Orientador: Diogenes Galetti / Mestre

Made available in DSpace on 2016-01-13T13:27:36Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1990. Added 1 bitstream(s) on 2016-01-13T13:31:12Z : No. of bitstreams: 1 000027496.pdf: 1437677 bytes, checksum: d5157496823406ef4faee1e15b2a6300 (MD5)

Orientador: Marcus A. M. de Aguiar / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-02T12:51:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Arraut_JosefinaMoraes_M.pdf: 63322444 bytes, checksum: b25641915f33381b28d1b3b3165f46d1 (MD5) Previous issue date: 2002 / Resumo: Neste trabalho estudamos a influência do caos sobre o tunelamento de partículas. Utilizamos como modelo um potencial unidimensional, quártico, do tipo poço duplo, perturbado por um termo periodicamente dependente do tempo. A perturbação introduz caos, tornando o sistema misto, isto é, fazendo com que apresente ilhas de movimento regular imersas em um mar de caos em seu espaço de fase. Alterando a amplitude e a frequência da perturbação periódica conseguimos variar o número, a disposição e o tamanho das ilhas regulares, e a quantidade de caos que as separa. Estudamos a propagação de pacotes de onda localizados neste potencial, utilizando-os como representações semiclássicas de partículas. Observamos que, no regime semiclássico em que trabalhamos (pacotes localizados), a região de interesse é a fronteira entre regularidade e caos. O principal efeito quântico atuante nesta região é a reflexão, não o tunelamento. Observamos no entanto que a presença do caos favorece o tunelamento dos pacotes de onda neste regime / Abstract: We have studied the effects of chaos on the tunneling of particles. As a model we used a one dimensional double well-type quartic potencial, perturbed by a periodic driving. The driving force introduces chaos and the sistem becomes mixed, exhibiting islands of regular motion immersed in a sea of chaos in its classical phase space. By altering the amplitude and the frequency of the periodic driving we were able to vary the number, disposition and size of the regular islands, and the amount ou chaos in between them. We studied the propagation of localized wave packets in this potential, using them as semiclassical representations of particles. We observed that, in the semiclassical regime in which we have worked (localized wave packets), the region of interest is the border between regularity and chaos. The main quantum effect at play in this region is re ection, not tunneling. We observed however, that the presence os chaos favours the tunneling of wave packets in this regime / Mestrado / Física / Mestra em Física

Orientadores: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva, Carlos Tejedor / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Waghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:25:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Schulz_PeterAlexanderBleinroth_D.pdf: 4276094 bytes, checksum: 4550b3b3d412ec8c9f02528249c77550 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Nesse trabalho estudamos vários aspectos do fenomeno de tunelamento eletrônico em heteroestruturas de semicondutores. Discutimos e aplicamos diferente métodos de cálculo de probabilidades de transmissão e correntes de tunelamento. Ênfase especial é dada ao problema de tunelamento ressonante através de poços quânticos de semicondutores. Efeitos de desordem e campo magnético sobre a corrente de tunelamento também são analisadas / Abstract: In this work we study many aspects of electronic tunneling through semiconductor heterostructures. We discuss and apply diferent methods to calculate transmission probabilities and tunneling currents. Special atention is payed to the resonant tunneling through quantum wells problem. Disorder effects and the influence of magnetic fields on tunneling currents are also analysed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Amir O. Caldeira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T03:59:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sztajn_Paola_M.pdf: 2006679 bytes, checksum: b5eca0587685ba2310c46b6a1177c982 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Neste trabalho pretendemos analisar comparativamente os resultados opostos obtidos primeiramente por Caldeira e Leggett e posteriormente por Bruinsma e Bak. Os primeiros resolveram o problema do tunelamento macroscópico dissipativo de um estado meta-estável e concluíram que a dissipação inibe o tunelamento. Os últimos estudaram o problema da transmissão através de uma barreira de potencial dissipativa e concluíram, por sua vez, que o efeito da flutuação se sobrepõe ao da dissipação aumentando a taxa de tunelamento. Inicialmente estudamos o método proposto por Bruinsma e Bak para resolver o problema da transmissão dissipativa e depois o modelo para quantização de sistemas dissipativos. Posteriormente, verificamos a questão da escala de tempo apropriada para o problema de interesse. Finalmente analisamos a validade do método utilizado por Bruinsma e Bak / Abstract: In the present work we intend to comparatively analyze the opposite results obtained firstly by Caldeira and Leggett and secondly by Bruinsma and Bak. The first solved the problem of macroscopic dissipative tunneling out of a metastable state and concluded that dissipation inhibits tunneling. The latter studied the problem of the transmission in a dissipative potencial barrier and concluded that the effect of fluctuation is bigger than that of dissipation and this enhances the tunneling rate. First of alI we study the method proposed by Bruinsma and Bak to solve the dissipative transmission problem and then the model for quantization of dissipative systems. After that we verify the question of the appropriate time scale for the problem we are interested in. Finally, we analyze the validity of Bruinsma and Bak's method / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Paulo Motisuke / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T12:07:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Alves_RudsonRibeiro_M.pdf: 5867968 bytes, checksum: 357e2b0e37bf54b293f21f847c3d6cae (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho implementamos experimentos para a medida da corrente de tunelamento em amostras de Dupla Barreira de GaAs/AlxGa1-xAs e de GaAs com dopagem planar de Si (d -doping). Para isto preparamos dois sistemas experimentais: a) "Circuito Ponte de Wheatstone" e b) sistema "Fonte de Corrente e Voltímetro". O primeiro sistema, "Circuito Ponte de Wheatstone", permite-nos medir diretamente, além da curva característica I vs. V, a primeira e segunda derivada. Sob algumas condições particulares, é também possível obter a curva C vs. V. Entretanto, este sistema está limitado a corrente máxima de 1OmA . O sistema "Fonte de Corrente e Voltímetro " permite-nos medir apenas a curva I vs. V, mas com correntes de até IA e com resolução melhor que de uma parte em 103 , o que nos possibilita obter a primeira e a segunda derivada numericamente. Para a análise das estruturas na corrente de tunelamento apresentamos os modelos teóricos utilizados para o estudo de tunelamento de elétrons e de buracos em amostras de dupla barreira. Estes são calculados na aproximação da função envelope e no método da matriz de transferência (tunelamento de elétrons), e mais o Hamiltoniano da massa efetiva de Luttinger e Kohn (tunelamento de buracos). Baseado nestes modelos determinamos: i) as posições dos picos na curva I vs. V através do cálculo da corrente de tunelamento (no caso de elétrons) e ii) as curvas das Posições dos Picos da Probabilidade de Transmissão de buracos em função da Tensão Aplicada, o que nos permite comparar estes resultados com os experimentais. Medida da curva d2I/dV2 vs. V para uma amostra de GaAs com dopagem planar (d -doping) mostrou quatro estruturas bem resolvidas. Estas estruturas podem ser associadas à tunelamento ressonante de elétrons através da camada de topo, onde os portadores são injetados do emissor (contato de Au), para as sub-bandas não populadas no poço de potencial delta. Nas amostras de Dupla Barreira de GaAs/AlxGa1-xAs foram medidas as curvas I vs. V utilizando o sistema "Fonte de Corrente e Voltímetro", e as suas derivadas foram obtidas numericamente. A amostra tipo n , N° 204, apresentou duas estruturas, uma em +2OOmV e outra em -17OmV, para as duas polarizações, as quais associamos a tunelamento ressonante de elétrons com a primeira sub-banda no poço. Outras oscilações observadas foram associadas a transmissão com a segunda sub-banda e com estados virtuais do contínuo. Já a amostra tipo p , N° 199, apresentou uma região de resistência diferencial negativa muito evidente próxima de 1,1 V na curva I vs. V. Segundo o modelo utilizado é esperado um pico de ressonância na curva I vs. V em ~ 167mV. Esta grande discrepância entre o valor esperado e o valor medido se deve principalmente a resistência dos contatos que não nos foi possível eliminar nas amostras de Dupla Barreira tipo p / Abstract: In this work we introduced experiments for tunneling current measurements on double barrier of GaAs/AlxGa1-xAs and single GaAs layer with planar Si d-doped samples. For this purpose, we prepared two experimental system: a) "Wheatstone Bridge" system and b) "Current Source and Voltmeter" system. The former, "Wheatstone Bridge" system, allow us to measure directly not only the I vs. V characteristic curve but also the first and second derivative. It is also possible to measure C vs. V curve on some particular conditions. However, this system is limited to the maximum current of 10mA . The "Current Source and Voltmeter" system allow us to measure only I vs. V curve, but for currents up to 1A and resolution better than one part in 103 .For these data, the first and second derivative are obtained numerically. For analysis of the tunneling current structures, we present theoretical model calculated in the envelope function approximation and in the transfer-matrix method to electron tunneling, and in addition the Luttinger-Kohn effective-mass Hamiltonian formalism is used for hole tunneling. Based on this model we calculated: i) the position of peaks in the I vs. V curve for electron tunneling current and ii) the Transmission Probability Peaks Positions as function of the Applied Voltage for holes, that are to compared to the experiments. The experimental of d2I/dV2 vs. V curve of d -doped GaAs sample shows us four well resolved structures that are assigned, tentatively, to the resonant electron tunneling through the cap layer where the carriers are injected from the emitter (Au contact) to the empty sub-bands into the d -doping potential well. In the double barrier GaAs/AlxGa1-xAs samples we measured I vs. V curves using the "Current Source and Voltmeter" system, and their derivatives were obtained numerically. The n-type sample, #204, presented two structures localized at +200mV and -170mV, that are assigned as resonant tunneling structure to the first subband in the well. Other oscillatory structures are assigned as resonant transmission through the second subband and/or into continuum virtual states. In p-type double-barrier samples used in this work, we observed great discrepancy between the predicted and the measured tunneling structure position values. This is probably due to the big contact resistance values that unfortunately we couldn't remove, during the reprocessing of the samples. Therefore, these p-type double-barrier experiments are not considered in detail in this work / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Peter A. B. Schulz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-20T01:32:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 RiveraRiofano_PabloHector_M.pdf: 2807565 bytes, checksum: 8013df28fe538579db6f5600efe7a4a9 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho discutimos a influência da formação de um gás bidimensional na interface emissor-barreira sobre a densidade de corrente de um diodo de tunelamento ressonante de dupla barreira de GaAs-A1GaAs. A formação desse gás bidimensional em função da voltagem aplicada ocorre em dispositivos onde camadas de GaAs não dopadas são crescidas entre os contatos fortemente dopados e a estrutura de barreira dupla propriamente dita. Esse procedimento diminui o espalhamento devido a impurezas ionizadas, melhorando as características corrente-voltagem desses diodos de tunelamento. A formação desse emissor 2D é estudada como função da largura dessas camadas espaçadoras, da temperatura e da voltagem aplicada ao dispositivo. Para isso resolvemos autoconsistentemente a equação de Poisson e a equação de Schrodinger nessas regiões. Essa análise permite-nos inferir diferentes caminhos de tunelamento, relacionados com a formação de estados confinados no emissor, e suas assinaturas em características corrente-voltagem de diodos de tunelamento ressonante / Abstract: We discuss the influence of formation of a 2DG at the emitter-barrier interface on the evaluation of the characteristics of a GaAs-AIGaAs double-barrier quantum well resonant tunneling diode. The formation of a 2DG in function of applied voltage happens in diodes with GaAs undoped spacer layer grown between contacts and barriers. This procedure diminishes the scattering mechanisms and improves the resonant tunneling features. The formation of this 2D emitter is studied in function of spacer layer width, temperature and applied voltage by solving Poisson and Schrodinger equations self-consistently. This analysis permits us to infer different tunneling channels, related to the formation of confined states in the emitter region, and their features in current-voltage characteristics of resonant tunneling diodes / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Peter A. B. Schulz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T06:34:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ReyGonzalez_RafaelRamon_D.pdf: 1169729 bytes, checksum: 34e89412ab4d7d4d1dc472b0deb3857a (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: No presente trabalho são analisadas as propriedades eletrônicas de sistemas unidimensionais e bidimensionais desordenados. Essa desordem pode apresentar correlações. As correlações são proibições da ligação de certas espécies químicas entre si. A base do modelo em estudo é, assim, a chamada liga binária repulsiva. É analisada a probabilidade de transmissão de uma partícula através de cadeias unidimensionais, bem como o fenômeno de tunelamento ressonante através de uma estrutura de poço de dupla barreira. Também é discutida a validade das aproximações de campo médio na análise das regras de quantização pelo confinamento espacial de sistemas desordenados. A formação de minibandas em heteroestruturas de múltiplas camadas, apresentando desordem, também é estudado. A última parte do trabalho é dedicada à análise de sistemas bidimensionais, nos quais é discutida a existência de um comprimento de localização anisotrópico / Abstract: In this work we analyse the electronic properties of unidimensional and bidimensional disordered systems. The disorder can be correlated. The disorder can be correlated. These correlations occur when certain bounds between atoms are not allowed. Therefore, the starting point of our model is the so called repulsive binary alloy. We study the transmission probability of a particle through unidimensional chains, and the resonant tunneling phenomenon through a double barrier quantum well structure. Further, we discuss the validity of mean field aproximations to analyze the quantization rules of spacial confinement in disordered systems. The formation of minibands in multiple layers disordered heterostructures are also studied. in the last part of the work, we analyse disordered bidimensional systems. For these systems, are discuss the existence of an anisotropic localization lenght / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Made available in DSpace on 2016-05-17T16:50:51Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2007-02-28. Added 1 bitstream(s) on 2016-05-17T16:54:29Z : No. of bitstreams: 1 000855783.pdf: 748037 bytes, checksum: 8eabecae788e64f7c338bab8817fe30f (MD5) / Nesta dissertação apresentaremos uma revisão sobre as definições de tempos de tunelamento no contexto da Mecânica Quântica não-relativíıstica mais discutidas na literatura; proporemos uma generalização relativística para uma delas e compararemos nossos resultados com aqueles já conhecidos / In this dissertation we show a review about the most discussed definitions of quantum tunelling times in the context of Nonrelativistic Quantum Mechanics, we propose a relativistic generalization for one of them and compare our results with those well-known ones

Made available in DSpace on 2016-01-13T13:27:49Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1992. Added 1 bitstream(s) on 2016-01-13T13:33:19Z : No. of bitstreams: 1 000524313.pdf: 4320286 bytes, checksum: 6ae85652f959edf2525a5a065a614b00 (MD5) / Discutimos nesta tese o efeito túnel através de uma barreira de potencial em várias dimensões e aplicamos a três problemas diferentes. Primeiramente estudamos o problema de tunelamento através de barreiras em duas dimensões usando métodos quânticos. Consideramos a colisão de dois isótopos de Ni à energias em torno da altura da barreira na região de 100 MeV. Encontramos os coeficientes de reflexão e transmissão fazendo um cálculo de canais acoplados. Nos cálculos numéricos consideramos até cinco canais abertos e encontramos que se o número de canais é aumentado, os resultados variam apenas ligeiramente. Propomos neste trabalho um tipo de acoplamento entre os graus de liberdade diferente daqueles existentes na literatura e estudamos o efeito deste acoplamento na região da barreira. Calculamos também a secção de choque de fusão e comparamos os nossos resultados com os experimentais e com outros encontrados na literatura. 0 segundo problema considerado é a emissão espontânea de núcleos mais pesados que a particula alfa. Discutimos a emissão de 'INTPOT. 14 C' do 'INTPOT. 223 Ra' que foi recentemente observada e calculamos os fatores de pré-formação. Estudamos a razão dos fatores de pré-formação para a emissão do 'INTPOT. 14 C' relativa à emissão da particula alfa do 'INTPOT. 223 Ra'. Consideramos uma barreira de potencial realistica, comparamos nossos resultados para os fatores de penetrabilidade e os fatores de pré-formação com outros encontrados recentemente na literatura. À seguir fazemos um estudo do tamanho do raio nuclear na teoria de decaimento exóticos, considerando as várias reações onde decaimentos de núcleos mais pesados que a particula alfa já foram observados. Finalmente, consideramos a formação de aglomerados alfa em núcleos. Usando um modelo de cluster simples, estudamos algumas propriedades nucleares do 'INTPOT. 44 Ti', como por exemplo, as funções... / The quantum tunneling through a potential barrier in several dimensions is discussed and three diferent problems are studied. Firstly the tunneling problem through two dimensional barrieers is studied using quantum mechanical methods. We consider the collision of two Ni isotopos at energies near the top of the barrier of 100 Mev. The reflection and transmission coefficients are found through a coupled channel calculation. We have considered up to five open channels in the numerical calculations and have found that if the number of channels is increased further the results change only slightly. A different kind of coupling between the degrees of freedom from those found in the literature is proposed and the effect of this coupling in the barrier region is studied. The sub-barrier fusion reaction cross section is also calculated and our results are compared with the data and other results found in the literature. The second problem is the spontaneous emission of nuclei havier than the alpha particle. The emission of 'INTPOT. 14 C' from 'INTPOT. 223 Ra' recently observed is discussed and the penetrability factors are calculated. The ratio of the preformation factor for the'INTPOT. 14 C' emission relative to the emission of the alpha particles by the 'INTPOT. 223 Ra' is studied. Considering a realistic potential barrier we compare our results for penetrability factors and preformation factors with other recently found in the literature. Then, the size of the nuclear radius in the exotic decay theory is studied, considering several reactions where decays of nuclei heavier than the alpha particle have been observed. Finally the alpha clustering in nuclei is considered. Using a simple cluster model some nuclear properties of the 'INTPOT. 43 Ti' are studied, as wave functions, energy levei schemes and decay widths. Two different kinds of semiclassical approximations are considered to study the wave functions and the quantum...