Orientador: Eliermes Arraes de Meneses / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:09:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Costa_AntonioCarlosBuritida_M.pdf: 628647 bytes, checksum: 883a0453b7c10b6cb30c3d73b8140d93 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: A fotoluminescência do Seleneto de Zinco dopado com Indium (ZnSe:In) foi estudada usando-se diferentes energias das linhas de um laser de Argônio (Ar) e a única linha de um laser de Nitrogênio (N2), como fontes de excitação. No primeiro caso, com energias de excitação menores do que a zona proibida, duas bandas de emissão foram observadas (1,908 eV e 2,015 eV). No segundo, com excitação maior do que a zona proibida, além daquelas duas bandas já observadas encontrou-se uma terceira (1,908 eV, 2,015 eV e 2,233 eV). Esta última (2,233 eV), em principio, deveria ser observada com excitação das linhas do laser de Argônio. O não aparecimento da banda C é justificado através de uma experiência de fotoexcitação, onde a fotoionização de cada nível de impureza que dá origem as bandas (1,908 eV, 2,015 eV e 2,233 eV) depende da energia de excitação. Um modelo semi-qualitativo dos níveis de impurezas dentro da zona proibida de ZnSe é apresentado para explicar os processos de excitação e emissão / Abstract: The photoluminescence of Zinc Selenide doped with Indium (ZnSe:In) was studied using different lines energies of an Argon laser and the single line of a Nitrogen laser, as an excitation sources. In the first case, with excitation energies less than the gap energy, two emission bands were observed (1.908 eV and 2.015 eV). In the second case, with excitation energy greather than the gap, beyond the two bands observed primarely, we observed a third band (1.908 eV, 2.015 eV and 2.233 eV). In principle the last one should be observed with the excitation line of an Argon laser. The non appearance of this band is justified through an experiment of photoexcitation, where the photoionization of each impurity level that is responsable by the band origin (1.908 eV, 2.015 eV and 2.233 eV) depends on the excitation energy. A semi-qualitative model of impurity level, in the gap of ZnSe is presented to explain the excitation and emission process / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : N. N. Winogradoff / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia / Made available in DSpace on 2018-07-18T02:40:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_JoseCaetanoda_M.pdf: 1807214 bytes, checksum: 41b964c8216d0a6467b133df2b4746d8 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Neste trabalho, apresentamos um conjunto de espectros de fotoluminescência de amostras de GaAs, tipos n, puro e p obtidos na temperatura ambiente, com potências de 1,0 e 2,0 watts. O estudo é feito na região de 8700 Å a 10200 Å. Apresentamos também uma coleção de curvas do "coeficiente de absorção efetivo", para as amostras mencionadas acima, obtidos com potências de 1,0 e 2,0 watts. Sugerimos um novo método, baseado no coeficiente de absorção efetivo, para caracterização ótica de amostras semicondutoras. Tentamos explicar as curvas obtidas, usando para isto, vários efeitos, tais como: efeito térmico, fonons (L.O.), absorção, etc. Por fim fizemos uma comparação entre as curvas do coeficiente de absorção efetivo, obtidas para os três tipos de amostras e analisamos as suas características, as quais podem servir para um estudo de caracterização ótica / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de nitreto de silício não estequiométricos obtidos pela técnica de deposição por pulverização catódica com gases reativos (sputtering reativo) nas propriedades estruturais e luminescentes. Os filmes foram depositados mantendo a pressão na câmara principal em 6,7 ou 10 mTorr com diferentes pressões parciais dos gases Ar, N2 e O2, com a finalidade de controlar a composição. Os tratamentos térmicos foram feitos em atmosferas de argônio e uma mistura gasosa contendo 10% de H2 e 90% N2 em diversas temperaturas (450 até 700 °C) e nos tempos de 5 a 60 min. Após os tratamentos térmicos, foram feitas análises de composição, usando Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e medidas de fotoluminescência das amostras, excitadas com comprimento de onda de 266 nm. As características de emissão variaram de acordo com a composição da amostra medida. Os filmes de nitreto não estequiométrico que não possuem altas concentrações de oxigênio (<20%) apresentaram emissão nas regiões de 380-390 nm, 460-490 nm e 515-525 nm. Com o aumento da concentração de oxigênio, foram obsevadas que as características fotoluminescentes se alteraram, e uma banda de emissão é obtida em 318 nm (3,9 eV). De maneira a investigar a origem da emissão, realizamos medidas de microscopia eletrônica de transmissão e elipsometria espectral. Por microscopia verificamos a existência de estruturas cristalinas de -Si3N4, -Si3N4 e de Si2N2O, enquanto as medidas de elipsometria revelaram que as curvas do índice de refração estão entre as de Si3N4 e de SiO2, confirmando qualitativamente os resultado de RBS. / Silicon nanocrystals embedded in dielectric matrices are promising for applications in optoelectronics devices. In this work, we studied the influence of several deposition parameters of deposited non-stoichiometric silicon nitride films, obtained by reactive sputtering. The films were obtained by keeping the pressure into the main chamber at 6.7 or 10 mTorr and by changing the partial pressures of Ar, N2 and O2 gas with the purpose of controlling the composition. The samples were annealed in Argon or forming gas (10% H2 more 90% N2) ambient at several temperatures (450-700 °C) and times (5-60 min). After the thermal treatments, the composition analysis was made by RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy) and photoluminescence measurements were performed. The excitation wavelength in the photoluminescence measurements was 266 nm. The emission spectra depend on sample composition. The non-stoichiometric silicon nitride samples with low concentration of oxygen (<20%) show emission in the regions of 380-390 nm, 460-490 nm and 515-525 nm, due to radiative recombination. Whereas oxygen concentration increased, the other band emission was observed at 318 nm (3.9 eV). With this result, transmission electronic microscopy (TEM) and ellipsometry measurements were performed to investigate the emission origin. The TEM measurements show the presence of -Si3N4, -Si3N4 and Si2N2O crystalline structures. Spectroscopic ellipsometry revealed that the refractive index curves are located between the theoretical curves of SiO2 and of Si3N4, depending on oxygen content, confirming qualitatively the RBS results.

FEITOSA, J. P. M. Funcionalização covalente e não covalente de nanotubos de carbono. 2009. 72 f. Dissertação (Mestrado em Química) - Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2009. / Submitted by Daniel Eduardo Alencar da Silva (dealencar.silva@gmail.com) on 2014-11-17T18:09:47Z No. of bitstreams: 1 2009_dis_jpmfeitosa.pdf: 4506538 bytes, checksum: 54adaf01307706f95b412482b9da19c9 (MD5) / Approved for entry into archive by José Jairo Viana de Sousa(jairo@ufc.br) on 2014-12-22T16:49:46Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2009_dis_jpmfeitosa.pdf: 4506538 bytes, checksum: 54adaf01307706f95b412482b9da19c9 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-12-22T16:49:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2009_dis_jpmfeitosa.pdf: 4506538 bytes, checksum: 54adaf01307706f95b412482b9da19c9 (MD5) Previous issue date: 2009 / The work developed in this thesis consists in the study of the process of non covalent functionalization of carbon nanotubes with triblock and diblock copolymers and covalent functionalization of carbon nanotubes with stearic acid. The non covalent functionalization of carbon nanotubes were realized using triblock copolymer [triblock E69S15E69, E69S7E69 (E= ethylene oxide, S = styrene oxide), E65G7E65 (E = ethylene oxide, G = phenyl glycidyl ether), the diblock copolymer E20CL10 (E = ethylene oxide, CL = Ɛ-caprolactone)] e SDS (sodium dodecyl sulfate). The individualization of carbon nanotubes with copolymer and SDS, were performed by stirring, sonication and centrifugation. The resulting samples were characterized using the Raman resonant spectroscopy study, exciting in wavelength of 532 nm (2.33 eV). The photoluminescence studies, in the copolymers and SDS solution, were realized using a detector InGaAs for detecting light in the intermission of 800 – 1700 nm, and a lamp of Xe, exciting in spectral intermission of 500 – 850 nm. The characterizations were used to identify the type of semiconductors carbon nanotubes, by photoluminescence, as well as the other identified by resonant Raman spectroscopy and the aspects that showing the individualization of carbon nanotubes using copolymers matrix. The covalent functionalization of carbon nanotubes were realized using stearic acid. The functionalization was performed in three steps, carboxylation of carbon nanotubes, usingfor this the mixture H2SO4:HNO3, functionalization of carbon nanotubes with COCl groups and functionalization of carbon nanotubes with stearic acid. The characterization of the obtained sample was realized using the Raman resonant spectroscopy study, exciting with laser at wavelength of 514,5 nm (2,41 eV), FTIR, DSC, in N2 atmosphere and heating rate of 10ºC/min in the intermission of 25 – 400 ºC, and TGA, in N2 atmosphere and heating rate of 10 ºC/min with intermission 25 – 900 ºC. These characterizations were realized in order to confirm the covalent functionalization of the carbon nanotubes with stearic acid, obtaining shift in the crystalline structure of the carbon nanotubes, showed by the Raman resonant spectroscopy study and corresponding -OOC-O-COO- anhydride bond also showed in the FTIR spectroscopy, as well as change in the thermal behavior of the carbon nanotubes functionalized in comparison with pure carbon nanotubes. / O trabalho desenvolvido nesta dissertação consiste no estudo do processo de funcionalização não covalente de nanotubos de carbono com copolímeros tribloco e dibloco e a funcionalização covalente de nanotubos de carbono com ácido esteárico. A funcionalização não covalente dos nanotubos de carbono foi realizada utilizando copolímeros tribloco e dibloco [tribloco E69S15E69, E69S7E69 (E = óxido de etileno, S = óxido de estireno), E65G7E65(E = óxido de etileno, G = óxido de fenilglicidil), o copolímero dibloco E20CL10 (E = óxido de etileno, CL = Ɛ-caprolactona)]. A individualização dos nanotubos de carbono com os copolímeros (em solução) foi realizada usando a técnica de agitação, sonicação e centrifugação. As amostras obtidas foram caracterizadas por espectroscopia Raman ressonante excitando com laser de comprimento de onda de 532 nm (2,33 eV), e por fotoluminescência no intervalo de 800 – 1700 nm. As caracterizações foram realizadas de forma a identificar os tipos de nanotubos semicondutores, por fotoluminescência, assim como também os demais por espectroscopia Raman. As características espectrais comprovam a individualização dos nanotubos de carbono utilizando os copolímeros como meio dispersivo. A funcionalização covalente dos nanotubos de carbono foi realizada empregando ácido esteárico, e desenvolvida em 3 etapas: i) carboxilação dos nanotubos de carbono utilizando a mistura H2SO4:HNO3; ii) funcionalização dos nanotubos com grupos COCl e iii) funcionalização dos nanotubos de carbono com ácido esteárico. A caracterização da amostra obtida foi realizada usando espectroscopia Raman ressonante, com excitação no comprimento de onda de 514,5 nm (2,41 eV), FTIR, DSC em atmosfera de N2 e taxa de aquecimento de 10 ºC/min no intervalo de 25 a 400 ºC, e TGA em atmosfera de N2 e taxa de aquecimento de 10ºC/min no intervalo de 25 a 900 ºC. Estas caracterizações foram realizadas de modo a obter elementos que indiquem a funcionalização covalente dos nanotubos de carbono com o ácido esteárico. Essa funcionalização reflete mudançaas na estrutura cristalina dos nanotubos de carbono, observada na espectroscopia Raman ressonante e bandas correspondentes a ligações -OOC-O-COO- típica de anidrido nos espectros de FTIR, assim como mudanças no comportamento térmico dos nanotubos funcionalizados em relação aos nanotubos de carbono puro.

Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de nitreto de silício não estequiométricos obtidos pela técnica de deposição por pulverização catódica com gases reativos (sputtering reativo) nas propriedades estruturais e luminescentes. Os filmes foram depositados mantendo a pressão na câmara principal em 6,7 ou 10 mTorr com diferentes pressões parciais dos gases Ar, N2 e O2, com a finalidade de controlar a composição. Os tratamentos térmicos foram feitos em atmosferas de argônio e uma mistura gasosa contendo 10% de H2 e 90% N2 em diversas temperaturas (450 até 700 °C) e nos tempos de 5 a 60 min. Após os tratamentos térmicos, foram feitas análises de composição, usando Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e medidas de fotoluminescência das amostras, excitadas com comprimento de onda de 266 nm. As características de emissão variaram de acordo com a composição da amostra medida. Os filmes de nitreto não estequiométrico que não possuem altas concentrações de oxigênio (<20%) apresentaram emissão nas regiões de 380-390 nm, 460-490 nm e 515-525 nm. Com o aumento da concentração de oxigênio, foram obsevadas que as características fotoluminescentes se alteraram, e uma banda de emissão é obtida em 318 nm (3,9 eV). De maneira a investigar a origem da emissão, realizamos medidas de microscopia eletrônica de transmissão e elipsometria espectral. Por microscopia verificamos a existência de estruturas cristalinas de -Si3N4, -Si3N4 e de Si2N2O, enquanto as medidas de elipsometria revelaram que as curvas do índice de refração estão entre as de Si3N4 e de SiO2, confirmando qualitativamente os resultado de RBS. / Silicon nanocrystals embedded in dielectric matrices are promising for applications in optoelectronics devices. In this work, we studied the influence of several deposition parameters of deposited non-stoichiometric silicon nitride films, obtained by reactive sputtering. The films were obtained by keeping the pressure into the main chamber at 6.7 or 10 mTorr and by changing the partial pressures of Ar, N2 and O2 gas with the purpose of controlling the composition. The samples were annealed in Argon or forming gas (10% H2 more 90% N2) ambient at several temperatures (450-700 °C) and times (5-60 min). After the thermal treatments, the composition analysis was made by RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy) and photoluminescence measurements were performed. The excitation wavelength in the photoluminescence measurements was 266 nm. The emission spectra depend on sample composition. The non-stoichiometric silicon nitride samples with low concentration of oxygen (<20%) show emission in the regions of 380-390 nm, 460-490 nm and 515-525 nm, due to radiative recombination. Whereas oxygen concentration increased, the other band emission was observed at 318 nm (3.9 eV). With this result, transmission electronic microscopy (TEM) and ellipsometry measurements were performed to investigate the emission origin. The TEM measurements show the presence of -Si3N4, -Si3N4 and Si2N2O crystalline structures. Spectroscopic ellipsometry revealed that the refractive index curves are located between the theoretical curves of SiO2 and of Si3N4, depending on oxygen content, confirming qualitatively the RBS results.

Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de nitreto de silício não estequiométricos obtidos pela técnica de deposição por pulverização catódica com gases reativos (sputtering reativo) nas propriedades estruturais e luminescentes. Os filmes foram depositados mantendo a pressão na câmara principal em 6,7 ou 10 mTorr com diferentes pressões parciais dos gases Ar, N2 e O2, com a finalidade de controlar a composição. Os tratamentos térmicos foram feitos em atmosferas de argônio e uma mistura gasosa contendo 10% de H2 e 90% N2 em diversas temperaturas (450 até 700 °C) e nos tempos de 5 a 60 min. Após os tratamentos térmicos, foram feitas análises de composição, usando Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e medidas de fotoluminescência das amostras, excitadas com comprimento de onda de 266 nm. As características de emissão variaram de acordo com a composição da amostra medida. Os filmes de nitreto não estequiométrico que não possuem altas concentrações de oxigênio (<20%) apresentaram emissão nas regiões de 380-390 nm, 460-490 nm e 515-525 nm. Com o aumento da concentração de oxigênio, foram obsevadas que as características fotoluminescentes se alteraram, e uma banda de emissão é obtida em 318 nm (3,9 eV). De maneira a investigar a origem da emissão, realizamos medidas de microscopia eletrônica de transmissão e elipsometria espectral. Por microscopia verificamos a existência de estruturas cristalinas de -Si3N4, -Si3N4 e de Si2N2O, enquanto as medidas de elipsometria revelaram que as curvas do índice de refração estão entre as de Si3N4 e de SiO2, confirmando qualitativamente os resultado de RBS. / Silicon nanocrystals embedded in dielectric matrices are promising for applications in optoelectronics devices. In this work, we studied the influence of several deposition parameters of deposited non-stoichiometric silicon nitride films, obtained by reactive sputtering. The films were obtained by keeping the pressure into the main chamber at 6.7 or 10 mTorr and by changing the partial pressures of Ar, N2 and O2 gas with the purpose of controlling the composition. The samples were annealed in Argon or forming gas (10% H2 more 90% N2) ambient at several temperatures (450-700 °C) and times (5-60 min). After the thermal treatments, the composition analysis was made by RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy) and photoluminescence measurements were performed. The excitation wavelength in the photoluminescence measurements was 266 nm. The emission spectra depend on sample composition. The non-stoichiometric silicon nitride samples with low concentration of oxygen (<20%) show emission in the regions of 380-390 nm, 460-490 nm and 515-525 nm, due to radiative recombination. Whereas oxygen concentration increased, the other band emission was observed at 318 nm (3.9 eV). With this result, transmission electronic microscopy (TEM) and ellipsometry measurements were performed to investigate the emission origin. The TEM measurements show the presence of -Si3N4, -Si3N4 and Si2N2O crystalline structures. Spectroscopic ellipsometry revealed that the refractive index curves are located between the theoretical curves of SiO2 and of Si3N4, depending on oxygen content, confirming qualitatively the RBS results.

Orientador: Carlos Alfredo Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T17:34:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Farah_EduardoAraujo_M.pdf: 1317547 bytes, checksum: 841d65af0a50d639b9b82d0006b2e229 (MD5) Previous issue date: 1972 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Eliermes Arraes Meneses / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T06:58:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cardoso_CarmenLuciaNovis_M.pdf: 1108135 bytes, checksum: 11232155c212cb40837dd34d654d492f (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Medidas de fotoluminescência foram feitas em amostras de GaAs dopado com Sn (GaAs:Sn). Os resultados apresentaram duas regiões de emissão: excitônica é caracterizada pelas linhas A1 (1.5224 eV); A2 (1.5164eV); A3 (1.4966eV) e A4 (1.4600eV). A região profunda pelas bandas B1 (1.3612eV), B2 (1.3274eV) e B3 (1.2974eV). A linha A1 é interpretada como sendo a transição do éxciton livre; linha A2, éxciton ligado à impureza doadora de Sn; linha A3, éxciton ligado a impureza aceitadora de Sn e a linha A4 como sendo réplica de um fonon LO da linha A3. A origem da banda B1 não é muito clara; a banda B2 é interpretada como sendo a recombinação do elétron da banda de condução com nível aceitador profundo de Sn e a banda B3 como sendo réplica de um fonon da banda B2. Além disto, alguns efeitos foram observados: A posição em energia do éxciton livre (linha A1) está » 7.4MeV acima do valor encontrado na literatura. A posição em energia do éxciton ligado a impureza aceitadora profunda de Sn (linha A3) está » 10.4MeV abaixo do valor encontrado na literatura. Alguns comentários são feitos sobre os efeitos observados / Abstract: Photoluminescence measurements have been done on Sn doped GaAs samples (GaAs:Sn). The results have shown two emission regions: excitons (high energy) and deep levels (low energy). The exciton regions is characterized by the lines A1 (1.5224eV), A2 (1.5264eV), A3 (1.4966eV) and the deep level region by bands B1 (1.3612eV), B2 (1.3274eV) and B3 (1.2974eV). A1 line is interpreted as a free exciton transition; A2 as na exciton bound to Sn donor; A3 as na exciton bound to Sn acceptor and A4 as a LO phonon replica of A3. The origin of B1 band has not been clarified; B2 band is interpreted as a conduction electron ¿ Sn deep acceptor transition and B3 as being a phonon replica of B2 band. Moreover, some effects have been observed: The energy of the free exciton (A1 line) is » 7.4 meV higher than the value found in the literature. The energy of the bound exciton, A3 line, is » 10.4 meV lower than the value found in the literature. Some comments are made about the observed effects / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Rogerio Cezar de Cerqueira Leite / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:44:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bilac_SergioArturBianchini_D.pdf: 2444226 bytes, checksum: 0b90874b6de814958cab8c7bde76bac7 (MD5) Previous issue date: 1978 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2008. / Submitted by Jaqueline Oliveira (jaqueoliveiram@gmail.com) on 2008-12-08T17:14:47Z No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO_2008_JonathanFernandoTeixeira.pdf: 1853226 bytes, checksum: 137a609b04f4d9c223284d464e08f55a (MD5) / Approved for entry into archive by Georgia Fernandes(georgia@bce.unb.br) on 2009-02-16T14:57:05Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO_2008_JonathanFernandoTeixeira.pdf: 1853226 bytes, checksum: 137a609b04f4d9c223284d464e08f55a (MD5) / Made available in DSpace on 2009-02-16T14:57:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO_2008_JonathanFernandoTeixeira.pdf: 1853226 bytes, checksum: 137a609b04f4d9c223284d464e08f55a (MD5) / A dependência da quantidade de nitrogênio (N) nas propriedades ópticas e estruturais de filmes finos de GaAs1−xNx/GaAs, com 0, 0144 x 0, 0370, tratados termicamente e como crescidos, foram investigados por espectroscopias Raman e de Fotoluminescência. Os espectros Raman exibem a presença de dois modos caracter ísticos do filme de GaAs1−xNx. É observado um sistemático decréscimo da freqüência do fônon longitudinal óptico do tipo-GaAs (LO1), próximo a 292 cm−1 e um aumento linear da intensidade do fônon longitudinal óptico do tipo-GaN (LO2), próximo a 475 cm−1, com o aumento da concentração de N. É também evidente que a concentração de N nos filmes de GaAs1−xNx, determinado por espectroscopia Raman (xRaman), exibe uma dependência linear com aquela determinada por difração de Raios-X de alta resolução (HRXDR) (xXRD). Foi verificado que o sistemático redshift observado para o fônon LO1 e geralmente associado a deformações (strain) da rede e aos efeitos de liga, é também influenciado pela presença da dopagem não intencional assim como pela quebra da ordem de longo alcance da rede cristalina, devido a introdução do N. Os resultados de Fotoluminescência (PL) evidenciaram um decréscimo de até 460 meV do band gap do GaAs1−xNx com o aumento da concentração de N, no intervalo de x estudado. Medidas de PL em função da temperatura e da intensidade de excitação revelaram que o decréscimo de energia do band gap com o aumento da temperatura é significantemente maior para o GaAs do que para o GaAs1−xNx e que na temperatura de 7 K, o processo de recombinação bimolecular dos portadores é predominantemente radiativo. Todos os resultados de PL, são explicados pelo modelo Band Anticrossing. __________________________________________________________________________________________ ABSTRACT / The dependence of nitrogen (N) concentration on optical properties in thermally treated and as grown thin films of GaAs1−xNx, with 0, 0144 x 0, 0370, is investigated through Raman spectroscopy and Photoluminescence. Raman spectra exhibits the presence of two GaAs1−xNx characteristic modes. A systematic decrease of the longitudinal optical GaAs-type phonon frequency (LO1) near 292 cm−1 and a linear increase of longitudinal optical phonon of the GaN-type (LO2), near 475 cm−1 is observed with increasing N concentration. It is also evident that the N concentration in GaAs1−xNx, determined by Raman spectroscopy (xRaman), exhibits a linear dependence with the one determined by High Resolution X-Ray Diffraction (HRXRD) (xXRD). It was verified that the systematic redshift observed for the LO1 phonon, usually associated to lattice strain and alloy effects, is associated with non-intentional doping and the loss of long range crystaline order. The photoluminescence (PL) results showed a reduction of up to 460 meV of the GaAs1−xNx band gap with increasing N concentration. PL measurements as a function of temperature and excitation intensity, revealed that the decrease of band gap energy with temperature increase is significantly greater for GaAs compared to GaAs1−xNx, and that at 7K the carrier bimolecular recombination process is predominantly radiative. All PL results are explained by the Band Anticrossing model.