Orientador : Celso Pascoli Bottura / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T08:24:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Val_JoaoBoscoRibeirodo_M.pdf: 16668668 bytes, checksum: c525b2231fe63722dccef3b34a295457 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Yaro Burian Junior / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T08:31:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 RuppertFilho_Ernesto_M.pdf: 1937414 bytes, checksum: 4ee8763f9fc86a6af1ed491ba591ebda (MD5) Previous issue date: 1976 / Resumo: Dadas as dificuldades apresentadas pelos modelos matemáticos mais comuns de motor de indução desenvolveu-se, a partir das transformações de Park, Blondel e Kron, um modelo adequado para simulação de motor de indução de rotor enrolado quando submetido a chaveamento das correntes de rotor. O presente trabalho procurou, didaticamente, na medida do possível, desenvolver alguns modelos de motor em questao, modificando-os gradati vamente, ate chegar ao seu objetivo final / Mestrado / Mestre em Ciências

Orientador: Jose Antenor Pomilio / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-13T08:24:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ortenzi_Gustavo_M.pdf: 4885292 bytes, checksum: 8a23d8845eaad19c72fe6f84e13af963 (MD5) Previous issue date: 2009 / Resumo: Descreve-se neste trabalho o desenvolvimento de uma fonte de alimentação chaveada para utilização em eletrodomésticos, capaz de entregar três saídas com níveis de tensão e potência diferentes, com uma mínima troca de componentes entre as três versões. Na primeira parte do trabalho é apresentada a aplicação da fonte e suas necessidades, seguido das especificações e da escolha da topologia e do modo de operação. Dando continuidade no desenvolvimento do projeto da fonte, apresenta-se a metodologia de cálculo adotada para o dimensionamento dos componentes a serem utilizados. Uma vez com os componentes dimensionados, apresenta-se a seleção dos componentes visando a estratégia de escalabilidade. Finalizando o dimensionamento dos componentes, apresenta-se o esquemático da fonte de alimentação e os componentes que são modificados de acordo com a versão em questão. A seguir, apresentam-se os resultados obtidos dos testes de regulação cruzada das saídas, as principais formas de onda de corrente e tensão do conversor, o rendimento das três versões considerando diferentes tensões de entrada de rede e a resposta a transiente. Fechando os resultados práticos, apresentam-se os ensaios de desenvolvimento de EMC/EMI, mostrando os resultados iniciais, as modificações implementadas e as soluções adotadas. No último capítulo apresenta-se as conclusões e as perspectivas de continuidade de desenvolvimento deste trabalho. / Abstract: This work describes the development of a switch mode power supply to be used at home appliances, capable to deliver three outputs with voltage and power different levels, changing a minimum number of components between them. At the first part of the work is presented the application of the power supply and its needs, followed by the specifications and choose of the topology and the operation mode. Continuing the design of the power supply's project, it is presented the methodology adopted to calculate and select the components to be used. With the components selected, it is presented the components selection criteria looking the scalability strategy. Ending the component's calculation and selection, the power supply schematic and the components that change according to the used version are shown. After the design, experimental results of the output cross regulation, main waveforms of voltage and current, efficiency and transient response of the three versions considering different AC Mains voltages are shown. Closing the experimental results, the EMI/EMC tests are presented, presenting the preliminary results, followed by the adopted modifications and solutions. The last chapter presents the conclusions and the perspectives of new developments of this work. / Mestrado / Energia Eletrica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Edson Bim / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-04T02:19:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Almeida_JoseFranciscoMarcondesde_M.pdf: 3295187 bytes, checksum: 42264ed158c326964081fa1d1520c625 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Este trabalho tem como finalidade descrever a obtenção de capacitâncias variáveis a partir do chaveamento de um capacitor para aplicação em motores de indução monofásicos. Tradiciona1mente, neste tipo de motor, utiliza-se uma chave centrífuga com um capacitor para a partida e outro para o regime. Um método alternativo propõe a substituição da chave centrífuga e do capacitor de partida por uma chave a estado sólido ligada em paralelo com o capacitor de regime. Os dois métodos são analisados, implementados e comparados. Resultados de simulação demonstram a obtenção de capacitâncias maiores através de curtoscircuitos programados no capacitor de regime. Os resultados experimentais foram obtidos através de um sistema de desenvolvimento baseado no microcontrolador 87Cl96KD da Intel / Abstract: The main purpose of this work is to obtain the variable capacitances from a switched capacitor for application in single-phase induction motors. Traditionally, this motor, uses a centrifugal switch with a starting capacitor and a running capacitor. An alternative method replaces the centrifugal switch and the starting capacitor by a solid-state switch in parallel with the running capacitor. The two methods are analyzed, implemented and compared. Simulations results show the increase of the capacitance through programmed short-circuits of the running capacitor. The experimental results are obtained through a development system based on the 87C196KD microcontroller of the Intel / Mestrado / Energia Eletrica / Mestre em Engenharia Elétrica

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / The resistive random access memories (ReRAM) are a class of emerging devices of the new generation of non-volatile memories. Many researchers have been providing many efforts to understand and develop these new memories by presenting simple metal-insulator-metal structure (MIM), easy of read / write, high storage density and low power consumption. The resistive switching (RS) is the basic phenomenon for the functioning of these memories, in which when a given voltage is applied to the MIM device, it may suffer the switching from initial insulating resistance state (HRS - High Resistance State) to a conductor resistance state (LRS - Low resistance state). The RS has been observed in various materials such as ZnO, NiO, perovskites and some solid electrolyte, in which two typical behaviors were observed: unipolar and bipolar. The unipolar switching behavior is independent of the applied polarity, while the bipolar behavior is not dependent. However, the influence of the insulating medium at kind behavior has not been known yet or how the insulating properties of the crystal may favor one or other behavior kind. Thus, in this study were constructed devices with structure Pt/ZnO(t)/ITO and Pt/ZnO(t)/Pt on glass substrates, where t is the deposition time of the ZnO layer varing from 3 min to 3 h. XRD measurements were performed showing that the crystallinity of the samples increased with the deposition time t > 30 min, however, the devices with t < 30 min no diffraction peak was observed. The RS behavior of all devices indicated that the switching from HRS to LRS was given by creation of conducting filaments based on oxygen vacancies, connecting the electrodes. It was observed that there was no significant influence of the lower electrode from the value of the filament forming voltage. In all devices the process of destruction of the filaments was based on the Joule effect, in which the conductive path is permanently destroyed that caused structural damage inside the ZnO matrix. The analyses showed that the behavior of RS was quality dependent of ZnO matrix, where appropriate values of oxygen vacancies are necessary for better performance in resistive memory. / As memórias resistivas de acesso aleatório (ReRAM) são uma classe de dispositivos emergentes da nova geração de memórias não voláteis. Muitos pesquisadores vêm dispondo muitos esforços para compreender e desenvolver essas novas memórias por apresentarem estrutura simples metal-isolante-metal (MIM), facilidade de gravação/leitura, alta densidade de armazenamento e baixa potência consumida. A comutação resistiva (CR) é o fenômeno base para o funcionamento dessas memórias, na qual quando uma dada tensão elétrica é aplicada no dispositivo MIM, este pode sofrer a comutação de seu estado de resistência inicialmente isolante (HRS – High Resistance State) para um estado de resistência condutora (LRS – Low Resistance State). A CR já foi observada em diversos materiais como ZnO, NiO, perovskitas e alguns sólidos eletrolíticos, na qual dois comportamentos típicos foram percebidos: unipolar e bipolar. No comportamento unipolar a comutação é independente da polaridade aplicada, ao passo que no comportamento bipolar há essa dependência. No entanto, ainda não é bem conhecida a influência do meio isolante no tipo de comportamento ou como as propriedades cristalinas do isolante podem favorecer um comportamento ou outro. Dessa forma, neste trabalho foram construídos, através de um sistema de sputtering, dispositivos com estrutura Pt/ZnO(t)/ITO e Pt/ZnO(t)/Pt sobre substratos de vidro, onde t foi o tempo de deposição da camada de ZnO que variou de 3 min a 3 h. Medidas de DRX foram realizadas mostrando que a cristalinidade das amostras cresceu com o tempo de deposição para t > 30 min, porém os dispositivos com t < 30 min nenhum plano cristalino foi observado. O comportamento da CR de todos os dispositivos indicou que a comutação de HRS para LRS se deu por criação de filamentos condutores baseados em vacâncias de oxigênio, conectando os eletrodos. Foi observado que não houve influências significativas do eletrodo inferior em relação ao valor da tensão de formação filamentar. Em todos os dispositivos o processo de destruição dos filamentos foi baseado no efeito Joule, na qual o caminho condutor foi destruído de forma permanente causando danos estruturais no interior da matriz do ZnO. As análises mostraram que os comportamentos da CR dependeram da qualidade da matriz do ZnO, na qual valores adequados de vacâncias de oxigênio se fazem necessários para o bom desempenho em memória resistiva.