Ce mémoire est consacré à l'étude au 1er et au 2ème ordre de transistors bipolaires NPN issus de procédés de fabrication BiCMOS haute fréquence dans le but à la fois de qualifier les diverses technologies et d'apporter des interprétations physiques. Des caractérisations en statique et des mesures de bruit basse fréquence ont été effectuées sur des composants intégrés dans trois procédés différents (simple poly, double poly implanté et double poly dopé «in-situ»). Pour chaque technologie, les résultats expérimentaux sont interprétés en tenant compte des spécificités de chaque procédé de fabrication. Pour la technologie simple polysilicium, deux cas sont distingués. Pour les composants de faible surface active, le bruit évolue quadratiquement avec le courant de polarisation. Dans ce cas, la source de bruit dominante est localisée au niveau de l'oxyde interfacial entre les zones de silicium monocristallin et polycristallin de l'émetteur. Pour les composants de grande surface active, le bruit évolue linéairement avec le courant de base, et le paramètre quantifiant ce niveau de bruit est corrélé au niveau de courant non-idéal de base mesuré sur ces composants. La source de bruit est dans ce cas localisée le long de la périphérie non murée de la jonction émetteur base. Dans le cas des technologies double polysilicium, le bruit évolue quadratiquement avec la polarisation, quelle que soit la surface active du composant. Toutefois, contrairement aux résultats relevés dans la littérature, la normalisation par la surface active ne donne pas de résultats satisfaisants. Un modèle prenant en compte une variation de l'épaisseur de l'oxyde interfacial est proposé et appliqué avec succès aux résultats expérimentaux (statique et bruit BF) en technologie dopée «in-situ»

La silice cristalline quartz est l'une des substances causant le plus de décès reliés aux substances chimiques en milieu de travail au Québec. Les différents intervenants québécois en hygiène du travail aimeraient dans de nombreux cas connaître son pourcentage dans les matériaux dans le but d'optimiser leur plan d'interventions en milieu de travail. La provenance des échantillons étant aussi variée que les mines, les industries des produits en pierre, les sablières et gravières, ces matrices ajoutent une complexité à la quantification de la silice cristalline dans une large gamme de concentrations allant de 0 à 100 % (p/p). Puisqu'il existe différents polymorphes de la silice cristalline et qu'elle est aussi fréquente sous forme amorphe, une technique permettant la distinction entre ces différentes formes doit être utilisée. Le but premier de cette étude était donc de développer une méthode de quantification du quartz, le polymorphe le plus abondant de la silice cristalline. Cette méthode doit convenir à plusieurs types de matrice et permettre une bonne exactitude sur la quantification du quartz sur une large gamme de concentrations. Afin de pouvoir être éventuellement utilisée dans le cadre d'analyses routinières, la méthode devait s'avérer simple d'exécution et relativement rapide. Une procédure standard a donc été mise sur pied utilisant la diffraction des rayons X sur poudre combinée à la méthode Rietveld automatisée. Des échantillons simulés de matrices diverses et de concentrations variables en quartz ont permis d'optimiser chaque étape de la méthode, du montage de l'échantillon à l'affinement Rietveld en passant par les conditions d'analyse. À la suite de tests sur dix-neuf échantillons, une erreur absolue moyenne de 1,07 % (p/p) a été trouvée pour la concentration de quartz ainsi qu'une limite de détection de 0,24 % (p/p). La qualité des résultats obtenus confirme que cette méthode s'avère efficace pour la quantification du quartz à plusieurs concentrations et dans différentes matrices. L'erreur doit toutefois être diminuée pour pouvoir aspirer à la quantification fiable de très faibles quantités de quartz. La méthode est simple et permet l'analyse complète d'un échantillon en moins d'une heure, une certaine expérience est toutefois nécessaire pour valider les résultats obtenus. ______________________________________________________________________________ MOTS-CLÉS DE L’AUTEUR : Diffraction des rayons X, Méthode Rietveld, Quartz, Analyse quantitative.

Lorsqu'un ion projectile inertagit avec une surface, il dépose son énergie tout au long de son trajet. L'énergie déposée conduit à la création d'endommagements et à l'émission de particules secondaires, neutres et chargées. Dans cette thèse, nous avons étudié l'endommagement de surfaces cristallines induit par irradiation aux ions lents et rapides. Nous avons également étudié la pulvérisation d'ions secondaires durant l'irradiation aux ions rapides. Dans le cas d'irradiation aux ions lents multichargés, nous avons déterminé les sections efficaces d'endommagement par ion incident sur les surfaces cristallines de TiO2 et de graphite. Nous avons mis en évidence que l'énergie potentielle du projectile joue un rôle improtant dans l'endommagement de la surface. Par contre, l'étude d'endommagement surfacique du silicium cristallin s'est révelé insensible à l'irradiation aux ions (Xe, Ec = 0,92 MeV), où la perte d'énergie électronique est 12 keV/nm. L'efficacité maximale pour qu'un ion produise une modification à la surface est 0,3 %. Par irradiation aux ions rapides, l'émission d'ions de CaF+ par rapport à l'émission de Ca+ est plus grande dans le cas d'irradiation d'un cristal massif que dans le cas de couches minces de CaF2.