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Made available in DSpace on 2014-10-09T12:43:31Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T13:56:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 06635.pdf: 4560564 bytes, checksum: 677cab6b14a66c0989ef5859a83679e3 (MD5) / Dissertacao (Mestrado) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP

This thesis deals with the extreme daily temperature range (DTR) during the period 1961-2007 for the extended winter season, based on an analysis of the daily series from 49 climatological stations in the Czech Republic. The aim of the research was to find the frequency of the extreme DTR in the individual months and describe the effect of the sunshine, the snow cover and the altitude on the magnitude of the extreme DTR. Moreover, the work focused on the identification of typical synoptic situations, during the days with extreme DTR. During the study period, 1746 days with extreme DTR were detected at least at one climatological station. The extreme DTR occurred most often in March in the anticyclonic situations. During the days with strong wind, the eastern flow direction prevailed anticyclonic situations whereas the western direction prevailed cyclonic situations. The highest values of the extreme DTR generally occurred in the lowlands since the magnitude of extreme DTR decreased with increasing altitude. In general, the values of extreme DTR were reduced (by 0,2 řC on average) during the days with snow cover. Cloud cover had a similar effect, the mean difference of extreme DTR between cloudy days (defined as days with sunshine duration less than 1 h/day) and sunny days was 0,5 řC. The acquired...

The physical and chemical properties of In- and Au- interfaces with In[0.53]Ga[0.47]As/InP(100) and In[0.52]Al[0.48]As(100) formed at room and low temperatures have been studied. Current-voltage measurements have indicated that In contacts to Ino[0.53]Ga[0.47]As(100) formed at 80K exhibit significantly higher Schottky barriers (&phis;b=0.45 eV) than In diodes formed at 294K (&phis;b=0.30 eV), whereas Au diodes formed on In[0.53]Ga[0.47]As(100) at either low temperature or room temperature exhibit Ohmic behaviour. The reactions occurring during interface formation at room and low temperatures have been investigated using soft X-ray photoemission spectroscopy (SXPS) and Transmission Electron Microscopy (TEM).The results presented show that In metallisation of In[0.53]Ga[0.47]As(100) at room temperature results in a predominantly three dimensional mode of growth, accompanied by the out-diffusion of As. Low temperature (125K) metallisation appears to reduce clustering and inhibit As out-diffusion. Examination of the resulting interfaces by TEM confirm the more uniform nature of the metal layers formed at low temperature. Metallisation temperature seems to have little effect on the formation of Au-In[0.53]Ga[0.47]As(100) interfaces, other than to reduce the extent of overlayer clustering, with As out-diffusion apparent for both low and room temperature Au deposition. Interfaces formed between In and In[0.52]Al[0.48]As(100) at both low and room temperature were relatively abrupt with no out-diffusion of substrate species into the metal overlayer. Low temperature metallisation again appeared to reduce overlayer clustering, with TEM studies showing a smaller grain size at low temperature. Au deposition onto In[0.52]Al[0.48]As(100) produced similar interfaces formed at room and low temperature. As diffuses into the Au overlayer to form an Au/As compound at both temperatures, resulting in an interface that is complex and reacted. The degree of overlayer clustering is also thought to be much less pronounced for Au deposition compared to In deposition. Barrier heights measured by SXPS during the study, show good agreement with reported current-voltage measurements for Au and In diodes formed on both In[0.53]Ga[0.47]As/InP(100) and In[0.52]Al[0.48]As(100). Possible mechanisms for the observed adaptation of the pinning position are discussed in the context of current models of Schottky barrier formation.

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:42:37Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:01:33Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:43:31Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T13:56:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 06635.pdf: 4560564 bytes, checksum: 677cab6b14a66c0989ef5859a83679e3 (MD5) / Dissertacao (Mestrado) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:42:37Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:01:33Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Este trabalho teve como objetivo a combinação de ânodos e eletrólitos otimizados, para a formação de células a combustível de etanol direto (DEFC), operantes em elevadas temperaturas (130 ºC). Como materiais de ânodo, foram produzidos eletrocatalisadores baseados em PtSn/C, com diversas razões atômicas Pt:Sn, preparados pelo método do poliol modificado, essa metodologia possibilita a produção de eletrocatalisadores auto-organizados com estreita distribuição de tamanhos de partículas e elevado grau de liga. Os eletrocatalisadores foram caracterizados por DRX e stripping de CO. Os resultados mostraram que esses materiais apresentaram elevado grau de liga e Eonset de oxidação de CO em potenciais menores do que os materiais comerciais. Como eletrólito, foram sintetizados híbridos Nafion-SiO2 com a incorporação do óxido diretamente nos agregados iônicos de diversos tipos de membranas Nafion. Os parâmetros de síntese, tais como o solvente em meio solgel, a espessura da membrana, e a concentração do precursor de sílica foram avaliados em termos do percentual de sílica incorporada e da estabilidade mecânica do híbrido. Por fim, ânodos e eletrólitos otimizados foram avaliados em DEFCs nas temperaturas de 80 e 130 ºC. Os resultados mostraram um significativo incremento no desempenho de polarização (122 mW cm-2), resultado da aceleração na taxa de oxidação de etanol devido ao material de ânodo otimizado e do aumento de temperatura de operação, uma vez que o uso de eletrólitos híbridos possibilita o aumento da temperatura sem perdas de condutividade. Nesse sentido, a combinação de eletrodos e eletrólitos otimizados é uma alternativa promissora para o desenvolvimento de tais dispositivos. / Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:49:49Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:02:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 09819.pdf: 15341022 bytes, checksum: 089b1783177dd73c7433320bd2e0de7c (MD5) / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / Tese (Doutoramento) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP / FAPESP:98/05906-6

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:34:52Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:08:21Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / O carbeto de boro é um material sintético com ligações químicas essencialmente covalentes, tem um alto ponto de fusão só é sinterizável em elevada temperatura. Possui excepcional dureza, baixa densidade, resistência a abrasão, elevada velocidade sônica e boas propriedades mecânicas, características ideais para as aplicações balísticas. Tem como principal característica a alta seção de choque para nêutrons térmicos para aplicações nucleares. O presente trabalho teve por objetivo avaliar as propriedades mecânicas do carbeto de boro, pela introdução de diferentes teores de diboreto de titânio, pela reação in situ com pós de carbeto de titânio, e adição do carbono durante a sinterização, em forno resistivo sem pressão e prensagem isostática a quente dos componentes cerâmicos. Em menores temperaturas valores obtidos da densidade teórica para o carbeto de boro puro, foram alcançados com o emprego do aditivo. Os resultados obtidos na sinterização mostram a eficiência da introdução do carbeto de titânio para o aumento da densificação do material. Com percentuais de 20% de carbeto de titânio, obteve-se os máximos valores para microdureza (HV) de 35 GPa e tenacidade a fratura (KlC) de 3,16 MPa.m1/2. Comprovadamente a dificuldade de sinterização em elevadas temperaturas, para maior densificação, de componentes cerâmicos de carbeto de boro pode ser minimizada com a introdução de percentuais de carbeto de titânio. / Dissertação (Mestrado) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP

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