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Search results
Showing 1 to 5 of 5 (0.038 seconds)| 1 |
Positron beam study of technological filmsSaleh, Abdelnaser January 1996 (has links)
No description available.
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Photoluminescence of point defects in siliconGower, Joanne Elizabeth January 1998 (has links)
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A first principles study of light impurities in semiconductorsLeary, Paul William January 1997 (has links)
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Strahlende Defekte in multikristallinem SiliciumDreckschmidt, Felix 27 January 2012 (has links)
In dieser Arbeit wurde das moderne Spektroskopieverfahren „push-broom hyperspectral imaging“ für die Analyse von multikristallinem Silicium eingesetzt. Diese Methode ermöglicht das gleichzeitige Aufzeichnen mehrerer Spektren. Daraus ergeben sich kürzere Messzeiten im Vergleich zu anderen spektroskopischen Aufbauten. So konnten strahlende Defektübergänge in multikristallinem Silicium umfassend charakterisiert werden.
Die strahlenden Defekte sind an Korngrenzen („grain boundaries“) lokalisiert, weshalb die Bezeichnungen GB1-4 vergeben wurden. Die elektrische Aktivität dieser strahlenden Defekte ist vernachlässigbar. Sie beeinflussen nicht den Wirkungsgrad von multikristallinen Siliciumsolarzellen. Verschiedene experimentelle Ergebnisse weisen darauf hin, dass es sich um ausgeschiedene Verunreinigungen an Korngrenzen handelt.
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A first principles study of hydrogen related defects in siliconHourahine, Benjamin January 2000 (has links)
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