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Simulation des mécanismes de dissipation mécanique interne du silicium amorpheLévesque, Carl 12 1900 (has links)
Ce mémoire présente nos travaux sur les simulations numériques des mécanismes de dissipation mécanique interne (DMI) dans le a-Si. Ce travail s’inscrit dans le contexte des détecteurs d’ondes gravitationnelles, où les excitations à basses énergies dans les matériaux des miroirs constituent la principale source de bruit. On introduit le cadre théorique dans lequel le mémoire s’inscrit, soit le théorème de fluctuation-dissipation et les théories de l’état de transition et systèmes à deux niveaux, et on fait un court résumé de l’état des connaissances expérimentales sur le sujet. On présente ensuite les méthodes numériques : les méthodes d’exploration de l’énergie potentielle, les potentiels interatomiques et les méthodes de préparation des configurations atomiques, de même qu’une revue des travaux théoriques sur la DMI. Les résultats principaux du projet de maîtrise, incluant l’analyse des systèmes à deux niveaux dans le a-Si et le calcul de la DMI, sont présentés au troisième chapitre, sous la forme d’un article de revue. On termine par détailler nos travaux sur la DMI en employant la spectroscopie mécanique. / This master’s thesis presents our work on numerical simulations of internal mechanical dissipation (IMD) mechanisms in a-Si. This work is done in the context of gravitational wave
detectors, where low-energy excitations in the materials of the mirrors are the main source of
noise. We introduce the theoretical framework of the project, starting with the fluctuationdissipation theorem, and following with the transition state theory and the two-level systems
(TLS) theory. A short review of experimental work on the subject is also presented. This is
followed by a presentation of the numerical methods: potential energy landscape exploration
techniques, interatomic potentials and atomic configurations preparation methods, as well as
a review of numerical studies of the IMD. The main results of the thesis, an analysis of the
two-level systems in a-Si and calculations of the IMD, are presented in chapter 3, in the form
of a journal article. We finish by detailing our work on IMD using mechanical spectroscopy.
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