CoordenaÃÃo de AperfeiÃoamento de NÃvel Superior / O SrAlF5 foi considerado por muito tempo um dos raros fluoretos cristalinos ferroelÃtricos, pertencendo ao grupo espacial polar I4. Entretanto, recentes resultados de difraÃÃo de raios-X sugerem que a estrutura correta seria centrossimÃtrica (I41/a). Medidas da constante dielÃtrica e condutividade iÃnica foram realizadas em monocristais de SrAlF5, ao longo das direÃÃes [100] e [001], como funÃÃo da freqÃÃncia (10 Hz a 10 MHz) e temperatura (300 a 800 K). A condutividade ac mostrou uma dependÃncia de lei de potÃncia da forma ?n, com 0.6 < n[100] < 0.9 e 0.8 < n[001] < 1 na parte real da condutividade em altas freqÃÃncias. Uma transiÃÃo de fase foi observada em torno de 700 K com considerÃvel histerese tÃrmica nas medidas da parte real da constante dielÃtrica e da condutividade. A condutividade iÃnica varia em torno de quatro ordens de magnitude na faixa de temperatura investigada e mostra vÃrias regiÃes com uma dependÃncia do tipo Arrhenius com energias de ativaÃÃo entre 0.2 e 1.32 eV. Como a ferroeletricidade à ausente na estrutura I41/a, a existÃncia de um centro de inversÃo foi investigada atravÃs de espectroscopia vibracional. Assim, os monocristais de SrAlF5 foram medidos pelas espectroscopias de espalhamento Raman polarizado e refletÃncia no infravermelho. Os resultados, discutidos com base na anÃlise de grupo fator das estruturas propostas e de outros membros da famÃlia ABF5, favorecem uma estrutura centrossimÃtrica. / O SrAlF5 foi considerado por muito tempo um dos raros fluoretos cristalinos ferroelÃtricos, pertencendo ao grupo espacial polar I4. Entretanto, recentes resultados de difraÃÃo de raios-X sugerem que a estrutura correta seria centrossimÃtrica (I41/a). Medidas da constante dielÃtrica e condutividade iÃnica foram realizadas em monocristais de SrAlF5, ao longo das direÃÃes [100] e [001], como funÃÃo da freqÃÃncia (10 Hz a 10 MHz) e temperatura (300 a 800 K). A condutividade ac mostrou uma dependÃncia de lei de potÃncia da forma ?n, com 0.6 < n[100] < 0.9 e 0.8 < n[001] < 1 na parte real da condutividade em altas freqÃÃncias. Uma transiÃÃo de fase foi observada em torno de 700 K com considerÃvel histerese tÃrmica nas medidas da parte real da constante dielÃtrica e da condutividade. A condutividade iÃnica varia em torno de quatro ordens de magnitude na faixa de temperatura investigada e mostra vÃrias regiÃes com uma dependÃncia do tipo Arrhenius com energias de ativaÃÃo entre 0.2 e 1.32 eV. Como a ferroeletricidade à ausente na estrutura I41/a, a existÃncia de um centro de inversÃo foi investigada atravÃs de espectroscopia vibracional. Assim, os monocristais de SrAlF5 foram medidos pelas espectroscopias de espalhamento Raman polarizado e refletÃncia no infravermelho. Os resultados, discutidos com base na anÃlise de grupo fator das estruturas propostas e de outros membros da famÃlia ABF5, favorecem uma estrutura centrossimÃtrica.

Conselho Nacional de Desenvolvimento CientÃfico e TecnolÃgico / Este trabalho apresenta os resultados obtidos dos estudos nos cristais da famÃlia dos comÂpostos Pb805(XO4)2 com X = V e As. VÃrias tÃcnicas experimentais foram utilizadas para investigar sua seqÃÃncia de transiÃÃes de fase. à temperatura ambiente, o sistema cristalino do Pb805(AsO4)2 à monoclÃnico de faces centradas pertencente ao grupo espacial C2/m (C32h), com quatro molÃculas por cela unitÃria (Z=4). Medidas de espalhamento Raman foram reaÂlizadas neste composto para obter uma descriÃÃo dos fÃnons à temperatura ambiente e sua variaÃÃo com a temperatura no intervalo de 300 K a 773 K. Observamos que o Pb805(AsO4)2 aÂpresenta uma transiÃÃo estrutural à aproximadamente 500 K, a qual nÃo foi reportada anteriorÂmente na literatura. A espectroscopia Raman, microscopia de polarizaÃÃo e calorimetria difeÂrencial por varredura (DSC) foram utilizadas para estudar a evoluÃÃo tÃrmica e estrutural dos fÃnons do Pb805(VO4)2. Este composto apresenta uma transiÃÃo de fase de segunda ordem a 426 K e uma de primeira ordem em tomo de 523 K. Medidas de microscopia de polarizaÃÃo de domÃnios mostram a presenÃa de dois tipos de domÃnios: um em forma de cunha ou V e outro em forma de linhas. Uma nova transiÃÃo de fase foi identificada a baixas temperaturas (231 K), sendo o primeiro deste tipo de transformaÃÃes num composto desta famÃlia.

FundaÃÃo de Amparo à Pesquisa do Estado do Cearà / CoordenaÃÃo de AperfeiÃoamento de Pessoal de NÃvel Superior / à feita uma anÃlise da teoria de Avdeev-Chizhov para os campos tensoriais anti-simÃtricos de matÃria em um espaÃo-tempo curvo. Mostra-se que em um cenÃrio desse tipo, assim como no espaÃo de Minkowski, a teoria de Avdeev-Chizhov pode ser formulada como uma teoria do tipo ??4 para um campo "auto-dual complexo". Verifica-se que isto simplifica em muito o estudo dos campos de matÃria em um espaÃo-tempo com curvatura. Calculamos o tensor momentum-energia e, no final, resolvemos as equaÃÃes de Einstein para o campo de matÃria em um espaÃo-tempo do tipo Schwarzschild. / à feita uma anÃlise da teoria de Avdeev-Chizhov para os campos tensoriais anti-simÃtricos de matÃria em um espaÃo-tempo curvo. Mostra-se que em um cenÃrio desse tipo, assim como no espaÃo de Minkowski, a teoria de Avdeev-Chizhov pode ser formulada como uma teoria do tipo ??4 para um campo "auto-dual complexo". Verifica-se que isto simplifica em muito o estudo dos campos de matÃria em um espaÃo-tempo com curvatura. Calculamos o tensor momentum-energia e, no final, resolvemos as equaÃÃes de Einstein para o campo de matÃria em um espaÃo-tempo do tipo Schwarzschild.

CoordenaÃÃo de AperfeiÃoamento de NÃvel Superior

Neste trabalho investigamos as propriedades óticas de poços quânticos de GaAs/GaAlAs, crescidos no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da USP com a técnica de MBE (\"Molecular Beam Epitaxy\"), utilizando as técnicas experimentais de foto luminescência (PL) e fotoluminescência-excitação (PLE). Analisamos duas amostras de poços quânticos não dopados crescidas sob diferentes condições experimentais e com diferentes parâmetros estruturais. As amostras têm a mesma largura nominal de poço (Lw ~c I 00 Á) e diferem em outros parâmetros, sendo que os mais importantes destes são a largura nominal da barreira (L,,) e a interrupção do crescimento nas interfaces de GaAs/GaAlAs. A amostra #241 (#419) obtida com interrupção de crescimento (sem interrupção de crescimento) tem largura nominal da barreira L\"= 500 Á(Lh c\" 300 Á) / In this work we investigated the optical properties of GaAs/GaAlAs quantum wells grown by MBE (Molecular Beam Epitaxy) at the Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da USP, using photoluminescence and photoluminescence-excitation techniques. Two non-intentionally doped samples grown under difterent experimental conditions and with dift\'erent structural limit were analysed. The samples had the same nominal quantum well width (Lw = I 00 Â) but different nominal barrier width (Lb) and the growth-intenuption time at the interfaces. The sample #241 (#419) was grown with (without) growth-interruption at both interfaces of the quantum well and has nominal barrier width ~. = 500 Â (Lb = 300 Â)

Submitted by Rosivalda Pereira (mrs.pereira@ufma.br) on 2017-05-05T19:17:11Z No. of bitstreams: 1 Dissertacao-DiogoBrito.pdf: 2405217 bytes, checksum: f5a2b0d8ff78c91dddf3d0be2f3f1d14 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-05-05T19:17:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertacao-DiogoBrito.pdf: 2405217 bytes, checksum: f5a2b0d8ff78c91dddf3d0be2f3f1d14 (MD5) Previous issue date: 2016-12-12 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPQ) / Fundação de Amparo à Pesquisa e ao Desenvolvimento Científico e Tecnológico do Maranhão (FAPEMA) / The calcium boroaluminate (CaBAl) glass is an important class of optical materials for diverse applications, among them the use as active media for solid state lasers. CaBAl glasses are chemically stable, present easy glass formation, show excellent mechanical and thermal properties, have a good transparency and wide range of transparency at wavelengths from visible to near infrared. Among the trivalent RE ions, Sm3+ ion is one of the widely used ions with applications in high-density optical storage, under sea communication and color display. Its emitting level 4G5/2 exhibits relatively high quantum efficiency and also shows different quenching emission channels, that can be used in new light sources, fluorescent displays devices, UV-sensor and visible lasers. Samples of CaBAl glass with composition of (25-x)CaO-50B2O3-15Al2O3-10CaF2- xSm2O3, with Samarium concentration varying from 0.5 to 7 wt%, were prepared by using melt-quenching method in air atmosphere. The samples were prepared with different concentrations of Sm2O3, aiming understanding how the dopant changes the structural, thermal, optical and spectroscopic properties. X-ray diffraction results confirm the amorphous nature of these samples. The measured volumetric density showed an increase with Sm2O3 doping. The Raman and FTIR results confirm the structural change of the samples showing the presence of BO3, BO4 and non-bridging oxygens structural unity. The hardness increases with the dopant increasing. From DTA analysis was observed an increase of Tg, Tx values for all samples with the increase of Sm2O3. The refractive index do not vary within the error bar with the increase of Sm2O3. The absorption bands were attributed to Sm3+ transitions from the ground state 6H5/2 to the various excited states. The luminescence spectra present emission bands assigned to the appropriate electronic f-transitions of Sm3+ ions, there are four emission bands at 565, 602, 649 and 710 nm. The maximum intensity of luminescence at room temperature was obtained with 2wt% sample of Sm2O3 and decreasing up this concentration. The luminescence intensity presented a decrease with the increase of the temperature for all studied samples. The experimental lifetime decrease with the increase of Sm2O3. The results point out this glass system as a good candidate to be used in the development of photonics devices. / Os vidros cálcio-boroaluminato (CaBAl) são uma importante classe de materiais ópticos devido às suas diversas aplicações, entre elas, como meio ativo para lasers de estado sólido. Vidros CaBAl são quimicamente estáveis, apresentam uma facilidade de formar vidro, além disso, possuem excelentes propriedades mecânicas e térmicas e uma ampla janela de transparência, do visível ao infravermelho próximo, o que o torna interessante para diversas aplicações. Dentre todos os íons terras-raras, o íon Sm3+ é um dos mais atraentes quando se diz respeito a propriedades fotoluminescentes. Vidros contendo íons de Sm3+ têm despertado grande interesse devido principalmente às suas aplicações em armazenamentos ópticos de alta densidade, LED’s, lasers sintonizáveis, sensores de temperatura e displays coloridos. Nesta pesquisa, amostras do vidro CaBAl com composição (25-x)CaO-50B2O3-15Al2O3-10CaF2-xSm2O3, e concentração de Samário variando de 0,5 a 7 % em massa, foram preparadas usando o método convencional meltquenching em atmosfera a ar. A dopagem com Samário visa entender como o dopante altera as propriedades estruturais e térmicas do vidro base, assim como estudar as propriedades ópticas e espectroscópicas do vidro dopado. Os resultados de difração de raios X confirmaram a natureza amorfa das amostras. Os resultados das medidas de densidade mostraram um aumento nos valores com o aumento da concentração de Sm2O3. Os resultados de Raman e FTIR confirmaram a mudança estrutural das amostras mostrando a presença de unidades estruturais BO3, BO4 e oxigênios não ligados. A dureza do material aumentou com o acréscimo de dopante. Por meio da análise de DTA observou-se um aumento da Tg e Tx com o aumento da concentração de samário para todas as amostras. O calor específico do material não apresentou diferenças significativas, dentro do erro experimental, para as amostras dopadas até 7% em massa. O índice de refração não variou, dentro da margem de erro, com o aumento da concentração do dopante. As bandas de absorção óptica observadas foram atribuídas às transições do íon Sm3+, do seu estado fundamental 6H5/2 para vários estados excitados. Os espectros de luminescência indicaram as bandas de emissão características do íon Sm3+ em 565, 602, 649 e 710 nm. A intensidade máxima da luminescência em temperatura ambiente foi obtida com a amostra com 2%, em massa, de Sm2O3, diminuindo à medida que a concentração de Sm2O3 aumenta. A intensidade da luminescência diminuiu com o aumento da temperatura para todas as amostras avaliadas. O tempo de vida experimental diminui com o aumento da concentração de Sm2O3. Os resultados indicam que este sistema vítreo é um bom candidato para ser utilizado no desenvolvimento de dispositivos fotônicos.

Desenvolvemos nesse trabalho investigações teóricas relativas ao comportamento de defeitos nativos e da impureza de berílio na rede do nitreto de boro cúbico (c-BN). Entre os defeitos nativos estudamos as vacâncias de nitrogênio e de boro, bem como o anti-sítio de nitrogênio. Concernente ao berílio, analisamos esse átomo nas posições substitucionais e intersticiais (tetraédricas) do cristal. Os resultados obtidos foram utilizados na interpretação de dados experimentais sobre esses centros disponíveis na literatura. Estudamos para cada um desses sistemas e, complementarmente, para o cristal perfeito, propriedades eletrônicas e estruturais. Do ponto de vista de estados eletrônicos, analisamos o comportamento dos níveis de defeito (ou impureza), enquanto que referente aos aspectos estruturais, encontramos a configuração atômica dos respectivos centros, com as correspondentes energias de formação. Através dos resultados encontrados, ratificamos o berílio como candidato natural a dopagem tipo p do c-BN e formulamos um modelo para a descrição da transição em torno de 1 eV encontrada experimentalmente nesse composto. Mostramos ainda a possibilidade do surgimento da cor azul que o berílio provoca no nitreto de boro estar associada a essa impureza substituindo o nitrogênio na rede cristalina. No que se refere ao anti-sítio de nitrogênio, verificamos que este centro não segue o comportamento metaestável apresentado pelo anti-sítio de arsênio em GaAs, comportamento este sugerido como sendo universal nos compostos semicondutores do grupo III-V. Concomitante a esses resultados obtidos, resulta de nosso projeto a demonstração da viabilidade do emprego do método Full-Potential Linear Augmented Plane Waves - FLAPW - para o estudo de defeitos e impurezas em semicondutores. Mostramos, pela primeira vez, que o método FLAPW é eficiente e rigoroso na investigação desses sistemas. Utilizando supercomputadores de última geração, definimos as condições essenciais para que o método se aplique de forma confiável para estes estudos. / We have developed in this work theoretical investigations related to the behavior of native defects and beryllium as an impurity in the lattice of cubic boron nitride (c-BN). Among the native defects, we have studied the vacancies of nitrogen and boron, as well as the antisite of nitrogen. As far as the beryllium impurity is concerned we analysed this atom in the substitutional and interstitial (tetrahedral) lattice positions and we compared these results with the reported experimental data. For each of these systems and for the perfect BN crystal we calculated electronic and structural properties. Related to the electronic properties, we investigated the behavior of the defect (or impurity) states as well as the structural aspects. We found the atomic configuration of each center and its corresponding formation energy. Our results confirm that beryllium is a p-type dopant in c-BN, as previously suggested and a model is proposed which describes the electronic transition at about 1 eV measured in the compound. We also show that the blue calor exibited by beryllium doped c-BN can be associated with this impurity in the nitrogen site of the cristaline lattice. Finally we verified that the nitrogen antisite does not show the metaestability in this semiconductor thus contradicting the predicted universal behavior of this center in III-V compound semiconductors. Simultaneously emerges from our work the demonstration that the Full-Potential Linear Augmented Plane Waves FLAPW is a powerful tool to study defects and impurities in semiconductors. We have shown for the first time that the FLAPW method is efficient and accurate to be applied in such systems. Using new generation supercomputers, we have investigated the conditions required for the method to give reliable results.

O abafamento da luminescência em materiais contendo impureza de ferro é um fenômeno que ainda merece ser cuidadosamente investigado para que se possa chegar a uma descrição detalhada dos processos envolvidos. A matriz hospedeira escolhida para a realização deste trabalho foi o vidro 20 Al IND 2 o IND 3 ; 50 B IND 2 o IND 3 ; 30 BaO (mol%), do qual foram preparadas amostras às quais foram adicionadas quantidades variando de 10 POT -3 a 0,8 at% de Fe. A razão desta escolha prende-se ao fato de que a cinética de recombinação entre o centro de elétron do boro (BEC) e o centro de lacuna do boro e oxigênio (BOHC) em vidros boratos irradiados com raio-X a 77 K, responsável por uma intensa luminescência azul, já se conhece em detalhe através de resultados recentes de ressonância paramagnética eletrônica (RPE). A partir destes dados foi identificado cada um dos centros envolvidos na reação e foi possível acompanhar detalhadamente a cinética dos respectivos decaimentos térmicos. Com o apoio destas informações, os dados de termoluminescência (TL) deste trabalho puderam ser interpretados com maior segurança. Um arranjo experimental foi especialmente construído para a realização de medidas de TL na faixa de temperaturas entre 77 e 300 K. As medidas mostraram uma queda exponencial da TL em função da concentração de Fe. A supressão total da luminescência foi obtida para amostras contendo -0,1 at% de Fe. A energia de ativação média para a despopulação térmica do BEC foi obtida pelo método da rampa inicial da TL, resultando Ea = (0,22 ± 0,05) eV. Com base nos resultados de TL e RPE, apoiados pela teoria recente sobre o mecanismo de transições não radiativas, um modelo foi proposto para explicar o processo segundo o qual um íon Fe POT 3+ impede a ocorrência de processos radiativos de recombinação elétron-lacuna em um raio de ação que chega a 25 Å. Um elétron termicamente liberado do BEC, quando se aproxima do íon Fe3+ dentro do referido raio de ação, é capturado por um nível antiligante, fortemente deslocalizado, do orbital molecular de Fe3+ e oxigênio, sendo que o íon metálico ocupa a posição substitucional de um boro tetracoordenado. Imediatamente após a captura, ocorre um violento processo local de emissão de múltiplos fônons provocando o fenômeno da captura coerente de lacuna formando um éxciton, que rapidamente entra em colapso com nova emissão de fônons, provocando, assim, a recombinação elétron-lacuna sem irradiação luminescente. / The quenching of luminescence which occurs in materials containing iron impurity is yet a phenomenon worthy to be investigated towards a detailed description of the involved processes. The host matrix chosen was the 20 Al2 O3; 50 B2 O3; 30 Ba0 (mole%) glass, being the samples prepared containing varying amounts of Fe ranging from 10-3 to 0.8 at%. The reason of this particular choice is justified on the basis of detailed knowledge acquired from recent results of electron paramagnetic resonance (EPR), about the recombination kinetics of the boron electron center (BEC) and the boron-oxygen hole center (BOHC) in borate glasses X-irradiated at 77 K, responsible for an intense blue luminescence. From these data was identified each one of the centers involved in the reaction and it was possible to follow in detail the respective decay kinetics. With the support of these informations, the thermoluminescence (TL) data of this work could be better explained. An experimental array was specially built in order to carry out the TL measurements in the range of temperatures between 77 and 300 K. The measurements exhibited an exponencial decrease of the TL intensity in function of the Fe concentration. The total killing effect of the luminescence was obtained for samples containing -0.1 at% of Fe. The mean activation energy of the electron untrapping from the BEC was obtained with the TL initial-slope method, giving Ea = (0.22 ± 0.05) eV. On the basis on TL and EPR results and the support of recent theories about non-radiative transition mechanism, a model was proposed in order to explain the process involved when a Fe3+ ion prevents the occurrence of radiative electron-hole recombinations inside a volume of radius less than 25 K. A thermally released electron of BEC, when reaches the neighborhood of a Fe3+ ion inisde its radius of action, is trapped by an antibonding energy level, strongly delocalized, of the molecular orbital of Fe3+ and oxygen, where the metallic ion occupies the substitutional position of a tetra-coordinated boron. Immediately after the trapping, there occurs a violent local process of multiphonon emission giving rise to the phenomenon of the coherent hole capture creating an exciton, which collapses rapidly with a new emission of phonos, resulting therefore, in the electron-hole recombination without luminescent irradiation.

Neste trabalho desenvolvemos um estudo detalhado do processo de síntese e preparação de cristais de Bi IND 2 Te IND 3 e (Bi IND (l-x)Sb IND x) Te IND 3, bem como uma abordagem qualitativa sobre a variação do coeficiente Seebeck em função do comprimento destes cristais. Preparamos cristais com condutividade tipo-p e tipo-n pela técnica de Bridgman em um sistema com gradiente de temperatura axial fixo (29 °C/cm), e em outro em que este parâmetro poderia ser alterado facilmente. Os cristais de telureto de bismuto tipo-p preparados no primeiro equipamento foram axialmente homogêneos em composição e coeficiente Seebeck, cuja intensidade média medida foi de 220 V/K. Os tipo-n apresentaram uma fase rica em telúrio em todo o seu comprimento e uma diminuição gradativa do coeficiente Seebeck. O aparecimento desta fase pode ser associado à instabilidade da interface sólido-líquido ou a um processo de superresfriamento constitucional localizado. Por outro lado, em nenhum dos cristais de Bi IND 2 Te IND 3 e (Bi IND (l-x)Sb IND x) Te IND 3, com condutividade tipo-p e n preparados no segundo sistema, houve presença da fase rica em telúrio e o máximo valor do coeficiente Seebeck foi superior ao relatado na literatura. / ln this work, a detailed study on the synthesis and crystal growth process of Bi2Te3 e (Bi(l-x)Sbx)2 Te3 was carried out. The dependence of the Seebeck coefficient variation on the length crystal has been discussed in a qualitative way. P-type and n-type crystals were grown by the Bridgman technique using two different systems. In one system the axial temperature gradient was fixed, while in the other it could be adequately changed. The p-type bismuth tellurides grown in the first equipment were axially homogeneous in composition and Seebeck coefficient. Its average measured value was about 220 V/K. The n-type bismuth telluride presented a tellurium-rich phase in all of its extension and a decreasing Seebeck coefficient. The tellurium-rich phase can be related to solid-liquid interface instability or a constitucional supercooling. On the other hand, no Te-rich phase was detected in Bi2Te3 e (Bi(l-x)Sbx)2Te3 crystals grown in the second equipment. The maximum measured Seebeck coefficient of these materials was higher than the literature reported ones.

Aquesta tesi consisteix en l’estudi de les possibilitats del RbTiOPO4 (RTP) dopat amb Yb i Nb, principalment, per a fotònica integrada. La raó per la qual es presenta l’RTP per a fotònica integrada és que aquest és un material multi funcional. Aquest estudi ha sigut desenvolupat principalment seguint els següents ítems: fabricació i caracterització d’epitaxies de (Yb,Nb):RTP i (Ba,Yb,Nb) sobre substrats de RTP(001). Una cop trobada la millor composició d’òxids, és van fabricar i caracteritzar guies d’ona planes a partir de les epitaxies. Les guies d’ona són al voltant de 10 6m de gruix. Aquestes guies planes, van servir com a plataforma per fabricar guies d’ona acanalades (tipus rib) al voltant de 10 6m d’ample. Es van usar diferents tècniques: fs-laser ablation, Ar ion milling, Reactive Ion Etching. També és van fabricar i caracteritzar guies d’ona de canal per difusió de Cs+ en substrats de RTP (001). / The RbTiOPO4 is a bifunctional nonlinear crystal. It can be doped with Yb3+ up to concentrations able to get emission laser around 1 'm, as well as to obtain Second Harmonic Generation. These characteristics make it interesting for photonic applications. In fact, this field of research is looking for a multifunctional material able to be the base for optical chips. In summary: the aim of this doctoral thesis is to investigate the possibilities of (Yb,Nb):RTP/RTP (001) epitaxial layers as a substrate for photonic applications. The thesis focuses on the fabrication of epitaxies, planar and channel waveguides, as well as the consequent characterization. Have been used different methods for the channel waveguides fabrication, in order to investigate the versatility of (Yb,Nb):RTP/RTP (001) in front of the common used techniques in this field.