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1	B-NMR-Untersuchungen und Modell zur umladungsinduzierten Dynamik von interstitiellem Bor in Silizium Peters, Dirk. Unknown Date (has links) (PDF) Universiẗat, Diss., 2002--Marburg.
2	Ab initio molecular dynamics simulation of diffusion in silicon / Sahli, Beat. January 2007 (has links) Eidgenöss. Techn. Hochsch., Diss.--Zürich, 2007.
3	Intrinsic point defects in zinc oxide: modeling of structural, electronic, thermodynamic and kinetic properties Erhart, Paul. Unknown Date (has links) Techn. University, Diss., 2006--Darmstadt.
4	Wechselwirkungen von interstitiellem Eisen mit Defekten im multikristallinen Silizium Zierer, Robert 12 December 2014 (has links) (PDF) Innerhalb dieser Arbeit werden die Wechselwirkungen von interstitiellem Eisen mit Defekten, wie Versetzungen und Ausscheidungen, untersucht. Dazu wurde zunächst das Löslichkeitsverhalten von Eisen im p-dotierten mc-Silizium im Temperaturbereich von 550°C bis 800°C gemessen. An Versetzungsstrukturen konnte in einigen Bereichen eine deutlich erhöhte Konzentration an gelöstem Eisen im as cut Zustand und nach dem Tempern der Probe festgestellt werden. Diese wurde mit der Struktur der Versetzungsanordnung erklärt. An vorhandenen Ausscheidungen im Silizium konnte eine Abnahme der gelösten Eisenkonzentration beobachtet werden. Die Dichte und Morphologie der Ausscheidungen haben dabei einen großen Einfluss. Der Eintrag des Eisens in das Silizium aus Tiegeln mit unterschiedlicher Reinheit während der Kristallisation wurde untersucht. Dabei zeigte sich ein deutlicher Einfluss der Tiegelreinheit auf die Konzentration am Rand des Blockes, jedoch nur einen geringen Einfluss auf die Eisenkonzentration im Blockinneren. multikristallines Silizium interstitielles Eisen Versetzungen multicrystalline silicon interstitial iron dislocation ddc:530 Silicium Multikristalliner Werkstoff Gitterbaufehler Eisen Zwischengitteratom
5	Wechselwirkungen von interstitiellem Eisen mit Defekten im multikristallinen Silizium Zierer, Robert 01 October 2014 (has links) Innerhalb dieser Arbeit werden die Wechselwirkungen von interstitiellem Eisen mit Defekten, wie Versetzungen und Ausscheidungen, untersucht. Dazu wurde zunächst das Löslichkeitsverhalten von Eisen im p-dotierten mc-Silizium im Temperaturbereich von 550°C bis 800°C gemessen. An Versetzungsstrukturen konnte in einigen Bereichen eine deutlich erhöhte Konzentration an gelöstem Eisen im as cut Zustand und nach dem Tempern der Probe festgestellt werden. Diese wurde mit der Struktur der Versetzungsanordnung erklärt. An vorhandenen Ausscheidungen im Silizium konnte eine Abnahme der gelösten Eisenkonzentration beobachtet werden. Die Dichte und Morphologie der Ausscheidungen haben dabei einen großen Einfluss. Der Eintrag des Eisens in das Silizium aus Tiegeln mit unterschiedlicher Reinheit während der Kristallisation wurde untersucht. Dabei zeigte sich ein deutlicher Einfluss der Tiegelreinheit auf die Konzentration am Rand des Blockes, jedoch nur einen geringen Einfluss auf die Eisenkonzentration im Blockinneren. info:eu-repo/classification/ddc/530 ddc:530

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