L’angiographie par fluorescence au vert d’indocyanine (ICG-FA) est une technologie d’imagerie non-invasive ayant été validée pour évaluer la perfusion tissulaire, pour délimiter l’anatomie des voies biliaires extra-hépatiques et pour localiser les ganglions et les vaisseaux lymphatiques. Depuis les années 2000, son utilisation connaît une expansion dans diverses spécialités chirurgicales incluant la chirurgie pédiatrique. Ce mémoire explore les indications actuelles de l’angiographie par fluorescence au vert d’indocyanine en pédiatrie et son introduction lors de résections intestinales pédiatriques à l’aide d’un essai clinique prospectif de faisabilité. Alors que l’utilisation de l’ICG-FA est bien définie en chirurgie adulte, cette technologie demeure peu utilisée en pédiatrie. Une revue systématique avec synthèse narrative portant sur l’utilisation de la technologie en contexte périopératoire chez la population pédiatrique a été menée. La majorité des articles étaient des études de cas et des séries de cas (n=36 ; 56%). Aucun effet indésirable relié au vert d’indocyanine n’a été rapporté. Le risque de biais de sélection et d’information était élevé. Les résultats de la revue systématique indiquent que bien que les indications demeurent limitées en pédiatrie, un intérêt important pour la technologie est noté à travers l’augmentation du nombre de publications sur le sujet. L’ICG-FA est un outil fréquemment utilisé en chirurgie colorectale adulte pour évaluer la vascularisation intestinale. Un essai clinique prospectif de phase II a été mené afin d’établir la faisabilité et l’impact de l’utilisation de l’ICG-FA lors de chirurgies pédiatriques d’urgence et électives nécessitant une résection intestinale. Les résultats de l’étude prouvent que l’introduction de la technologie est faisable, sécuritaire et simple. Par ailleurs, 95% des membres de l’équipe chirurgicale considèrent la technologie sécuritaire. / Indocyanine green fluorescence angiography (ICG-FA) is a validated non-invasive imaging technology used to evaluate tissue perfusion, delineate biliary anatomy, and localize lymph nodes and lymphatic vessels. Since the 2000s, its use has grown in various surgical subspecialties including pediatric surgery. This thesis explores the current ICG-FA indications in pediatric surgical subspecialties and its introduction in pediatric bowel resections by the mean of a prospective feasibility clinical trial. While ICG-FA is well established in adult surgery, the technology remains sparsely used in pediatric surgery. A systematic review with narrative synthesis on the perioperative ICG-FA use in the pediatric population was conducted. Most articles were case reports and case series (n=36; 56%). No adverse event related to ICG occurred. Risk of selection and information biases was high. The results show that pediatric applications of ICG remain currently limited, but significant interest in the technology is seen with the rising number of publications on the subject. ICG-FA is a frequently used tool in adult colorectal surgery to determine intestinal perfusion. A prospective Phase II clinical trial was conducted to establish the feasibility and impact of ICG-FA use during emergency and elective pediatric surgeries requiring bowel resection. The study results indicate that the introduction of the technology is feasible, safe, and simple. They show that 95% of the surgical team agreed that ICG-FA was safe.

L’utilisation des semi-conducteurs à large bande interdite (wide bandgap ou WBG) tels que le carbure de silicium SiC, le nitrure de gallium GaN, le diamant, etc… s’est répandue dans le domaine de l’électronique de puissance ces dernières décennies. Leurs caractéristiques électroniques et mécaniques font des WBGs des solutions alternatives pour remplacer le traditionnel silicium. Cependant, des études supplémentaires sont indispensables pour améliorer la tenue en tension, les pertes statiques et dynamiques et les performances en fonctionnement à haute température des composants WBGs. Dans ce cadre, deux bancs expérimentaux OBIC (Optical Beam Induced Current) spécifiques « en cours de développement » sont mis en place pendant cette thèse. L’OBIC consiste à éclairer avec un faisceau laser de longueur d’onde appropriée une jonction polarisée en inverse, des porteurs de charge sont alors créés par absorption photonique. On peut alors mesurer un courant induit par faisceau optique (OBIC) lorsque les porteurs sont générés dans la zone de charge d’espace. Après une première phase de préparation et d’adaptation de l’environnement expérimental, des essais ont mené à la démonstration du principe de génération multi-photonique en éclairant une jonction SiC avec un faisceau vert (532 nm). L’analyse des différentes mesures OBIC nous a permis de construire une image du champ électrique à la surface de la diode : une analyse non destructive pour étudier l’efficacité des protections périphériques des jonctions et pour détecter les défauts dans la structure cristalline. Egalement, la durée de vie des porteurs minoritaires a été déduite par l’analyse de la décroissance du courant OBIC au bord de la jonction. Les coefficients d’ionisation sont également déterminés par la méthode OBIC, ces coefficients sont des paramètres clés pour la prévision de la tension de claquage des composants. Nous avons réalisé des mesures OBIC dans le GaN, et nous avons observé un effet d’absorption bi-photonique dans le diamant avec un faisceau UV (349 nm). / In the last few decades, the use of wide bandgap (WBG) semiconductors (silicon carbide SiC, gallium nitride GaN, diamond, etc…) has become popular in the domain of power electronics. Their electronic and mechanical characteristics made of the WBGs a good alternative to the traditional silicon. However, additional studies are mandatory to improve the breakdown voltage, static and dynamic losses, and the performance at high temperature of the WBG devices. In this context, two specific experimental benches OBIC (Optical Beam Induced Current) -under development- are set up during this thesis. OBIC method consists to generate free charge carriers in a reverse biased junction by illuminating the device with an appropriate wavelength. An OBIC signal is measured if the charge carriers are generated in the space charge region. After a first phase of preparation and adaptation of the experimental environment, OBIC measurements led to demonstrate the multi-photonic generation by illuminating a SiC junction with a green laser (532 nm). OBIC measurements allowed giving an image of the electric field at the surface of the diode: OBIC presents a non-destructive analysis to study the efficiency of the peripheral protection and to detect the defects in the semi-conductor. Minority carrier lifetime was also deduced by studying the OBIC decrease at the edge of the space charge region. Ionization rates were extracted using OBIC method; these coefficients are key parameters to predict the breakdown voltage of the devices. OBIC measurements were also realized on the GaN, and two-photon generation was highlighted by measuring an OBIC current in the diamond when illuminating it with a UV laser beam (349 nm).