabalho utilizou-se a técnica de moagem mecânica de altas energias para realizar a dopagem dos óxidos TiO2, SnO2 e In2O3 com Fe2O3, que foram caracterizados estruturalmente por difração de raios-x e espectroscopia Mössbauer. A síntese foi realizada em três tipos de ferramentas de moagem que influenciaram no desenvolvimento da reação. Foram formados compostos com fórmulas Sn(1-x)Fe(x)O2, Ti(1-x)Fe(x)O2 e {(In(1-x)Fe(x)}2O3, com valores de concentração do dopante magnético x de 2, 5 e 10% em átomos. Utilizando jarra de poliacetal e esferas de zircônia foram sintetizadas amostras de TiO2 dopadas com Fe2O3. No entanto, a energia produzida por estas ferramentas não foi suficiente para completar a formação do composto. Com uma jarra e esferas de aço inox foram produzidas amostras de TiO2 dopadas com Fe2O3, que por sua vez foram contaminadas com impurezas de ferro metálico proveniente das ferramentas utilizadas. Além disso, essas impurezas contribuíram para a formação de outra fase, a ilmenita (FeTiO3). Para alcançar um grau de pureza, essas amostras foram submetidas à lavagem com solução de HCl para a retirada do ferro metálico, porém a fase referente a ilmenita não foi eliminada. Compostos formados por TiO2, SnO2 e In2O3 dopados com Fe2O3 foram sintetizados em uma jarra de alumina com esferas de zircônia. Estas amostras não apresentaram impurezas indesejáveis e não houve formação de outras fase. Enquanto os compostos baseados em TiO2 e SnO2 mantiveram suas estruturas cristalinas originais, o composto {In(1-x)Fe(x)}2O3 sofreu uma mudança de fase cristalina, da estrutura cúbica original do In2O3 para hexagonal do tipo corundum. Resultados obtidos das medidas de espectroscopia Mössbauer e difração de raios-x mostraram que, com o aumento do tempo de moagem, o Fe^{3+} entra na matriz dos compostos semicondutores substituindo o Ti^{4+}, Sn^{4+} ou In^{3+} em sítios octaédricos. Foi observado também a formação de um sítio com deficiência de oxigênio nos compostos finais que pode ser atribuído ao processo e longos tempos de moagem ou ainda ao desbalanço estequiométrico dos compostos precursores usados na moagem.

Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T23:43:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Redigolo_MarcelaLeal_M.pdf: 13166565 bytes, checksum: d9bae77442c3de5cccb45f240921af01 (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Apresentamos nesta dissertação um estudo das propriedades ópticas de vidros dopados com pontos quânticos de CdTe. Apresentamos espectros de absorção como função da temperatura e calculamos estes espectros considerando os alargamentos inomogêneo, devido à distribuição de tamanhos dos pontos quânticos, e homogêneo, devido principalmente às interações elétron-fônon. Os resultados mostram que a largura homogênea cresce conforme o tamanho dos pontos quânticos diminui. Obtivemos também distribuições de tamanhos com desvio percentual (dependendo da amostra) de 5,8% ou 6,0% para amostras crescidas por um processo de dois tratamentos térmicos. Nós também apresentamos neste trabalho medidas de fotoluminescência resolvida no tempo em uma escala de nanossegundos para pontos quânticos de CdTe em função da temperatura da amostra (20 K e 120 K). A fotoluminescência foi resolvida espectralmente e observamos dois picos, um dominante com um deslocamento Stokes em relação ao espectro de absorção e um pico menos intenso a mais baixa energia. Medimos os tempos de decaimento para várias energias nestes picos e obtivemos um comportamento exponencial com tempos de decaimento variando de 95 ns a aproximadamente um microssegundo. O pico mais intenso da fotoluminescência apresenta o tempo de decaimento mais rápido e está relacionado com recombinação banda-a-banda. Atribuímos o pico menos intenso da fotoluminescência, com tempos de decaimento mais lentos, a estados de armadilhas / Abstract: In this work we present a study of optical properties in CdTe quantum dots in doped glasses. We present absorption spectra as a function of temperature and we calculate these absorption spectra considering the inhomogeneous broadening due to the quantum dot size distribution and the homogeneous broadening, due mainly to electron-phonon interactions. The results show that the homogeneous width increases as the quantum dot size decreases. Also, we obtain size distributions with standard deviation (depending on the sample) of 5.8% or 6.0% for samples grown with a two-step heat-treatment. We also present time resolved photoluminescence measurements in a nanosecond time scale for CdTe quantum dots as a function of sample temperature (20 K and 120 K). We spectrally resolved the photoluminescence and we observe mainly two peaks, a dominant one with Stokes Shift in relation to the absorption spectra and a less intense one at lower energy. We measure the decay with decay times varyuing from 95 ns to about one microsecond. The photoluminescence most intense peak presents the faster decay time and is related to band-to-band recombination. We attribute the photoluminescence less intense peak with slower decay times to trap states / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Luiz Carlos Kretly / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-27T07:31:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 GuassiJunior_Alexandre_M.pdf: 3422100 bytes, checksum: 137de903650f4affa0fe36453e6191fe (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de um conjunto de processos de baixo custo para fabricação de células solares. As células solares foram fabricadas utilizando lâminas de silício monocristalino, com orientação cristalografica < I OO> e resistividade típica de 4.1 à 9.0 ohm.cm, tipo p dopadas com boro. Ajunção n-p foi obtida por difusão usando papéis dopantes. Estes papéis são de dois tipos, os que possuem boro e os com fósforo.A montagem de um conjunto de lâminas de silício com estes dopantes, dispostos alternadamente, permitiu a obtenção de uma estrutura n-p/p+, numa mesma etapa de processo. Esta estrutura mostrou-se muito interessante, pois melhora o contato ôhmico posterior como também constrói uma estrutura denominada "Back Surface Field" a qual provocará um aumento no rendimento da célula solar. Os contatos, tanto na parte superior como na posterior, foram feitos usando o processo de "Nickel eletroless plating" e "Bright eletroless gold plating",métodoque permite a obtenção de um bom contato ôhmico e com boa aderência / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Luiz C. Barbosa / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-24T22:10:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CuevasRojas_RaulFernando_D.pdf: 5644281 bytes, checksum: 3322e55fc5a01650015df797b1011fdf (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Neste trabalho, fazemos a descrição e a análise do método utilizado na fabricação de vidros dopados com quantum dots de PbTe e das técnicas de caracterização que foram usadas para estudar as propriedades destes vidros. Foram preparadas matrizes vítreas borosilicato dopadas com 2% de PbTe, matrizes fosfato e matrizes à base de óxido de telúrio dopadas com 5 e 10% de PbTe respectivamente. A caracterização doi realizada fazendo uso das técnicas de microscopia eletrônica de varredura (SEM) e de transmissão de alta resolução (HRTEM), análise térmica diferencial (DTA), análise termomecânica (TMA). Espalhamento de raios-x em baixo ângulo (SAXS) e espectroscopia de absorção linear. A aplicação desta técnicas nas matrizes borosilicatos permitiram estabelecer os tratamentos térmicos adequados para o desenvolvimento dos quantum dots semicondutores com estreita distribuição de tamanho, o mecanismo de crescimento e o estudo dos efeitos de confinamento quântico. Os resultados mostraram que aplicando tratamentos térmicos simples na matrizes borosilicato é possível desenvolver quantum dots de PbTe com dispersão de tamanho de até 8%. O crescimento destes nanocristais é governado pelo mecanismo de difusão controlada e a energia de ativação que caracteriza este processo é de 474 kJ/mol para a matriz BSZK e 133 kJ/mol para a matriz BSZPN. A análise das medidas SAXS e de espectroscopia de absorção mostraram que, o modelo da aproximação da massa efetiva não é válido para quantum dots de PbTe e que a física envolvida nos efeitos de confinamento quântico é muito mais complicada do que o modelo simples. O espectro de absorção dos vidros dopados com PbTe mostraram, o típico "blue shift"que caracteriza os efeitos de confinamento quântico e a presença de picos bem resolvidos, indicativo da estreita distribuição de tamanho dos quantum dots. De outro lado, neste estudo mostramos que, controlando o tamanho dos quantum dots, a borda de absorção pode ser deslocada na faixa de 1000 a 2000 nm e portanto, a possibilidade de obter quantum dots com gap óptico na região de 1300 e 1500 nm. Isto sugere que Vidros dopados com quantum dots de PbTe potencialmente possam ser usados para aplicações em comunicação óptica e dispositivos fotônicos / Abstract: In this work, we make a description and analysis of the fabrication method's of the PbTe quantum dots (QD) doped glasses and characterization techniques used by study the properties of the glasses. We have prepared glasses doped with 5 and 10 % of PbTe respectively. The characterization was by Scanning Electron Microscopy (SEM), High Resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM), Differential Thermal Analysis (DTA), Thermal Mechanics Analysis (TMA), Scattering Angle Small X-Ray (SAXS) and Uv-Vis NIR Absorption Spectroscopy. Our Results shown that with simple thermal treatment in borosilicate matrixes is possible developed PbTe quantum dots narrow size distributions and the mean mechanism of growth is controlled by diffusion. In the borosilicate glasses the high size distribution for the quantum dots was 8 % and the activation energy in the BSZK matrix was 474 KJ/mol and 133 KJ/mol in the BSZPN matrix. With the SAXS and absorption spectroscopy measurements, we have shown that the effective mass approximation model's is not valid for PbTe quantum dots and the physics of quantum confinement is more complicate that box model. The absorption spectra of the doped glasses with PbTe shown the blue shift the absorption edges and wells resolved peaks. We shown that controlling the size of quantum dots is possible shifted the absorption edge between 1000 and 2000 nm therefore it is possible tuning the optic gap in the 1300 and 1500 nm region. These properties can be used for application in photonics devices / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientadores: Gunter Zerwick, Sergio Moehlecke / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T03:34:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Colucci_CesarCanesin_M.pdf: 1327008 bytes, checksum: 544bf70686f4a94caedc4c31bf4e5e3d (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Foi feito um estudo sistemático do comportamento das curvas de transição de fase Supercondutor ® Normal do Molibdênio dopado com nitrogênio em concentrações variáveis, no intervalo de 0,55K a 0,90K utilizando um criostato de 3He. As formas das curvas permitem calcular os volumes onde se encontram os precipitados e a região na qual o nitrogênioestá em solução sólida na matriz de Mo. A resistividade em função da temperatura tem sido calculada usando-se o tempo de transição to e o campo magnético crítico HC(T) em casos especiais onde a pureza e a homogeneidade são relevantes / Abstract: A sistematic study of the behaviour of Super-conducting to Normal phase transition curves in N2-dopped Molibdenum at several concentration has been done over the temperature range of 0.55K to 0.90K using a 3He cryostat. The shape of the curves allows us to compute the volumes in which we can find the precipitates, and the region where is the nitrogen solid solution. The resistivity as a function of temperature hes been calculated using the time transition to and critical magnetic field HC(T) in some special cases where the purity and homogeneity are relevant / Mestrado / Física / Mestre em Física