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A new and efficient method of designing low noise microwave oscillatorsRohde, Ulrich L. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. University, Diss., 2004--Berlin.
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Entwurfsverfahren von breitbandigen Frequenzvervielfachern für ein multiharmonisches Source- und Load-pull-MesssystemBunz, Bernd. January 2004 (has links)
Universiẗat, Diss., 2004--Kassel. / Download lizenzpflichtig.
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Frequenzselektive Vibrationssensoren mit spannungsgesteuerter Resonanzabstimmung in Oberflächenmikromechanik / Frequency-Selective Vibration Sensors with Voltage-Controlled Resonance Tuning Fabricated Using Surface MicrotechnologyWibbeler, Jürgen 27 October 2003 (has links) (PDF)
Basic resonator structures for frequency-selective capacitive vibration sensors which exploit their mechanical resonance peak for spectral selectivity are developed and analyzed. As an important capability, the stuctures offer voltage-controlled frequency tuning realized by electrostatic principles. Direct electrostatic tuning based on displacement-dependent electrostatic forces as well as tuning by stress-stiffening based on constant electrostatic forces are discussed.
The sensor structures are designed for fabrication using common silicon surface microtechnologies. Experimental tests of both mentioned tuning principles are carried out at structures fabricated using a surface technology known as SCREAM.
A considerable part of the work focusses on nonlinear oscillations of the mechanical resonator at large amplitudes arising in resonance. Dimensioning rules for minimum nonlinear disturbance are derived from a detailed analysis of the Duffing oscillator. Various capacitive principles for signal detection and electrostatic frequency tuning are evaluated in terms of nonlinearity. A novel type of specially shaped electrode systems offering linear properties within an amplitude range of 10 micrometers, so-called curved comb capacitors, is developed for fabrication in SCREAM technology. / In der vorliegenden Arbeit werden Grundstrukturen frequenzselektiver kapazitiver Vibrationssensoren entwickelt und analysiert, deren spektrale Selektionswirkung durch Ausnutzung ihrer mechanischen Resonanzüberhöhung entsteht. Wesentliches Merkmal der Strukturen ist ihre spannungsgesteuerte Abstimmbarkeit, die auf elektrostatischen Prinzipien beruht. Es werden die direkte elektrostatische Frequenzabstimmung, basierend auf positionsabhängigen Feldkräften, sowie das Prinzip des Stress-Stiffening, basierend auf einer konstanten elektrostatischen Kraft, diskutiert.
Die Entwicklung konzentriert sich auf Sensorstrukturen, die in klassischen Oberflächentechnologien gefertigt werden können. Experimentelle Tests der beiden genannten Abstimmprinzipien werden anhand von Strukturen in oberflächennaher Silizium-bulk-Mikromechanik (SCREAM) durchgeführt.
Schwerpunkt der Arbeit sind nichtlineare Schwingungen der mechanischen Resonatorkomponente bei großen Amplituden, die durch die Resonanzüberhöhung entstehen. Für den Sonderfall des Duffing-Schwingers werden Dimensionierungsregeln zur Minimierung der Nichtlinearitäten entwickelt. Kapazitive Prinzipien zur Detektion bzw. elektrostatischen Abstimmung werden hinsichtlich ihrer Linearität geprüft. Es werden neuartige Elektrodensysteme für die SCREAM-Technologie, sogenannte Kurvenkammsysteme entwickelt, die bei Schwingamplituden bis zu 10 Mikrometer linear arbeiten.
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Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-BereichWächtler, Thomas 28 December 2005 (has links) (PDF)
High Electron Mobility Transistoren (HEMTs),
basierend auf
dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen,
hergestellt und elektrisch charakterisiert.
Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD
zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs
Lithographieebenen.
Die Herstellung der Bauelemente geschah unter
Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer
vorhandenen Technologie für Transistoren mit
kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren),
die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden
Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs
entwickelt, wobei die Metallisierung der
Drainkontakte mittels Electroplating von Gold
vorgenommen wurde.
Zur elektrischen Charakterisierung der
Bauelemente wurden sowohl
Gleichstromcharakteristiken,
d.h. die Ausgangskennlinienfelder und
Verläufe der Steilheit, als auch das
Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz
gemessen. Dabei zeigten die Transistoren
eine auf die Gatebreite bezogene
Ausgangsleistungsdichte
von mehr als 8 W/mm
und eine Effizienz größer als 40%,
einhergehend mit vernachlässigbarer
Drainstromdispersion der unpassivierten
Bauelemente.
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Frequenzselektive Vibrationssensoren mit spannungsgesteuerter Resonanzabstimmung in OberflächenmikromechanikWibbeler, Jürgen 17 December 2002 (has links)
Basic resonator structures for frequency-selective capacitive vibration sensors which exploit their mechanical resonance peak for spectral selectivity are developed and analyzed. As an important capability, the stuctures offer voltage-controlled frequency tuning realized by electrostatic principles. Direct electrostatic tuning based on displacement-dependent electrostatic forces as well as tuning by stress-stiffening based on constant electrostatic forces are discussed.
The sensor structures are designed for fabrication using common silicon surface microtechnologies. Experimental tests of both mentioned tuning principles are carried out at structures fabricated using a surface technology known as SCREAM.
A considerable part of the work focusses on nonlinear oscillations of the mechanical resonator at large amplitudes arising in resonance. Dimensioning rules for minimum nonlinear disturbance are derived from a detailed analysis of the Duffing oscillator. Various capacitive principles for signal detection and electrostatic frequency tuning are evaluated in terms of nonlinearity. A novel type of specially shaped electrode systems offering linear properties within an amplitude range of 10 micrometers, so-called curved comb capacitors, is developed for fabrication in SCREAM technology. / In der vorliegenden Arbeit werden Grundstrukturen frequenzselektiver kapazitiver Vibrationssensoren entwickelt und analysiert, deren spektrale Selektionswirkung durch Ausnutzung ihrer mechanischen Resonanzüberhöhung entsteht. Wesentliches Merkmal der Strukturen ist ihre spannungsgesteuerte Abstimmbarkeit, die auf elektrostatischen Prinzipien beruht. Es werden die direkte elektrostatische Frequenzabstimmung, basierend auf positionsabhängigen Feldkräften, sowie das Prinzip des Stress-Stiffening, basierend auf einer konstanten elektrostatischen Kraft, diskutiert.
Die Entwicklung konzentriert sich auf Sensorstrukturen, die in klassischen Oberflächentechnologien gefertigt werden können. Experimentelle Tests der beiden genannten Abstimmprinzipien werden anhand von Strukturen in oberflächennaher Silizium-bulk-Mikromechanik (SCREAM) durchgeführt.
Schwerpunkt der Arbeit sind nichtlineare Schwingungen der mechanischen Resonatorkomponente bei großen Amplituden, die durch die Resonanzüberhöhung entstehen. Für den Sonderfall des Duffing-Schwingers werden Dimensionierungsregeln zur Minimierung der Nichtlinearitäten entwickelt. Kapazitive Prinzipien zur Detektion bzw. elektrostatischen Abstimmung werden hinsichtlich ihrer Linearität geprüft. Es werden neuartige Elektrodensysteme für die SCREAM-Technologie, sogenannte Kurvenkammsysteme entwickelt, die bei Schwingamplituden bis zu 10 Mikrometer linear arbeiten.
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Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-BereichWächtler, Thomas 28 December 2005 (has links)
High Electron Mobility Transistoren (HEMTs),
basierend auf
dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen,
hergestellt und elektrisch charakterisiert.
Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD
zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs
Lithographieebenen.
Die Herstellung der Bauelemente geschah unter
Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer
vorhandenen Technologie für Transistoren mit
kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren),
die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden
Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs
entwickelt, wobei die Metallisierung der
Drainkontakte mittels Electroplating von Gold
vorgenommen wurde.
Zur elektrischen Charakterisierung der
Bauelemente wurden sowohl
Gleichstromcharakteristiken,
d.h. die Ausgangskennlinienfelder und
Verläufe der Steilheit, als auch das
Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz
gemessen. Dabei zeigten die Transistoren
eine auf die Gatebreite bezogene
Ausgangsleistungsdichte
von mehr als 8 W/mm
und eine Effizienz größer als 40%,
einhergehend mit vernachlässigbarer
Drainstromdispersion der unpassivierten
Bauelemente.
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