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1	Effet photoréfractif dans l'oxyde de bismuth germanium (bi12Ge020) : détermination des paramètres du matériau, intensification de l'effet photoréfractif par un champ alternatif et amplification d'ondes optiques. Besson, Claudine 11 May 1989 (has links) (PDF) Etude des paramètres caractéristiques de l'effet photorefractif dans l'oxyde de bismuth germanium (bi12Ge020) par des expériences de diffraction d'ondes optiques. Ces résultats sont mis a profit pour la réalisation d'un amplificateur d'ondes optiques base sur le couplage dans le matériau. Les principaux paramètres photorefractifs mesures sont: la longueur de diffusion des porteurs de charge; la densité de centres ionises dans le noir; la photoconductivité. L'influence du dopage sur ces paramètres est discutées. Des améliorations des performances du bi12Geo20 sont obtenues en appliquant un champ alternatif créneau au cristal. Nous avons réalise des expériences de couplage d'onde sous champ créneau et en avons développé une description analytique. Cette technique intensifie le transfert d'énergie entre deux ondes optique non lineaire bismuth germanium oxyde mixte diffraction optique amplificateur optique couplage optique longueur diffusion diffusion porteur charge photoconductivite dopage champ electrique champ alternatif holographie temps reel melange 2 ondes sillenites sillenites
2	Structure, propriétés électriques et travail de sortie de couches doubles indium / or . Marliere, Christian 05 March 1985 (has links) (PDF) Propriétés des électrons de conduction a l'interface de bicouches métalliques. La variation du travail de sortie lors du dépôt de in a 77k sur une couche mince d'or est modulée par des oscillations attribuées a un effet dimensionnel quantique. Mesure de la résistance électrique des bicouches in/au pendant les dépôts d'in et les traitements thermiques. On observe des augmentations irréversibles de la résistance électrique pendant les recuits, que l'on associe a des changements de structure localises a l'interface in/au. Ces changements de structure provoquent un accroissement de la diffusion des électrons de conduction a l'interface, et par conséquent une disparition des oscillations d'effet dimensionnel quantique observées pendant la croissance d'in. Sciences appliquées physique : métaux métallurgie magnétiques optiques couche mince couche multiple interface solide solide conductivité électrique travail sortie métal transition diffusion porteur charge électron conduction étude expérimentale basse température depot sous vide dépôt phase vapeur recuit effet dimensionnel quantique métal pur in\|sub\|sec métal pur au.sub\|sec

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Effet photoréfractif dans l'oxyde de bismuth germanium (bi12Ge020) : détermination des paramètres du matériau, intensification de l'effet photoréfractif par un champ alternatif et amplification d'ondes optiques.

Structure, propriétés électriques et travail de sortie de couches doubles indium / or .