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Search results
Showing 21 to 30 of 57 (0.055 seconds)| 21 |
Der Einfluß ionen- und elektronenleitender Oxidkeramiken auf die Kinetik der MethanolreformierungAllmendinger, Frank. January 2003 (has links)
Stuttgart, Univ., Diss., 2003.
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Analyse struktureller Defekte in kristallinen SchichtenHaug, Christian. Unknown Date (has links) (PDF)
Universiẗat, Diss., 2001--Freiburg (Breisgau).
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The role of lattice defects in the catalytic oxidation of methanol over graphite catalystsSanchez-Cortezon, Emilio. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. University, Diss., 2002--Berlin.
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Ab-initio-Untersuchungen an Aluminium, seinen Defekten und Aluminium-LegierungenRöbel, Michael. Unknown Date (has links) (PDF)
Universiẗat, Diss., 2005--Bonn.
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Mikrowellendetektierte Photoleitung und PICTSGründig-Wendrock, Bianca 25 November 2009 (has links) (PDF)
Inhalt der Arbeit waren die Überprüfung der Leistungsfähigkeit der beiden Verfahren Mikrowellendetektierte Photoleitung (MD-PL) und Mikrowellendetektierte Photo Induced Current Transient Spectroscopy (MD-PICTS) sowie ihre praktische Anwendung auf den Halbleiter GaAs. Zerstörungsfreie Photoleitungs-Wafertopogramme geben Auskunft über die Verteilung des Defekts EL20 bzw. über Widerstand und Ladungsträgerlebensdauer im Volumen eines Wafers bzw. seiner Oberfläche. MD-PICTS-Topographie weiterer Defekte ist möglich. Die Verfahren brachten ein neues Verständnis der bei PICTS ablaufenden Prozesse - die Peakhöhe ist nicht für alle Defekte unmittelbar proportional zur Defektkonzentration. Für die Erklärung positiver und negativer EL2- und EL3-PICTS- Peaks wurde ein Modell entwickelt, nach dem es sich bei diesen Defekten um Rekombinationszentren handelt. Das Modell wurde durch Simulationsrechnungen bestätigt. Ferner entstanden Ergebnisse zum Defekt EL6, an getemperten Wafern und an Epitaxieschichten.
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Wasserstoff-induzierte Silizium-Schichtabtrennung durch Implantations- und Plasmaprozesse für die Herstellung von SOI-SubstratenDüngen, Wolfgang January 2007 (has links)
Zugl.: Hagen, Fernuniv., Diss., 2007
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H-Passivierung von multikristallinem Silizium Untersuchung der Bindungsenergien von Wasserstoff an Defekten /Karzel, Philipp. January 2008 (has links)
Konstanz, Univ., Diplomarb., 2008.
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Zur Geometrie von Phasonen und Versetzungen in Quasikristallen und ihren ApproximantenEngel, Michael, January 2004 (has links)
Stuttgart, Univ., Diplomarb., 2004.
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Untersuchungen zum Ladungsträgertransport in multikristallinem SiliziumSeren, Sven. January 2002 (has links)
Konstanz, Univ., Diplomarb., 2002.
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Ladungsträgerfallen in amorphen organischen HalbleiternMalm, Norwin von. Unknown Date (has links)
Techn. Universiẗat, Diss., 2003--Darmstadt.
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