Les nanostructures de semiconducteurs sont des objets très intéressants pour de nombreuses applications en microélectronique ou en optoélectronique. Néanmoins, pour pouvoir les utili-ser, il est nécessaire de contrôler leur taille, leur densité et leur répartition spatiale. C'est pour-quoi de nombreux travaux de recherche ont été consacrés ces dernières années à la maîtrise de ces paramètres. La majorité des études porte sur la mise au point d'une méthode de croissance collective auto-organisée des nanostructures. Dans notre travail, nous avons choisi d'élaborer un substrat fonctionnel apte à provoquer l'auto-organisation latérale des nanostructures. Le moteur de l'organisation est le champ de contraintes induit en surface par un réseau de dislo-cations enterrées, obtenues par le collage et le transfert d'un film ultra-mince de silicium sur une plaque de silicium. Pour ce faire, nous avons mis au point des méthodes originales de contrôle des angles de collage. En menant de front procédé de réalisation et études structura-les, nous avons démontré que ces substrats organisent latéralement le dépôt de boîtes quanti-ques de silicium. Ces substrats pourraient donc être utilisés pour fabriquer de nouveaux com-posants pour la microélectronique ou l'optoélectronique tels que par exemple des nouveaux types de mémoires non volatiles.