Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2009. / Submitted by Allan Wanick Motta (allan_wanick@hotmail.com) on 2010-04-08T11:55:15Z No. of bitstreams: 1 2009_RafaelRabeloNunes.pdf: 1116795 bytes, checksum: 28b4e3511731ef5b0a10c387848ac62d (MD5) / Approved for entry into archive by Lucila Saraiva(lucilasaraiva1@gmail.com) on 2010-04-08T18:44:41Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2009_RafaelRabeloNunes.pdf: 1116795 bytes, checksum: 28b4e3511731ef5b0a10c387848ac62d (MD5) / Made available in DSpace on 2010-04-08T18:44:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2009_RafaelRabeloNunes.pdf: 1116795 bytes, checksum: 28b4e3511731ef5b0a10c387848ac62d (MD5) Previous issue date: 2009 / Com o incremento do número de usuários nos sistemas de comunicações, há uma busca incessante de aproveitar ao máximo o espectro de freqüências. A cada novo padrão que surge, algo é otimizado dentro do sistema. Esse presente trabalho introduz um novo parâmetro na busca de desempenho dos sistemas de comunicações, a Taxa de Rejeição Sistêmica. Por meio da análise da modulação na influência desse parâmetro, mostra-se como a análise da taxa de rejeição pode implicar em melhorias para os sistemas de comunicações atuais. Além disso, esse texto descreve dois softwares que foram traduzidos para a linguagem Java: o PRAC (Parabolic Reflector Analysis Code) e o GRADMAX for Web. Esses softwares poderão ser utilizados no futuro para se projetar novas geometrias de antenas baseando-se nos resultados obtidos da taxa de rejeição sistêmica em conjunto com algoritmos inteligentes. ________________________________________________________________________________________ ABSTRACT / During the last years, the number of users of the communications systems has boomed causing a search for an effective use of the frequency spectrum. In each new standard, something has being optimized. This work introduces a new parameter in the search of improved communication system performances, the System Isolation Rate. By analyzing the modulation influence in this parameter, this work shows how the system isolation can bring improvements to the modern communication systems. In addition, this text describes two computer codes that has been translated to Java Language during the work: PRAC (Parabolic Reflector Analysis Code), and GRADMAX for Web. Those computer codes could be used in the future to design new antennas geometries based on the System Isolation Rate results using intelligent algorithms.

Orientador: Maria Cristina dos Santos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-21T20:02:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Saleh_AbdalaMohamed._M.pdf: 4641222 bytes, checksum: a406e1a6ebc4d53fdbc753d72daab3e4 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Neste trabalho realizamos o estudo teórico de um fio molecular cuja estrutura possui dimensão bem definida e rígida. Em função de substituintes terminais R e R', nas situações: (a) R= R'=CH3 (b) R=NO2 e R'= NH2, realizamos o estudo conformacional desse fio através de cálculos semi-empíricos (Métodos AM1 e PM3), barreira de torção (AM1), cálculos de estrutura eletrônica (Métodos VER e INDO/S-CI) e espectros de UV-visível (INDO/S). Utilizamos técnicas de modelagem molecular para o estudo da adsorsão de um desses sistemas (R¹ R') sobre uma superfície <100> de ouro. Essas técnicas envolvem o método de mecânica clássica (Campo de Força Universal com equilíbrio de cargas) para obtenção de conformação mais estável e o do método Huckel estendido (EHT) para estudo da estrutura eletrônica. A geometria otimizada para a molécula com R¹ R' mostrou uma posição preferencial em que seus átomos de oxigênio se acomodam entre vales formados por átomos de ouro. Foi também observado o fenômeno de transferência de carga do aglomerado de ouro para essa molécula no processo de adsorsão. A otimização de geometria para duas dessas moléculas sobre um aglomerado de ouro mostrou que elas se acomodam paralelamente, indicando assim uma tendência de auto-organização no sistema. Com isto podemos vislumbrar algumas aplicações bastante interessantes em óptica não-linear / Abstract: A theoritical study of a molecular line has been developed in this work. This molecule is characterized by a well-defined and rigid structure. According to the terminal substituents R and R', in the following cases: (a) R= R'=CH3 e (b) R=NO2 e R.¿= NH2, we developed a conformational study of this line through semi-empirical calculations (AM1 and PM3 Methods), torsion barrier (AM1), electronic structure calculations (VEH and INDO/S-CI Methods) and UV-Visible spectrum (INDO/S). We have used molecular modeling techniques to study the adsorption of this molecule on a <100> gold surface. Molecular conformations have been assessed through Molecular Mechanics (MM) calculations on a model cluster including of the order of 1000 gold atoms (Universal Force Field with charge equilibration) and electronic structure has been calculated, at the most stable MM conformation, through Extended Huckel Method (EHT). The optimized geometry for the molecule with R¹ R' has shown a preferential position in which the oxygen atoms accommodate in sites corresponding to valleys between neighboring gold atoms at the surface. The results are consistent with a large charge transfer from gold to the molecular line, the electrons coming essentially from the 6s band. When two molecules are placed on the gold surface, the system adopts a conformation where the molecules align parallel to each other , and at the same geometry relative to the gold surface founded for a single molecule. As the dipole moment align parallel, we concluded that the metal-molecule interaction is strong enough to overcome the coulomb repulsion between the molecules, and seems to be the origin of the self-assembly proccess. Interesting applications of this system in Non-linear Optics are anticipated. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Fernando J. da Paixão / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T08:54:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SilvaJunior_OsmardeSouzae_D.pdf: 4020940 bytes, checksum: b0d599ecf5d11bc96ab15660a7716c2a (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Neste trabalho estudamos o efeito da unitarização sobre teorias de acoplamento fraco na descrição do processo de cólisão, as aproximações de Born e da Teoria de Muitos Corpos em Primeira Ordem. A valiamos três modelos unitarizados, estudando seções de choque diferenciais e parâmetros de orientação e alinhamento para o espalhamento de elétrons pelo átomo de hélio, na região de energias intermediárias. Analisamos os casos de espalhamentos elástico e inelásticos, para excitações a partir do estado fundamental, levando a estados dos níveis 2 e 3. Um dos resultados mais interessantes é a melhor descrição da excitação de estados tripleto, através da aproximação de teoria de muitos corpos unitarizada. Propomos uma explicação física dos efeitos da unitarização sobre a descrição do processo de excitação / Abstract: In this work we use unitarized procedures on weak coupling theories such as First Born and First Order Many Body Theory, to describe the collision processes. We evaluate these models studying differential cross sections and alignment and orientation parameters in the intermediate energy range for electron-helium collision. We study elastic and inelastic processes from the ground state to any level belonging to the n = 2,3 manifold. The unitarization procedure is more effective on the excitation of triplet states. We propose a physical explanation to understand how the unitarization procedure acts on the description of the scattering processes / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: V. Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T09:56:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Kochinda_Yasushi_M.pdf: 4028915 bytes, checksum: 95614f53aded6d12248cbf7001f71586 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Com o invento do microscópio de tunelamento, surgiu a necessidade do afinamento de agulhas a níveis atômicos. Esta preocupação, antiga para alguns cientistas, apareceu na década de 30 quando foi inventado o microscópio de emissão iônica (FIM), que também empregavam agulhas micrométricas (fixas). Neste sentido existem vários trabalhos publicados, relacionados com a fabricação e polimento de pontas. A maioria dos métodos utiliza a corrosão eletrolítica para a usinagem inicial e o posterior polimento com métodos mais sofisticados como usinagem iônica, oxidação a altas temperaturas seguido de remoção de óxido por recozimento no vácuo e controlado com "FIM", deposição de átomos de tungstênio por CVD induzido por feixe de elétrons e outros métodos. Neste trabalho procuramos desenvolver métodos simples para a fabricação e polimentode pontas que pudessem ser realizadas dentro das possibilidades limitadas do nosso laboratório. Escolhemos dois tipos de materiais para as pontas, tungstênio e ouro. Para a fabricação de pontas de tungstênio foi utilizado o método de fabricação por corrosão eletroquímica em solução de KOH dissolvido em água. Para o polimento, foi utilizado um polimento puramente químico, com solução de HF(27%)HNO3(16%)H20. Para a produção de agulhas de ouro foram desenvolvidos vários métodos (i) - Usando um método semelhante àquele utilizado para a fabricação de pontas de tungstênio, mas com a peça de plástico muito menor, aproximadamente3mm de comprimento, e utilizando a ponta que se forma acima da corrosão. O eletrólito utilizado foi HF(28%)HNO3(16%)H2O. (ii) - Este método consiste em fazer a corrosão utilizando a mesmo esquema do método anterior, mas eliminando a peça de plástico e mergulhando aproximadamente 3mm do fio na solução. (iii) - Neste método a ponta é produzida com o mesmo esquema do método (i) acima utilizando como eletrólito HNO3(10%)H2O e depois, quebrada com um aparelho de ultrassom. Este último método utiliza o esquema do método (ii) e o eletrólito utilizado no método anterior. Aqui também são necessárias duas etapas: primeira se aplica uma tensão positiva no fio de ouro para fazer a corrosão e depois a polaridade é invertida para eliminar o óxido que cobre a ponta. Segunda, nosso melhor conhecimento, tanto o polimento químico do W quanto os processos de fabricação das pontas de Au, pelos métodos descritos na presente tese, não foram ainda publicados na literatura / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Marcelo Grafulha Vanti. / Co-orientador: Orlando Jose Tobias. / Dissertação (mestrado) - Universidade Regional de Blumenau, Centro de Ciências Tecnológicas, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.

Este trabalho trata do desenvolvimento de um equipamento de desbastamento iônico aplicado ao afinamento de amostras para análise com a técnica de microscopia eletrônica de transmissão (MET). A técnica de MET é uma das mais importantes para a caracterização da microestrutura de praticamente todas as classes de materiais sólidos. Contudo, esta técnica requer amostras suficientemente finas (espessuras típicas da ordem de 100 nm) para que os elétrons transmitidos proporcionem informação relevante da microestrutura. Com exceção do sistema de vácuo, todos os demais componentes do equipamento (fonte de íons, câmara de vácuo, fonte de alta tensão e suporte mecânico das amostras) foram construídos na UFRGS. O equipamento foi testado através da preparação de amostras de silício. As amostras obtidas apresentam áreas de observação amplas e suficientemente finas permitindo uma caracterização microestrutural detalhada mesmo com feixes de elétrons acelerados com potencial de 120 kV. Além disso, os valores de taxa de desbaste em torno de 1,5 mm/h foram obtidos em amostras bombardeadas com íons de Ar+ acelerados com um potencial de 6 kV. Tais resultados mostram que o equipamento tem uma performance semelhante a um equipamento comercial A segunda contribuição do trabalho foi a de introduzir um estudo sistemático sobre a formação de camadas amorfas e a produção de átomos auto intersticiais dentro da região cristalina das amostras de silício. Trata-se de um assunto atual pois tais efeitos ainda não são bem conhecidos. Apesar do estudo ter sido realizado em um material específico (Si), os resultados obtidos podem ser aproveitados como modelo para outros materiais. A formação de camadas amorfas foi caracterizada em função dos parâmetros: ângulo de incidência e energia do feixe de íons de Ar+ e temperatura da amostra durante a irradiação. A produção e/ou injeção de átomos auto intersticiais na região cristalina foi estudada em função do ângulo de incidência e da energia do feixe de íons. Os resultados mostram que a espessura da camada amorfa cresce com o aumento da energia e do ângulo de incidência do feixe e com a diminuição da temperatura do alvo. A taxa de produção de átomos intersticiais dentro da região cristalina apresenta um máximo para ângulos em torno de 15° independentemente da energia do feixe de íons.

Este trabalho trata do desenvolvimento de um equipamento de desbastamento iônico aplicado ao afinamento de amostras para análise com a técnica de microscopia eletrônica de transmissão (MET). A técnica de MET é uma das mais importantes para a caracterização da microestrutura de praticamente todas as classes de materiais sólidos. Contudo, esta técnica requer amostras suficientemente finas (espessuras típicas da ordem de 100 nm) para que os elétrons transmitidos proporcionem informação relevante da microestrutura. Com exceção do sistema de vácuo, todos os demais componentes do equipamento (fonte de íons, câmara de vácuo, fonte de alta tensão e suporte mecânico das amostras) foram construídos na UFRGS. O equipamento foi testado através da preparação de amostras de silício. As amostras obtidas apresentam áreas de observação amplas e suficientemente finas permitindo uma caracterização microestrutural detalhada mesmo com feixes de elétrons acelerados com potencial de 120 kV. Além disso, os valores de taxa de desbaste em torno de 1,5 mm/h foram obtidos em amostras bombardeadas com íons de Ar+ acelerados com um potencial de 6 kV. Tais resultados mostram que o equipamento tem uma performance semelhante a um equipamento comercial A segunda contribuição do trabalho foi a de introduzir um estudo sistemático sobre a formação de camadas amorfas e a produção de átomos auto intersticiais dentro da região cristalina das amostras de silício. Trata-se de um assunto atual pois tais efeitos ainda não são bem conhecidos. Apesar do estudo ter sido realizado em um material específico (Si), os resultados obtidos podem ser aproveitados como modelo para outros materiais. A formação de camadas amorfas foi caracterizada em função dos parâmetros: ângulo de incidência e energia do feixe de íons de Ar+ e temperatura da amostra durante a irradiação. A produção e/ou injeção de átomos auto intersticiais na região cristalina foi estudada em função do ângulo de incidência e da energia do feixe de íons. Os resultados mostram que a espessura da camada amorfa cresce com o aumento da energia e do ângulo de incidência do feixe e com a diminuição da temperatura do alvo. A taxa de produção de átomos intersticiais dentro da região cristalina apresenta um máximo para ângulos em torno de 15° independentemente da energia do feixe de íons.

Este trabalho trata do desenvolvimento de um equipamento de desbastamento iônico aplicado ao afinamento de amostras para análise com a técnica de microscopia eletrônica de transmissão (MET). A técnica de MET é uma das mais importantes para a caracterização da microestrutura de praticamente todas as classes de materiais sólidos. Contudo, esta técnica requer amostras suficientemente finas (espessuras típicas da ordem de 100 nm) para que os elétrons transmitidos proporcionem informação relevante da microestrutura. Com exceção do sistema de vácuo, todos os demais componentes do equipamento (fonte de íons, câmara de vácuo, fonte de alta tensão e suporte mecânico das amostras) foram construídos na UFRGS. O equipamento foi testado através da preparação de amostras de silício. As amostras obtidas apresentam áreas de observação amplas e suficientemente finas permitindo uma caracterização microestrutural detalhada mesmo com feixes de elétrons acelerados com potencial de 120 kV. Além disso, os valores de taxa de desbaste em torno de 1,5 mm/h foram obtidos em amostras bombardeadas com íons de Ar+ acelerados com um potencial de 6 kV. Tais resultados mostram que o equipamento tem uma performance semelhante a um equipamento comercial A segunda contribuição do trabalho foi a de introduzir um estudo sistemático sobre a formação de camadas amorfas e a produção de átomos auto intersticiais dentro da região cristalina das amostras de silício. Trata-se de um assunto atual pois tais efeitos ainda não são bem conhecidos. Apesar do estudo ter sido realizado em um material específico (Si), os resultados obtidos podem ser aproveitados como modelo para outros materiais. A formação de camadas amorfas foi caracterizada em função dos parâmetros: ângulo de incidência e energia do feixe de íons de Ar+ e temperatura da amostra durante a irradiação. A produção e/ou injeção de átomos auto intersticiais na região cristalina foi estudada em função do ângulo de incidência e da energia do feixe de íons. Os resultados mostram que a espessura da camada amorfa cresce com o aumento da energia e do ângulo de incidência do feixe e com a diminuição da temperatura do alvo. A taxa de produção de átomos intersticiais dentro da região cristalina apresenta um máximo para ângulos em torno de 15° independentemente da energia do feixe de íons.

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, 2013. / Submitted by Alaíde Gonçalves dos Santos (alaide@unb.br) on 2013-09-20T13:57:18Z No. of bitstreams: 1 2013_LeonardoCamargoNeves.pdf: 9734487 bytes, checksum: 0565bc5815da31f0db5543eb3b8991a6 (MD5) / Approved for entry into archive by Guimaraes Jacqueline(jacqueline.guimaraes@bce.unb.br) on 2013-09-20T14:42:18Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2013_LeonardoCamargoNeves.pdf: 9734487 bytes, checksum: 0565bc5815da31f0db5543eb3b8991a6 (MD5) / Made available in DSpace on 2013-09-20T14:42:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2013_LeonardoCamargoNeves.pdf: 9734487 bytes, checksum: 0565bc5815da31f0db5543eb3b8991a6 (MD5) / Este trabalho apresenta o projeto de um gerador de pulsos Prolato Esferoidais para uso em sistemas UWB (Ultra Wideband). Uma banda larga, maior do que 500 MHz, associada ao baixo consumo de potência e a transmissão de dados baseada em pulsos, fazem do UWB um sistema de comunicação atraente par uso em aplicações que necessitem de altas taxas de transferência de dados, baixo consumo e circuitos simples, como Rede de Sensores Sem Fio (RSSF) e aplicações na área biomédica, por exemplo. Dentre os vários tipos de pulsos que podem ser implementados para uso em UWB, este trabalho propõe a utilização do Pulso Prolato Esferoidal, ou da sua sigla em inglês, PSWF (Prolate Spheroidal Wave Funciton). Pulsos PSWF não possuem uma forma fechada, sendo então utilizados a partir de uma aproximação discreta. Partindo dessa aproximação, serão realizadas aproximações numéricas no domínio do tempo e de Laplace para obtenção de uma função de transferência a ser implementada através de uma representação ótima no Espaço de Estados. Esta representação será então implementada em circuito por meio de um filtro Gm-C. Utilizando essa aproximação, realizam-se outras aproximações no domínio do tempo que permite obter uma função no domínio do tempo que representa esse tipo de pulso. Essa função é então manipulada no domínio de Laplace e, aplicandose o método de Padé, usada para se obter uma função de transferência. Representa-se essa função de transferência por meio da representação ortonormal no Espaço de Estados, o qual possui um comportamento próximo do ótimo em termos de faixa dinâmica e esparsidade, além de possuir baixa sensibilidade a variação de valores, em relação às representações convencionais, como as formas canônicas. Utilizando-se células de transcondutância também desenvolvidas nesse trabalho, a representação ortonormal é implementada por meio de um filtro Gm-C. Este filtro é usado em uma proposta de comunicação m-ária, que combina PAM (Pulse Amplitude Modulation) com OPM (Orthogonal Pulse Modulation), para uso em sistemas UWB. Idealmente, deseja-se obter um gerador de pulsos que gere pulsos PSWF de primeira e segunda ordens para aplicações na faixa sub-giga , de 500 MHz a 1 GHz. Os pulsos utilizados terão duração de 10 ns. Porém, devido à limitações da tecnologia, o circuito final do filtro apresentou uma resposta em frquência inferior à especificada inicialmente (com duração de 5 μs e banda de 1 MHz - 2 MHz). No entanto, o filtro obtido foi capaz de gerar pulsos Prolato Esferoidais de primeira e segunda ordens, o que representa uma resposta funcional de todo o sistema,validando assim a metodologia proposta. _______________________________________________________________________________________ ABSTRACT / This paper presents the design of a pulse generator prolate spheroidal systems for use in UWB (Ultra Wideband). A large bandwidth, greater than 500 MHz, combined with low power consumption and pulse based data transmission, make UWB communication system attractive for use on applications requiring high data transfer rates, low power consumption and simple circuits as in Wireless Sensor Network (WSN) and biomedical applications, for example. Among the various types of pulses that can be implemented for use in UWB, this paper proposes the use Prolate Spheroidal Pulse (PSWF). PSWF pulses do not have a closed form, and are then used as a discrete approximation. Based on this approach, numerical approximations are performed in the time domain and Laplace to obtain a transfer function to be implemented through an optimal representation in State Space. This representation will then be implemented on the circuit by means of a Gm-C filter. Using this approximation, other approximations are realized in the time domain which achieves a function in the time domain representing this type of pulse. This function is then manipulated in the Laplace domain, and applying the method of Padé, used to obtain a transfer function. This transfer function is then represented through the orthonormal State Space representation, which has a near optimal behavior in terms of dynamic range and sparsity, besides having low sensitivity to changes in values, compared to conventional representations, as the canonical forms. Using transconductance cells also developed in this work, the orthonormal representation is implemented by means of a Gm-C filter. This filter is used in a proposed m-ary communication, combining PAM (Pulse Amplitude Modulation) with OPM (Orthogonal Pulse Modulation), for use in UWB systems. Ideally, it is desired to obtain a pulse generator that generates pulses PSWF first and second orders to applications in sub-giga, from 500 MHz to 1 GHz with pulses that have duration of 10 ns. However, due to limitations of the technology, the frequency response of the circuit of the filter is less than specified initially (lasting 5 mS and banda 1 MHz - 2 MHz). However, the obtained filter was able to generate PSWF pulses of first and second order, which represents a functional response of the whole system, thus validating the proposed method.

Orientador: Richard Landers / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-08-02T18:06:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Barbieri_PauloFernando_M.pdf: 3423247 bytes, checksum: 55d30fb56df903e485b1524aced9668b (MD5) Previous issue date: 2002 / Resumo: Neste trabalho propomos a estudar a estrutura eletrônica de ligas Ni1-xCux em diversas concentrações (0 £ x £ 1) usando espectroscopia de elétrons de fotoemissão (XPS) e elétrons Auger (XAES). O principal objetivo é verificar a transferência de carga entre Cu e Ni quando estes elementos formam as ligas. O trabalho consistiu em medir e comparar as energias de caroço dos níveis 2p3/2 do Cu e do Ni, em metal puro e nas ligas, e também as energias dos elétrons Auger L3M45M45 do Cu. O estudo foi baseado em um modelo teórico, indicando que os deslocamentos de energia dos picos de caroço e dos picos Auger, são consequência da mudança do números de estados ocupados na banda e da mudança do nível de Fermi. Os resultados foram analisados e discutidos usando um terceiro elemento, o Au, para formar liga em baixa concentração com o Ni e com o Cu. As conclusões encontradas para a estrutura eletrônica do Cu, indicaram que ele não muda para as concentrações maiores ou igual a 35%, dentro do erro experimental, possuindo aproximadamente uma mesma energia de Fermi nas ligas e no metal puro. Para as concentrações de 15 e 10% de Cu nas ligas, os resultados indicam que o Cu tem uma diminuição do nível de Fermi na liga em relação ao metal puro. Para o Ni, as informações de sua estrutura eletrônica necessitaram do auxílio de cálculos atômicos. Os resultados obtidos indicam uma pequena redistribuição interna das cargas de valência do Ni onde frações de elétrons identificados como sp passam a ocupar estados d quando diminuimos a concentração de Ni. Através dos resultados foi estimado que o nível de Fermi do Cu é maior que o do Ni na ordem de 0,3 eV. Por fim, concluiu-se que a transferência de elétron entre o Cu e o Ni deve ser menor que 0,1 elétron / Abstract: In this work we propose to study the electronic structure of Ni1-xC ux alloys with various concentration (0 £ x £ 1) using photoemission (XPS) and Auger electron spectroscopy (XAES).The main objective is to verify the charge transfer between the Cu and Ni atoms, when these elements form alloys. We measured and compared core level energies (2p3/2) of Cu and Ni, in the pure metals and the alloys, and also energies of the Auger electrons L3M45M45 of Cu. The theoretical model used, correlated the energy shifts of core peaks and Augers peaks to Fermi energy and changes in the ocuppation of valence states. "Auxiliary" alloys contaning low concentrations of Au with Ni and Cu were also used in our tests for charge transfer. The results for Cu showed almost no change in its electronic structure, also we observed that within our experimental error the Fermi level was the same for the alloys as for pure Cu up to 35% of Cu in alloys. For smaller concentration, the results show that Fermi level decrease in alloy in relation to pure Cu in order 0.3 eV. For Ni, our results showed that an internal redistribution of electrons in the valence band with transfer from sp states to d states, when we decrease Ni concentration. To quantify this redistribution we used atomic calculations, which indicate that the redistribution was of the order of tenths of an electron / Mestrado / Física / Mestre em Física