Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2008. / Submitted by Jaqueline Oliveira (jaqueoliveiram@gmail.com) on 2008-12-08T17:14:47Z No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO_2008_JonathanFernandoTeixeira.pdf: 1853226 bytes, checksum: 137a609b04f4d9c223284d464e08f55a (MD5) / Approved for entry into archive by Georgia Fernandes(georgia@bce.unb.br) on 2009-02-16T14:57:05Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO_2008_JonathanFernandoTeixeira.pdf: 1853226 bytes, checksum: 137a609b04f4d9c223284d464e08f55a (MD5) / Made available in DSpace on 2009-02-16T14:57:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO_2008_JonathanFernandoTeixeira.pdf: 1853226 bytes, checksum: 137a609b04f4d9c223284d464e08f55a (MD5) / A dependência da quantidade de nitrogênio (N) nas propriedades ópticas e estruturais de filmes finos de GaAs1−xNx/GaAs, com 0, 0144 x 0, 0370, tratados termicamente e como crescidos, foram investigados por espectroscopias Raman e de Fotoluminescência. Os espectros Raman exibem a presença de dois modos caracter ísticos do filme de GaAs1−xNx. É observado um sistemático decréscimo da freqüência do fônon longitudinal óptico do tipo-GaAs (LO1), próximo a 292 cm−1 e um aumento linear da intensidade do fônon longitudinal óptico do tipo-GaN (LO2), próximo a 475 cm−1, com o aumento da concentração de N. É também evidente que a concentração de N nos filmes de GaAs1−xNx, determinado por espectroscopia Raman (xRaman), exibe uma dependência linear com aquela determinada por difração de Raios-X de alta resolução (HRXDR) (xXRD). Foi verificado que o sistemático redshift observado para o fônon LO1 e geralmente associado a deformações (strain) da rede e aos efeitos de liga, é também influenciado pela presença da dopagem não intencional assim como pela quebra da ordem de longo alcance da rede cristalina, devido a introdução do N. Os resultados de Fotoluminescência (PL) evidenciaram um decréscimo de até 460 meV do band gap do GaAs1−xNx com o aumento da concentração de N, no intervalo de x estudado. Medidas de PL em função da temperatura e da intensidade de excitação revelaram que o decréscimo de energia do band gap com o aumento da temperatura é significantemente maior para o GaAs do que para o GaAs1−xNx e que na temperatura de 7 K, o processo de recombinação bimolecular dos portadores é predominantemente radiativo. Todos os resultados de PL, são explicados pelo modelo Band Anticrossing. __________________________________________________________________________________________ ABSTRACT / The dependence of nitrogen (N) concentration on optical properties in thermally treated and as grown thin films of GaAs1−xNx, with 0, 0144 x 0, 0370, is investigated through Raman spectroscopy and Photoluminescence. Raman spectra exhibits the presence of two GaAs1−xNx characteristic modes. A systematic decrease of the longitudinal optical GaAs-type phonon frequency (LO1) near 292 cm−1 and a linear increase of longitudinal optical phonon of the GaN-type (LO2), near 475 cm−1 is observed with increasing N concentration. It is also evident that the N concentration in GaAs1−xNx, determined by Raman spectroscopy (xRaman), exhibits a linear dependence with the one determined by High Resolution X-Ray Diffraction (HRXRD) (xXRD). It was verified that the systematic redshift observed for the LO1 phonon, usually associated to lattice strain and alloy effects, is associated with non-intentional doping and the loss of long range crystaline order. The photoluminescence (PL) results showed a reduction of up to 460 meV of the GaAs1−xNx band gap with increasing N concentration. PL measurements as a function of temperature and excitation intensity, revealed that the decrease of band gap energy with temperature increase is significantly greater for GaAs compared to GaAs1−xNx, and that at 7K the carrier bimolecular recombination process is predominantly radiative. All PL results are explained by the Band Anticrossing model.

Orientador: Victor Ciro Solano Reynoso / Banca: Cláudio Luiz Carvalho / Banca: José Humberto Dias da Silva / Resumo: Este trabalho é dedicado à preparação e a caracterização de célula solar nanocristalina do tipo Grätzel ativada com corante orgânico. O presente desenvolvimento envolveu a deposição da camada condutora transparente SnO2, deposição da camada nanoporosa de TiO2, preparação do eletrólito, escolha e preparação do corante e por fim o fechamento e a caracterização da célula. O método de deposição empregado para a obtenção dos filmes foi a técnica "spray" pirólise, sendo a deposição realizada a temperatura de 400 oC. Para desenvolver a camada condutora transparente, foram preparadas soluções de SnO2:Sb dopadas com as seguintes concentrações: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 e 8 mol % e uma solução de SnO2:F dopada com 15% em peso. Os filmes foram caracterizados por medidas de UV-vis, FTIR, DRX, MEV e medidas de resistência elétrica. O filme escolhido para ser utilizado como camada condutora transparente, foi o SnO2:F que apresentou melhor uniformidade, uma transmitância de 70% e resistência de 9 /O. A deposição do TiO2, foi feita sobre o filme de SnO2:F, pela técnica "spray" pirólise em 250 oC, e em seguida sinterizado a 400 0C durante 30 minutos. Os filmes de SnO2/TiO2 assim preparados em seguida foram imersos em corantes orgânicos. Concluída a adsorção dos corantes pelos filmes foi realizada montagem da célula. Foi colocado o eletrólito, que consistia de uma solução de etileno glicol de 0.5 M de iodeto de potássio misturado com 0.05 M iodo. Depois de concluídos, os processos descritos, a célula foi vedada para que se efetuassem medidas de caracterização elétrica. Esta caracterização esteve baseada no levantamento da curva I-V com e sem iluminação. / Abstract: This work is dedicated to the development and characterization of the solar cell nanocrystaline of the type Grätzel activated with organic dye. The present development involved the decomposition of the layer SnO2 transparent conductor, decomposition of TiO2 nonporous layer, preparation of the electrolyte, choice and preparation of the dye and finally the closing and characterization of the cell. The decomposition method used to the obtainment of the films was the technique "spray pyrolisis", being the decomposition performed in the temperature of 400 ºC. To develop the layer transparent conductor, were prepared solutions of SnO2 Sb full of the following concentrations: 1,2,3,4,5,6,7, and 8 mol % and a solution of SnO2 F full of 15 % in weight , the films were characterized by measures of UV- v is FTIR, MEV and measures of electric resistance. The film chosen to be used as layer transparent conductor was the SnO2: F which presented a better uniformity, a transmissibility of 70% and resistance of 9 /O. The decomposition of TiO2, was performed on a film of SnO2: F, by the technique "spray pyrolisis" in a 250 ° C and afterwards synthesized to 400ºC during 30 minutes. The films of SnO2 / TiO2 were immersed in organic dyes. Concluded the absortion of the dyes by the films was performed the set up of the cell. It was put the electrolyte, which was a solution of etalon glycol of 0. 5 M of iodated of potassium mixture with 0.0 5 M iodated. After finishing, the descript process, the cell was enclosed so that measures of electric characterization occurred. This characterization was based on the lifting of the curve I-V with and without illumination. / Mestre

Orientador: Annette Gorenstein / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-23T15:38:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cruz_TersioGuilhermedeSouza_M.pdf: 3092968 bytes, checksum: 8aafd4095373c01d1bb0d46fe9abf2b7 (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Neste trabalho foram estudadas as propriedades de filmes finos de óxido de molibdênio depositadas por sputtering reativo, variando-se o fluxo de oxigênio (f) durante a deposição e mantendo-se os outros parâmetros de deposição constantes. A microestrutura e a composição dos filmes foram analisadas por Difração de Raios-X, Retroespalhamento de Rutherford e Espectroscopia de Fotoelétrons. O filme depositado em mais baixo fluxo de O2 foi identificado como MoO2. Com o aumento de f, os filmes evoluíram segundo o esquema: amorfo => (MoO2.8+a-MoO3)=>b-MoO3=> (MoO2.8+b-MoO3). O comportamento das amostras frente à intercalação eletroquímica foi estudado em meio orgânico, contendo íons Li+, acompanhando-se as variações de transmitância (efeito eletroquímico) e as tensões mecânicas envolvidas no processo de inserção/de-inserção reversível de íons/elétrons na rede cristalina. Todas as amostras, exceto a de composição MoO2, são eletrocrômicas. A variação de tensão mecânica, em média, foi de 108 N m-2, para uma carga intercalada de 20mC/cm2. O filme que apresentou conjuntamente as melhores propriedades ópticas e mecânicas tem estrutura b-MoO3 / Abstract: In this work, molybdenum oxide thin films deposited by reactive sputtering were studied. The oxygen flow (f ) during deposition was varied, and all other deposition parameters were maintained at constant values. The microstructure and composition were studied by X-Ray Diffraction, Rutherford Backscattering Spectrometry and X-Ray Photoelectron Spectroscopy. The film deposited at the lowest f was identified as MoO2. With the increase of f , the following microstructures were obtained: amorphous ® (MoO2.8 + a -MoO3) ® b -MoO3 ® (MoO2.8 + b -MoO3). The behavior of the samples upon intercalation was studied in a non-aqueous electrolyte containing Li+ ions. The transmittance changes and the induced mechanical stresses were followed during the reversible insertion/extraction of ions/electrons in the oxide structure. All samples, with the exception of the MoO2 film, showed an electrochromic behavior. The transmittance changes, for the best sample, was 70%. The mechanical stress changes was 108 N m-2. The film which allied the best optical and mechanical behaviour showed the b -MoO3 structure / Mestrado / Física / Mestre em Física

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:25:33Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2012-04-24Bitstream added on 2014-06-13T20:53:35Z : No. of bitstreams: 1 souza_ga_me_ilha_parcial.pdf: 96782 bytes, checksum: 4d7a7af15085fcead1d5b2419aabde98 (MD5) Bitstreams deleted on 2015-05-28T14:25:00Z: souza_ga_me_ilha_parcial.pdf,. Added 1 bitstream(s) on 2015-05-28T14:26:07Z : No. of bitstreams: 1 000711592.pdf: 2613590 bytes, checksum: b3a73de4987564095d129f875271f94c (MD5) / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / Neste trabalho é apresentada a fabricação de um filme fino supercondutor, na forma de uma trilha supercondutora. A trilha é obtida por impressão direta do layout da trilha sobre um substrato de Si, utilizando uma impressora, do tipo jato de tinta. A solução precursora do filme é utilizada como tinta e é ejetada sobre o substrato, assumindo a forma criada no layout. Este processo de fabricação foi criado com o intuito de aplicar uma técnica de fabricação simples e barata (baixo custo) visando a obtenção de um trilha com excelente qualidade a um custo reduzido. As caracterizações morfológicas e estruturais foram realizadas para identificar e analisar o processo de impressão direta. O comportamento supercondutor do material foi verificado através da curva de R x T, em que foi obtida uma Tc de 81K, para a trilha impressa. O transporte de corrente da trilha impressa pela curva de I x V foi de 9,68 A/cm2 na temperatura de 78K / In this work is presented the fabrication of a thin film in the form of a trail for the copper oxide superconductor of BSCCO system. The trail was produced by directly print of the layout on a Si substrate. For this a inkjet printer was used. The precursor solution was used as ink and was ejected into the substrate in such a way to design the previous layout. This manufacturing process was created in order to obtain a trail with good quality at a reduced cost (low cost) by using a simple technique. The morphological and structural characterizations were carried out to identify and analyze the process of direct printing. The superconducting behavior of the material was verified by measurements of R x T from which was obtained a Tc of 81 K. The critical current density of the material was obtained from a V x I curve which value was 9,68 A/cm2 at a temperature of 78K

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:25:33Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2006-12-13Bitstream added on 2014-06-13T19:12:24Z : No. of bitstreams: 1 freitas_fr_me_ilha.pdf: 2092589 bytes, checksum: 7ec036717ae650efd365ca13f290d709 (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Este trabalho é dedicado à preparação e a caracterização de célula solar nanocristalina do tipo Grätzel ativada com corante orgânico. O presente desenvolvimento envolveu a deposição da camada condutora transparente SnO2, deposição da camada nanoporosa de TiO2, preparação do eletrólito, escolha e preparação do corante e por fim o fechamento e a caracterização da célula. O método de deposição empregado para a obtenção dos filmes foi a técnica spray pirólise, sendo a deposição realizada a temperatura de 400 oC. Para desenvolver a camada condutora transparente, foram preparadas soluções de SnO2:Sb dopadas com as seguintes concentrações: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 e 8 mol % e uma solução de SnO2:F dopada com 15% em peso. Os filmes foram caracterizados por medidas de UV-vis, FTIR, DRX, MEV e medidas de resistência elétrica. O filme escolhido para ser utilizado como camada condutora transparente, foi o SnO2:F que apresentou melhor uniformidade, uma transmitância de 70% e resistência de 9 /O. A deposição do TiO2, foi feita sobre o filme de SnO2:F, pela técnica spray pirólise em 250 oC, e em seguida sinterizado a 400 0C durante 30 minutos. Os filmes de SnO2/TiO2 assim preparados em seguida foram imersos em corantes orgânicos. Concluída a adsorção dos corantes pelos filmes foi realizada montagem da célula. Foi colocado o eletrólito, que consistia de uma solução de etileno glicol de 0.5 M de iodeto de potássio misturado com 0.05 M iodo. Depois de concluídos, os processos descritos, a célula foi vedada para que se efetuassem medidas de caracterização elétrica. Esta caracterização esteve baseada no levantamento da curva I-V com e sem iluminação. / This work is dedicated to the development and characterization of the solar cell nanocrystaline of the type Grätzel activated with organic dye. The present development involved the decomposition of the layer SnO2 transparent conductor, decomposition of TiO2 nonporous layer, preparation of the electrolyte, choice and preparation of the dye and finally the closing and characterization of the cell. The decomposition method used to the obtainment of the films was the technique spray pyrolisis, being the decomposition performed in the temperature of 400 ºC. To develop the layer transparent conductor, were prepared solutions of SnO2 Sb full of the following concentrations: 1,2,3,4,5,6,7, and 8 mol % and a solution of SnO2 F full of 15 % in weight , the films were characterized by measures of UV- v is FTIR, MEV and measures of electric resistance. The film chosen to be used as layer transparent conductor was the SnO2: F which presented a better uniformity, a transmissibility of 70% and resistance of 9 /O. The decomposition of TiO2, was performed on a film of SnO2: F, by the technique spray pyrolisis in a 250 ° C and afterwards synthesized to 400ºC during 30 minutes. The films of SnO2 / TiO2 were immersed in organic dyes. Concluded the absortion of the dyes by the films was performed the set up of the cell. It was put the electrolyte, which was a solution of etalon glycol of 0. 5 M of iodated of potassium mixture with 0.0 5 M iodated. After finishing, the descript process, the cell was enclosed so that measures of electric characterization occurred. This characterization was based on the lifting of the curve I-V with and without illumination.

Orientador: Rafael Zadorosny / Banca: Cláudio Luiz Carvalho / Banca: Paulo Noronha Lisboa Filho / Resumo: Neste trabalho é apresentada a fabricação de um filme fino supercondutor, na forma de uma trilha supercondutora. A trilha é obtida por impressão direta do layout da trilha sobre um substrato de Si, utilizando uma impressora, do tipo jato de tinta. A solução precursora do filme é utilizada como tinta e é ejetada sobre o substrato, assumindo a forma criada no layout. Este processo de fabricação foi criado com o intuito de aplicar uma técnica de fabricação simples e barata (baixo custo) visando a obtenção de um trilha com excelente qualidade a um custo reduzido. As caracterizações morfológicas e estruturais foram realizadas para identificar e analisar o processo de impressão direta. O comportamento supercondutor do material foi verificado através da curva de R x T, em que foi obtida uma Tc de 81K, para a trilha impressa. O transporte de corrente da trilha impressa pela curva de I x V foi de 9,68 A/cm2 na temperatura de 78K / Abstract: In this work is presented the fabrication of a thin film in the form of a trail for the copper oxide superconductor of BSCCO system. The trail was produced by directly print of the layout on a Si substrate. For this a inkjet printer was used. The precursor solution was used as ink and was ejected into the substrate in such a way to design the previous layout. This manufacturing process was created in order to obtain a trail with good quality at a reduced cost (low cost) by using a simple technique. The morphological and structural characterizations were carried out to identify and analyze the process of direct printing. The superconducting behavior of the material was verified by measurements of R x T from which was obtained a Tc of 81 K. The critical current density of the material was obtained from a V x I curve which value was 9,68 A/cm2 at a temperature of 78K / Mestre

Orientador: Annette Gorenstein / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T16:45:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 RojasQuispe_JoseCiro_M.pdf: 1723745 bytes, checksum: 5c6967d1867689b5b522156f60eea3e4 (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: O rápido crescimento do mercado de dispositivos eletrônicos portáteis com aplicações em diferentes áreas (telecomunicações, medicina, engenharia, etc.) bem como fatores ambientais, criaram uma grande demanda por fontes de potência compactas, leves e sobretudo, de baixo custo. Essa demanda levou ao desenvolvimento de tecnologia de filmes finos para a obtenção dos componentes principais das baterias, gerando o conceito de microbaterias. O presente trabalho procura estudar uma das componentes de microbaterias: os catodos. Filmes finos de óxido de molibdênio e óxidos mistos de molibdênio/níquel foram preparados pela técnica de magnetron sputtering reativo, em diferentes condições de deposição, visando seu uso como catodos em microbaterias recarregáveis de lítio. Estudou-se a influência das variações das condições de deposição sobre a estrutura, composição e performance dos materiais obtidos. No caso dos filmes de óxido de molibdênio, os compostos amorfos e sub-estequiométricos apresentaram uma alta capacidade especifica (178 µAh/cm2 - µm para uma densidade de corrente de 1 µA/cm2). Os resultados referentes à filmes de óxidos mistos de molibdênio/níquel mostraram que a amostra com menor conteúdo de níquel apresentou maior capacidade especifica (152,5 µAh/cm2- µm para uma densidade de corrente 1 µA/cm2) demonstrando a viabilidade da utilização destes materiais em microbaterias / Abstract: The rapid growth of portable electronic devices with applications in distinct areas (telecommunications, medicine, engineering) as well as ambiental factors created a huge demand on compact, light, low cost power sources This demand stimulated the development of thin film technologies for the production of the main parts of batteries, generating the concept of microbatteries. In this work one of this components is studied: the cathode. Hence, thin films of molybdenum oxide and molybdenum/nickel oxides were prepared by reactive magnetron sputtering in distinct deposition conditions, aiming their use in rechargeable lithium microbatteries. The influence of the variation of the deposition conditions on the structure, composition and performance of the materials was studied. In the case of the molybdenum oxide films, the amorphous, sub-stoichiometric compounds presented a high specific capacity (178 µAh/cm2 - µm for a current density of 1 µA/cm2 ). The results concerning the molybdenum/nickel oxides showed that the sample with lower Ni content presented the highest specific capacity (152,5 µAh/cm2 - µm for a current density of 1 µA/cm2) showing up the viability of the utilization of these materials in microbatteries / Mestrado / Física / Mestre em Física

Este trabalho tem por objetivo a investigação de atenuação de ondas acústicas superficiais (OAS) em filmes finos granulares supercondutores de PbO e Pb depositados por sputtering reativo em substratos piezoelétricos de LiNbO3 e quartzo (ST). As medidas de atenuação de OAS em função da temperatura foram efetuadas para diferentes potências de radiofreqüência, e em freqüência variando de 550 MHz a aproximadamente 700 MHz. A atenuação de OAS medida em filme granular de chumbo (550&#197), dotada de alta resistividade de filme (de 1000 &#937/&#9001) se manifesta piezoeletricamente induzida e proporcional à resistividade do filme. No estado supercondutor esta medida de atenuação excede esta simples relação. Esta atenuação excedente é atribuída à resistência local produzida pela presença de dipolos de vórtice-antivórtice / The subject of this work is the investigation of surface acoustic waves (SAW) on superconducting Pb and PbO granular thin films deposited by sputtering on piezoelectric substrate (LiNbO3 and quartz ST). The SAW attenuation was measured as a function of the temperature (1,3K to 20K) for different r.f. Power, in frequencies from 550 MHz to 700 MHz. The SAW attenuation, measured on granular lead film (550 &#197) with high sheet resistivity (1000 &#937/&#9001) appears to be piezoelectrically induced and should be proportional to the sheet resistivity. In the superconducting state the measured attenuation exceeds this simple relation. This excess attenuation is ascribed to the local resistance produced by the presence of vortex-antivortex dipoles

Made available in DSpace on 2017-07-21T20:42:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ThiagoSequinel.pdf: 1595197 bytes, checksum: 5515204beff5d51a8f32526202464225 (MD5) Previous issue date: 2008-12-18 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / In this work has been developed a new way to impregnate using high pressure. Thin film were obtained in soda-lime glass surface when it were used Co3O4, Al2O3, TiO2 and SnO2 as a oxides deposited, across a furnace confectioned for this experiment. SnO2 was results of two different chemical methods of synthesis. It was able to control tree variable: temperature, time and final pressure of test from an initial pressure of dry synthetic air. Results were characterized by X-ray diffraction, X-ray fluorescence of the powder and film morphology was analyzed by scan electronic microscopy. Using nanoindentation with Berkovich tip the mechanical properties were determined of the films produced, calculating the Young Modulus and hardness, and using Vickers indentation was possible to calculate the fracture toughness. Experimental process results to different oxides were compared among them and it were able to verify the viability of this new way to product a thin film. / Neste trabalho foi desenvolvida uma nova técnica de impregnação forçada de óxidos utilizando pressão elevada. Através de um forno confeccionado especificamente para esta finalidade foram obtidos filmes finos de óxidos em substrato de vidro alcalino plano comercial quando impregnados com Co3O4, Al2O3, TiO2 e SnO2, sendo este último, obtido por duas rotas diferenciadas de síntese química. Nos ensaios foram controladas três variáveis: a temperatura, o tempo e a pressão final. Os resultados foram caracterizados por técnica de difração de raios X, fluorescência de raios X e, a morfologia, foi analisada por microscopia eletrônica de varredura. Por meio de testes de nanoindentação, utilizando ponta de Berkovich, investigaram-se as propriedades mecânicas de dureza e módulo elástico e, por ensaios de indentação Vickers, determinou-se a tenacidade a fratura dos filmes. Os resultados deste processo experimental para os diferentes óxidos utilizados foram comparados entre si onde foi possível verificar a viabilidade desta nova proposta de impregnação/deposição de óxidos na forma de filmes finos para geração de filmes finos.

Made available in DSpace on 2016-08-12T18:48:46Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2015-07-28. Added 1 bitstream(s) on 2016-08-12T18:51:01Z : No. of bitstreams: 1 000854402.pdf: 1252402 bytes, checksum: 39240062d51578fcff0dfe01d1f5a15f (MD5) / A construção de filmes pela técnica layer-by-layer com fibroína de seda (SF) e amiloide β de 40 aminoácidos (Aβ40) para aplicação em imunossensores eletroquímicos e ópticos foi investigada. O crescimento desses filmes foi confirmado por voltametria cíclica (VC) pela área dos voltamogramas e também por espectroscopia na região ultravioleta-visível (UV-vis) pela absorbância do filme em 230 nm. O recobrimento completo do eletrodo pela SF foi verificado por VC utilizando solução de ferri/ferrocianeto de potássio. A distorção dos voltamogramas foi observada com maior tempo de adsorção e o tempo de 30 minutos foi considerado como cobertura completa do eletrodo. Também foi verificada uma mudança de estrutura do peptídeo em filme juntamente com a SF por dicroísmo circular (CD). Em solução a Aβ40 apresentou um espectro característico de α-hélice, e quando incorporada no filme observou-se uma predominância de folhas-β. Para o imunossensor óptico, utilizou-se nanopartículas de YVO4:Eu3+ para monitorar a emissão do íon európio. Os filmes tiveram máximo de excitação em 270 nm e a emissão do Eu3+ em 619 nm e também uma emissão em 300 nm associada à SF e ao peptídeo. Após a adição dos anticorpos houve uma diminuição da emissão em 300 nm e um aumento da emissão em 619 nm, associada à uma transferência de energia entre SF e Aβ40 e o európio. Na detecção óptica foi verificado que o anticorpo era incorporado ao filme mesmo sem a presença do peptídeo, fazendo necessárias mudanças experimentais para diminuir interações não específicas. A detecção eletroquímica da solução de anticorpos anti-Aβ 40 foi feita por VC, e foi observada uma mudança nas correntes obtidas em potenciais positivos, principalmente em 0,3V e também da área dos voltamogramas; em ambos os casos é verificada uma região linear entre 0 e 10 ng.mL-1 e essa resposta foi obtida apenas... / Silk fibroin (SF) and amyloid-β with 40 aminoacids (Aβ40) layer-by-layer (LbL) films for optical and electrochemical imunosensing applications were investigated. The growth of this films was confirmed by cyclic voltammetry (VC), observing changes in the voltammogram area and ultraviolet-visible region spectroscopy (UV-vis), observing increasing absorbance in 230 nm. The complete covering of an carbon electrode was verified using potassium ferrocyanide and ferricyanide in VC. There was distortion of the voltammograms with increasing adsorption time for the SF, and with 30 minutes was observed the maximum distortion, and therefore maximum electrode coverage. A conformation change of the peptide Aβ40 in the film was also observed using circular dichroism (CD). In the solution the peptide presented an characteristic spectrum of α-helix structure and in the film was observed the predominance of β-sheet structure. For the optical immunosensor an YVO4:Eu3+ nanoparticle suspension to monitor the europium emission. The LbL films had an excitation maximum centered in 270 nm and the europium emission in 619 nm, it was also observed an emission centered in 300 nm attributed to the SF and Aβ40. After the addition of antibodies, it was observed an increase in Eu3+ emission and a decrease of protein emission, associated with an energy transfer from SF/Aβ40 to the Eu3+. In the optical detection this effect was observer in the absence of peptide, therefore non-specific interactions between antibodies and the substrate. The electrochemical detection of the antibodies solution was performed with VC and were observed changes in voltammograms: an increase of current in positive potentials and an increase in voltammogram area. Both had a linear response in the 0 through 10 ng.mL-1 range and this response was observed only in the presence of the Aβ40.