Les premiers travaux relatifs aux combinaisons des métaux alcalins avec le silicium ou le germanium datent du milieu du siècle dernier. Sainte-Claire Delville (1857) (1), Winkler (1864) (2) puis Vigouroux (1869) (3) (4), qui entreprirent les premières recherches dans cette voie ne décelèrent en fait aucune réaction entre le silicium et le sodium. Moissan (1902) (5) (6), après avoir réalisé la synthèse d'un siliciure de lithium auquel il attribua la formule Li₆Si₂, montra que le silicium réagissait sous vide avec le sodium ou le potassium pour former de petites quantités de siliciures difficiles à séparer des produits de départ, et qu'il ne put identifier. Les premiers essais concernant les germaniures alcalins donnèrent en revanche des résultats beaucoup plus concluants. En 1930 Dennis et Skow (7) après avoir porté à 1000°C un mélange équimoléculaire de germanium et de sodium dans un creuset de fer isolèrent un germaniure de sodium correspondant à la formule NaGe...

Dans le cadre de la réduction des dimensions des technologies CMOS, le module de jonction apparaît comme un point bloquant pour l'amélioration des performances. En particulier, la hauteur de barrière entre le siliciure et le silicium limite le courant passant du transistor. Cette thèse adresse spécifiquement la problématique du contrôle de la hauteur de barrière suivant deux directions. D'une part, nous étudions l'intérêt d'une modification du métal formant le siliciure. D'autre part, nous évaluons le potentiel des techniques de ségrégation de dopants pour la modulation de la hauteur de barrière. Dans un premier temps, nous démontrons les difficultés liées à l'intégration des siliciures de type n (ErSi). Par ailleurs, nous mettons en évidence le fort potentiel du siliciure de platine (PtSi). En effet, ce matériau présente une stabilité thermique supérieure au siliciure de référence (NiSi) et montre une faible barrière à l'injection de trous. De plus, nous montrons que les techniques de ségrégation de dopants permettent d'obtenir de faibles hauteurs de barrières pour l'injection des électrons. Le PtSi apparaît donc comme un candidat à fort potentiel pour les futures technologies CMOS. Après avoir montré les inconvénients majeurs posés par l'intégration auto-alignée du PtSi grâce au procédé standard par eau régale, nous proposons une nouvelle méthode de retrait sélectif basée sur la transformation du métal non réagi en un germaniure facilement retiré par des chimies conventionnelles. En conclusion, nous intégrons le PtSi dans un procédé de fabrication industriel afin de démontrer des performances électriques à l'état de l'art des technologies CMOS les plus avancées.